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標(biāo)簽 > HEMT
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GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì),但同時(shí)也存在一些缺...
2024-08-15 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體HEMT 1275 0
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì),如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí),這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì),因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開(kāi)關(guān)中,如電源、電機(jī)控制、工廠自動(dòng)化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
2023-11-09 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1593 0
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG),在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...
基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展
近期,美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵HEMT 173 0
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-31 標(biāo)簽:GaNHEMT 91 0
TP65H035G4WS場(chǎng)效應(yīng)管英文手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-03-31 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管HEMT 871 0
類別:射頻無(wú)線論文 2017-11-06 標(biāo)簽:微波HEMT 826 0
使用ADS系統(tǒng)設(shè)計(jì)35GHz HEMT壓控振蕩器立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2010-05-17 標(biāo)簽:ADSHEMT 938 0
搶先領(lǐng)??!高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦
高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗(yàn)證的白皮書共33頁(yè),被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件...
GaN HEMT正加速成為儲(chǔ)能市場(chǎng)主流
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度高等特...
隨著電動(dòng)汽車(EVs)的銷售量增長(zhǎng),整車OBC(車載充電器)的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此...
2023-12-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車GaNHEMT 1043 0
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...
利用 HEMT 和 PHEMT 改善無(wú)線通信電路中的增益、速度和噪聲
利用 HEMT 和 PHEMT 改善無(wú)線通信電路中的增益、速度和噪聲
CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
擁有系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識(shí),可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN...
AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...
CGD 將首次亮相中國(guó) PCIM Asia(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)),推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
誠(chéng)邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國(guó)際博覽中心參觀 2G18 展位 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...
CGD 與高品質(zhì)服務(wù)領(lǐng)航者 DigiKey 達(dá)成全球分銷協(xié)議
為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公...
ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...
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