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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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SGN3133-260L-R 雷達用高壓大功率GaN HEMT

型號： SGN3133-260L-R

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGN3133-260L-R
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產地 日本
  • 封裝 IV

--- 產品詳情 ---

SGN3133-260L-R

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260L-R為50V工作的s波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達200μsec脈沖寬度的長脈沖，占空比為10%。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGN3133-260L-R
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地                    日本
封裝                    IV


型號參數
高功率：320W（典型）@引腳=22.9W（43.6dBm）
高效率：57%（典型值）@引腳=22.9W（43.6dBm）
寬帶：3.1至3.3 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω


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