該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片中使用的存儲(chǔ)單元可用于 1E6 次讀/寫操作 *1，它的讀/寫耐久性大大超過(guò) FLASH 和 EEPROM，且不會(huì)像FLASH 或 EEPROM 那樣需要很長(zhǎng)的數(shù)據(jù)寫入時(shí)間，而且它不需要等待時(shí)間。
產(chǎn)品特點(diǎn)
容量 128Kb
接口類型 SPI接口(模式0和模式3)
工作電壓 2.7伏至3.6伏
工作頻率 25兆赫茲 功耗 4.2毫安（25兆赫茲）
低功耗 9微安（待機(jī)）
耐久度 1E6讀/寫（常溫），10 9/讀（常溫）
數(shù)據(jù)保持 10年@85℃（200年@25℃）
高速讀特性 支持 40MHz 高速讀命令
工作環(huán)境溫度范圍 -40℃至85℃
封裝形式 8引腳SOP封裝，符合RoHS
