嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
嗨，我想開發(fā)一個 CAN 連接到賽普拉斯CYW20730芯片的Android應用程序。
實際上，一些主動快門 3D 眼鏡使用了這個芯片，我想建立藍牙連接來打開和關閉眼鏡鏡片。
我下載了您的 2 安卓
2024-03-01 11:58:58
; eviceCount () \" 給了我 0。
當我查看 Windows 設備管理器時。 在編程之前，該設備被識別為“賽普拉斯FX3 USB引導加載程序設備”。 編程后，該設備被識別為“賽普拉斯FX3
2024-02-26 07:55:15
拉普拉斯新能源科技股份有限公司，簡稱“拉普拉斯”，近期成功通過IPO審核，準備在科創(chuàng)板上市。該公司計劃募資18億元，主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導體及光伏高端設備研發(fā)制造基地項目，以及補充流動資金。
2024-02-23 14:16:32
218 ram在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結果。隨機存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31568 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
賽普拉斯的芯片，怎么燒錄后綴名為 .ELF 文件？要用什么燒錄器？用什么樣的燒錄軟件？芯片型號：CY8C5268AXI-LP047
2024-02-01 08:25:01
：基于靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時重新加載。這類FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類
2024-01-26 10:09:17
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51516 
隨機訪問存儲器（RAM）分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動態(tài)RAM（DRAM）。由于動態(tài)存儲器存儲單元的結構非常簡單，所以它能達到的集成度遠高于靜態(tài)存儲器。但是動態(tài)存儲器的存取速度不如靜態(tài)存儲器快。
2024-01-19 15:47:38513 
當電源斷開時，隨機存取存儲器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因為RAM是一種易失性存儲器，它必須以恒定的電源供應來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時，RAM中的電荷會逐漸耗盡，導致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19838 是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15512 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
隨機存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進行隨機掃描以獲取適當?shù)男畔ⅲ皇亲裱瓏栏竦闹甘?。這是為了均衡所有存儲的數(shù)據(jù)位之間的訪問時間。
2024-01-06 17:51:33158 
東芝不僅是家電巨頭、消費電子巨頭，還曾經(jīng)是全球最大的半導體制造商之一。1985年，東芝率先研發(fā)出1M容量動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。到了次年，東芝1M DRAM月產(chǎn)能超過100萬片，包括東芝在內的日本廠商在 DRAM市場的份額則超過80%。
2023-12-21 16:19:48267 
根據(jù)協(xié)議內容，力成為合作項目提供必要的2.5D和3D先進封裝服務，涵蓋Chip on Wafer、凸塊加工以及矽穿孔技術等多個環(huán)節(jié)，并優(yōu)先推薦華邦電的矽中介層和其他尖端產(chǎn)品，如動態(tài)隨機存取存儲器 （DRAM） 和快閃存儲器 （Flash） 等進行配合
2023-12-21 10:29:45151 從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 其中，電阻式隨機存取存儲器（RRAM）依靠改變電阻水平來存儲數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項研究詳細介紹了清華大學李原領導的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構建納米隨機存取存儲器的關鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
在數(shù)字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56302 DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細節(jié)。在DDR的設計過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101470 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
功能描述：CY7C1470BV25、CY7C1472BV25和CY7C1474BV25是2.5V 2M x 36/4M x 18/1M x 72同步流水線容發(fā)無總線延遲的SRAM(NoBL)邏輯。它們被設計成支持無限制的真正的背對背讀取或者沒有等待狀態(tài)的寫操作。CY7C1470BV25,CY7C1472BV25和CY7C1474BV25配有啟用連續(xù)讀取或需要
2023-11-24 16:10:46
低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲器結構。IP可用來創(chuàng)建只讀存儲器 (ROM)、單端口隨機存取存儲器 (RAM) 和簡單
2023-11-17 17:00:30687 
20世紀70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根據(jù)貿易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲芯片出口同比增長1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領了反彈，增長了12.2%，而利潤豐厚的動態(tài)隨機存取存儲器的銷售額首次收窄至個位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
賽普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充之間有何不同？ 賽普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充是兩種快速充電技術，它們有著不同的特點和優(yōu)點。 賽普拉斯USB-PD2.0是一種基于USB
2023-10-27 14:40:18434 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
本文將介紹芯片設計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34816 CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/賽普拉斯，USB Type-C端口控制器CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/賽普拉斯，USB Type-C端口控制器
2023-10-17 16:16:10
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱：拉普拉斯）擬沖刺科創(chuàng)板IPO。不過近日，拉普拉斯IPO因財務資料過期問題而被迫暫時中止。 此次沖刺科創(chuàng)板IPO，拉普拉斯擬募集
2023-10-12 17:10:012041 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱：拉普拉斯）擬沖刺科創(chuàng)板IPO。不過近日，拉普拉斯IPO因財務資料過期問題而被迫暫時中止。 此次沖刺科創(chuàng)板IPO，拉普拉斯擬募集
2023-10-12 01:12:002959 
相同點？
感覺6116數(shù)據(jù)的存取很簡單呀？設置成“寫入”狀態(tài)，在地址端0001-0101依次輸入數(shù)據(jù)0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲器設置成“讀出”狀態(tài)就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
、隨機存取存儲器、定時器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲器中的各種保護程序，對由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機存取存儲器中的數(shù)據(jù)進行分析處理，以完成各種繼電器保護的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開關量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33544 
如何用拉普拉斯變換分析電路 拉普拉斯變換是通過一種特定的方法將時域中的一個信號轉化為復頻域中的一個函數(shù)，從而使得復雜的微分方程等可以變得更加簡單、易于求解。因此，它在電路分析中的應用非常廣泛，有助于
2023-09-07 16:39:041276 傅里葉變換拉普拉斯變換和z變換的區(qū)別聯(lián)系 傅里葉變換、拉普拉斯變換和z變換是信號處理中重要的數(shù)學工具。傅里葉變換用于將一個連續(xù)時間信號轉換為頻域表示；拉普拉斯變換則用于將一個連續(xù)時間信號轉換為復平面
2023-09-07 16:38:581400 拉普拉斯變換公式? 拉普拉斯變換公式是數(shù)學中極其重要的一種變換方式，它的應用領域非常廣泛，包括在信號處理、控制論、微分方程、電路分析和量子力學等領域中都有著廣泛的應用。本文將詳細介紹拉普拉斯變換公式
2023-09-07 16:38:534090 拉普拉斯變換的意義 拉普拉斯變換是微積分中的一種重要方法，用于將時間域函數(shù)轉換為復平面的頻域函數(shù)。它是工程和科學中常用的一種數(shù)學工具，尤其是電路理論、信號處理和控制理論中。 拉普拉斯變換的意義可以
2023-09-07 16:35:083588 拉普拉斯變換的頻移特性 拉普拉斯變換是一種重要的數(shù)學工具，在信號處理、控制理論、電路分析等領域廣泛應用。在這些應用中，頻移是一個常見的操作，即將信號在頻域上移動某個頻率。 拉普拉斯變換是一種復數(shù)變換
2023-09-07 16:29:43671 微控制器的處理器類型根據(jù)不同的應用而有所不同?？晒┻x擇的范圍從簡單的4位、8位或16位處理器到更復雜的32位或64位處理器。微控制器還可以使用不同類型的存儲器，包括易失性存儲器，如隨機存取存儲器
2023-09-07 15:54:332167
-40℃~+85℃
片上只讀存儲器
384KB
片上靜態(tài)隨機存取存儲器
512KB
外部閃光
8MB
封裝內 PSRAM
2MB
無線上網(wǎng)
IEEE 802.11 b/g/n，2.4Ghz 頻段
2023-09-07 10:05:03
新能源汽車的核心技術是大家熟知的動力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高性能非易失性存儲技術的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
我們知道除了只讀存儲器外還有隨機存取存儲器，這一篇將介紹另一種 存儲類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機存取存儲器 （Random Access Memory），是一個易失性存儲器，斷電丟失。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
和“讀寫”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲器中，而“讀寫”段在開始執(zhí)行之前從只讀存儲器復制到隨機存取存儲器。
2023-08-24 08:23:51
技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現(xiàn)高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40397 
動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。
2023-08-03 12:27:03649 
動態(tài)隨機存取存儲器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
，用于從計算機的RAM（隨機存取存儲器）或其他設備的內存中提取關鍵信息，以便了解設備在特定時間點的狀態(tài)和活動。內存取證的主要目的？內存取證的主要目的是獲取在計算機或設
2023-08-01 11:21:511056 
一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或寫(存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和嵌入式閃存、一個提供時鐘、復位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉換器(ADC)子系統(tǒng)組成。本數(shù)據(jù)手冊描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
隨機存取存儲器（RAM）用于實時存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲當前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器。
2023-07-06 14:22:271948 ，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 靜態(tài)隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
16-MBIT（1M X 16）靜態(tài)隨機存儲器
2023-06-01 09:18:00
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313 我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
主存儲器的主要技術指標
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實際存儲容量：** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內存。
* **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
SDRAM是動態(tài)隨機存取存儲器，與CPU的時鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（單數(shù)據(jù)速率SDRAM）。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個時鐘周期內只能讀/寫一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個讀/寫操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
不懂單片機，最近公司一個外單要轉到國內生產(chǎn)，發(fā)了一個后綴名是.elf的燒錄文件，請問這個怎么燒錄？要用什么軟件打開？又要用什么樣的燒錄器？
芯片是賽普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56
，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。
3.產(chǎn)品應用
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設備在每次寫操作時都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區(qū)域，實現(xiàn)了存儲字節(jié)的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
在定義方面它們有本質的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲器”，而內存是“隨機存取存儲器”，屬于“易失性存儲設備“。
2023-05-17 15:40:191537 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462540 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
SHARC 系列數(shù)字信號處理器 (DSP) 中的一款產(chǎn)品，采用 ADI 公司的超級哈佛架構。這些 32 位/40 位/64 位浮點處理器已針對高性能音頻/浮點應用進行優(yōu)化，具有大型片內靜態(tài)隨機存取存儲器
2023-04-11 17:36:45479 。隨機存取存儲器(random access memory，RAM)又稱作\"隨機存儲器\"。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將
2023-04-10 16:43:04
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設備替代了多個零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實時時鐘（RTC）?低VDD檢測驅動復位?看門狗窗口定時器
2023-04-07 16:23:11
設備基于運行頻率高達 80 MHz 的第 2 版 ColdFire 內核，以實現(xiàn)性能和低功耗。片上存儲器與處理器內核緊密耦合，包括 512 KB 閃存和 64 KB 靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)。片
2023-03-31 08:49:25
ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設備。
2023-03-25 15:49:351054 我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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