MRAM是什么?
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。 即:MRAM是非揮發(fā)性介質(zhì); MRAM是磁性隨機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì); MRAM具有RAM的讀寫(xiě)速度;
MRAM可接近無(wú)限次寫(xiě)入。
MRAM的特點(diǎn)是什么?
1、非易失性:鐵磁體的磁性不會(huì)由于斷電而消失,故MRAM具備非易失性。
2、極高的讀寫(xiě)壽命:鐵磁體的磁性不僅斷電不會(huì)消失,而是幾乎可以認(rèn)為永不消失,故MRAM可以無(wú)限次重寫(xiě)。
3、低延遲、高速讀寫(xiě)、功耗低:MRAM的寫(xiě)入時(shí)間可低至2.3ns,并且功耗極低,可實(shí)現(xiàn)瞬間開(kāi)關(guān)機(jī)并能延長(zhǎng)便攜機(jī)的電池使用時(shí)間。
4、MRAM 對(duì)阿爾法粒子的固有免疫能力,能在輻射環(huán)境下正常工作。 5、高可靠性,不需要額外的 ECC 校驗(yàn)。 6、擁有SPI /PPI兩種接口。 7、SPI MRAM 支持 SPI、DPI、QPI 模式切換,頻率高達(dá) 108MHz,支持 XIP 功能。
8、PPI MRAM 支持 x16 I/O,Parallel Asynchronous 和 Page Mode Interface。
MRAM的應(yīng)用領(lǐng)域在哪里?
MRAM 的特性是MRAM 在許多應(yīng)用上擁有極高靈活性的主要原因。目前主要用于RAID片上日志存儲(chǔ)器、可編程邏輯控制器、工業(yè)級(jí)內(nèi)存模塊等。
例,在工業(yè)控制和監(jiān)視領(lǐng)域:存儲(chǔ)用途包括實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),快速備份數(shù)據(jù)檢索和機(jī)器操作程序代碼。
多功能打印機(jī):控制代碼和用戶設(shè)置存儲(chǔ),用于維護(hù)計(jì)劃的使用情況數(shù)據(jù)日志以及用于檢索單個(gè)事務(wù)的緩存緩沖區(qū)
機(jī)器人:控制代碼,配置文件和設(shè)置。通常非易失性存儲(chǔ)器越大,機(jī)器人可以執(zhí)行的指令越多
數(shù)據(jù)交換機(jī)和路由器:存儲(chǔ)系統(tǒng)配置,用戶設(shè)置和固件。安全性和身份驗(yàn)證設(shè)置也將被存儲(chǔ)
助聽(tīng)器:將不同的用戶操作設(shè)置存儲(chǔ)在用戶喜歡的各種活動(dòng)和聲音響應(yīng)中。用戶喜歡的設(shè)置,例如在不同使用和環(huán)境條件下的音量和音頻頻率,會(huì)被存儲(chǔ)和激活。
隨著AI、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的興起,使得大數(shù)據(jù)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,而這些新興領(lǐng)域在不斷推進(jìn)著存儲(chǔ)器追趕先進(jìn)技術(shù)的腳步,MRAM的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒃絹?lái)越廣闊。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:芯科普 | 一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM
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