MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備。該設(shè)備內(nèi)部配置2通道或1通道×16
I/O，每個(gè)通道具有8個(gè)組。
一般注意事項(xiàng) 危芯練戲：依叭溜溜寺山寺依武叭武，
在整個(gè)數(shù)據(jù)表中，圖形和文本將DQ稱為DQ。DQ應(yīng)解釋為任何或全部
DQ統(tǒng)稱，除非另有說明。
除非另有說明，否則DQS和CK應(yīng)分別解釋為DQS_t、DQS_c和CK_t、CK_c。
CA包括用于給定密度的所有CA引腳。
在時(shí)序圖中，CMD僅用作指示器。實(shí)際信號(hào)出現(xiàn)在CA[5:0]上。
VREF表示VREFCA和VREFDQ。
完整的功能可以在整個(gè)文檔中進(jìn)行描述。任何頁面或圖表都可以
已經(jīng)被簡化以傳達(dá)一個(gè)主題，并且可能不包括所有要求。
任何具體要求優(yōu)先于一般聲明。
此處未明確說明的任何功能均被視為未定義、非法、不受支持，并將
導(dǎo)致未知操作。
有關(guān)單端CK和DQS的功能或規(guī)格，請(qǐng)參閱LPDDR4X單端CK
DQS附錄
特點(diǎn)
本數(shù)據(jù)表適用于LPDDR4X和LPDDR4的統(tǒng)一
基于LPDDR4X信息的產(chǎn)品。至于
LPDDR4設(shè)置，請(qǐng)參閱通用LPDDR4規(guī)范
