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國芯思辰 |國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-06-08 09:52 ? 次閱讀
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鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電存儲器不需要定時刷新,能在斷電情況下保存數(shù)據(jù),特別適合在那些對寫入時間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合,而且與其MCU接口電路簡單,應(yīng)用方便,本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。

拍字節(jié)2M.png

鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點眾多:非易失性,寫入速度快,無限次寫入,最關(guān)鍵是用一個鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個不同的存儲器,統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)使用戶在成本和靈活性上獲益。

例如在設(shè)計的碳控儀系統(tǒng)中,由于對控制碳勢適時性的要求較高,而且系統(tǒng)由2個子系統(tǒng)構(gòu)成,每個子系統(tǒng)都要頻繁讀寫存儲器,所以把原來的存儲器換成鐵電存儲器才得以滿足系統(tǒng)要求。

拍字節(jié)引腳.png

傳感器網(wǎng)一般都在室外或野外,電源條件差,功耗要求苛刻,最好能一塊電池支持設(shè)備整個生命周期,來從外界采集能量。而且實時采集到的更多數(shù)據(jù)要求內(nèi)存擦寫次數(shù)更多,對FLASH的壽命是個挑戰(zhàn),而鐵電讀寫速度比閃存提升100倍,而功耗節(jié)省250倍。

鐵電存儲器PB85RS2MC性能特征:

?容量:2M bit,接口類型:SPI接口(模式0和模式3)

?工作電壓:2.7伏至3.6伏,工作頻率:25兆赫茲

?功耗:4.8毫安(25兆赫茲),待機(jī)功耗9微安

?高速讀特性:支持40MHz高速讀命令

?工作環(huán)境溫度范圍:-40℃至85℃

?封裝形式:8引腳SOP寬體208mil封裝,符合RoHS

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

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