電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）7月12日，北京通美晶體技術(shù)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：北京通美）科創(chuàng)板IPO成功過會(huì)。北京通美作為磷化銦襯底行業(yè)的巨頭之一，其2020年磷化銦襯底產(chǎn)品市場(chǎng)占有率位居全球第二
2022-07-15 08:10:00
5153 本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識(shí)
2011-11-03 17:45:134626 
松下與比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）共同開發(fā)出了全自動(dòng)小型基因檢測(cè)芯片。利用該芯片，1小時(shí)即可完成基因檢測(cè)。
2013-02-20 10:14:541112 藍(lán)碧石科技面向可穿戴設(shè)備，開發(fā)出可高達(dá)1W的無線供電芯片組“ML7661”（發(fā)射端）和“ML7660”（接收端）。
2021-11-25 10:45:594956 
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
，通常將光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸線更好等特點(diǎn)，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所有能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著傳輸速率要求，晶
2020-11-04 07:49:15
硅基光電子集成芯片，摩爾定律：摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月
2021-07-27 08:18:42
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
【作者】：李楊超;張銘;趙學(xué)平;董國(guó)波;嚴(yán)輝;【來源】：《納米科技》2010年01期【摘要】：采用射頻磁控濺射法制備了不同襯底溫度的CuCrO2薄膜,通過X射線衍射、掃描電鏡、紫外吸收光譜及電學(xué)性能
2010-04-24 09:00:59
問:為什么現(xiàn)在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？?jī)烧哂惺裁磪^(qū)別?。看?為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個(gè)方面來考慮：一個(gè)是材料和工藝問題；另一個(gè)是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā)，開發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
三星電子近日宣布成功開發(fā)出高質(zhì)量的CMOS圖像傳感器（CIS）芯片和照相機(jī)模組。該照相機(jī)模組有1/3英寸SXGA（130萬(wàn)像素）、1/5.8英寸VGA（33萬(wàn)像素）兩種規(guī)格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
TG傳輸門電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號(hào)改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場(chǎng)決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號(hào)變化無關(guān)?。《鴷险f起導(dǎo)通程度歲輸入信號(hào)的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
晶體管連在一起。IMEC的方法則將SRAM單元的電源線埋在硅襯底內(nèi)，然后利用節(jié)省出來的空間使關(guān)鍵的互連線更寬，從而降低導(dǎo)線電阻。在仿真中采用這種方法的SRAM存儲(chǔ)單元的讀取速度比采用傳統(tǒng)方法的SRAM
2020-05-11 15:40:48
日光燈管 T5/T8/T10…LED 球泡燈/玉米燈/蠟燭燈…其它小功率的 LED 照明[/tr][tr][/td][td]特點(diǎn)外圍電路簡(jiǎn)單，無需磁性元件支持可控硅調(diào)光應(yīng)用多芯片串聯(lián)或并聯(lián)應(yīng)用芯片可
2020-05-08 10:39:14
` 未來醫(yī)療電子的發(fā)展，勢(shì)必會(huì)需要具備能夠彎曲自如表面的新材料。為此，IMEC聲稱，已經(jīng)開發(fā)出一種能如皮膚般彎曲和伸展的電子電路?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IMEC位在根特大學(xué)(University of Ghent
2012-12-20 14:22:00
)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測(cè)試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
`常見LED芯片的特點(diǎn)分析: 一、MB 芯片 定義：Metal BONding (金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品。 特點(diǎn)： 1：采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底
2018-01-31 15:21:20
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
各位大佬，有沒有硅嘜陣列，或者硅嘜降噪的芯片不?就是有個(gè)芯片，或者方案，做了可以支持兩個(gè)MIC或者有算法在里面的
2021-04-23 10:21:47
IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來推動(dòng)。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設(shè)計(jì)中，采用硅襯底
2014-01-04 09:52:44
的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。 功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18
, EEG)耳機(jī)是由IMEC、松下(Panasonic)以及荷蘭Holst Centre共同開發(fā)。該耳機(jī)可連續(xù)記錄多達(dá)8個(gè)EEG訊號(hào)。另外，IMEC也宣佈，該機(jī)構(gòu)正與東京電子公司(Tokyo
2013-01-07 16:38:11
LOC（芯片級(jí)實(shí)驗(yàn)室）整合了多種化學(xué)處理和分析技術(shù)，用硅、玻璃、多晶硅材料加工制作，由于玻璃的性能比較穩(wěn)定，一般傾向于使用玻璃襯底，要解決的技術(shù)是廉價(jià)光源、檢測(cè)陣列和集成電子電路。微流體技術(shù)則指
2019-06-19 08:27:12
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
`供應(yīng)藍(lán)寶石襯底！深圳永創(chuàng)達(dá)科技有限公司 聯(lián)系電話***齊先生 網(wǎng)址www.yochda.com適用于外延片生產(chǎn)商與PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
美國(guó)Sandia國(guó)家實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的5層多晶硅表面硅MEMS集成工藝代表了這一方向的最高水平，它主要為軍方的項(xiàng)目提供表面加工服務(wù)。與CMOS集成的機(jī)電一體化技術(shù)發(fā)展：相對(duì)體硅工藝，表面工藝由于保持了襯底
2018-11-05 15:42:42
下面由佑澤小編帶你了解：1.MB芯片定義與特點(diǎn)定義：MetalBonding(金屬粘著）芯片；該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品。特點(diǎn)：1）采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底，散熱容易。Thermal
2017-12-22 09:43:34
請(qǐng)教，襯底的缺陷密度對(duì)結(jié)深有什么影響
2019-04-26 07:50:15
，N歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴(kuò)展距離，把擴(kuò)展電阻降至最小;第四步，將金屬化凸點(diǎn)的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管(ESD)的硅載體上。 3藍(lán)寶石襯底過渡法： 按照傳統(tǒng)
2018-08-31 20:15:12
成功地在100G云數(shù)據(jù)中心內(nèi)部署，可以與傳統(tǒng)的“芯片和線纜”分離解決方案競(jìng)爭(zhēng)。預(yù)計(jì)硅光子將隨著云提供商過渡到下一個(gè)400G比特率時(shí)獲得市場(chǎng)份額。集成的硅光子平臺(tái)解決方案在波特率不斷提高的情況下，具有優(yōu)于
2020-12-05 10:33:44
IMEC推動(dòng)軟件定義無線電技術(shù)進(jìn)程，開發(fā)人員首次演示高速通用平臺(tái)
IMEC宣布一款可處理用于各類廣域網(wǎng)和局域網(wǎng)的一系列先進(jìn)的前向糾錯(cuò)技術(shù)的芯片。該歐洲研發(fā)小組意在推
2008-10-22 08:28:00545 索尼開發(fā)出無水銀紐扣式電池
索尼公司發(fā)表的消息說，該公司最近開發(fā)出世界第一枚超小型鈕扣
2009-10-23 09:16:301016 Edison開發(fā)出天井燈模塊，應(yīng)用范圍廣泛
Edison Opto公司近日開發(fā)出天井燈模塊，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)照明、廣場(chǎng)照明與賣場(chǎng)倉(cāng)儲(chǔ)等。
采用艾笛森光電專有的LED照
2009-12-30 08:37:48571 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別
2010-02-10 09:40:501091 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 芯?？萍?b class="flag-6" style="color: red">開發(fā)出低功耗SoC衡器計(jì)量
芯片
深圳芯海科技公司近日宣布推出低功耗SoC衡器計(jì)量
芯片CSU11xx系列，包括CSU1182、CSU1181、及CSU1100三款產(chǎn)品?？山档碗娮?/div>
2010-02-22 10:10:261059 IMEC、瑞薩、M4S推出可重配置多標(biāo)準(zhǔn)無線收發(fā)器
IMEC、株式會(huì)社瑞薩科技（以下簡(jiǎn)稱瑞薩）、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電
2010-03-01 11:14:01860 日本開發(fā)出氟類電解液
作為日本NEDO（新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)）新一代車用蓄電池開發(fā)項(xiàng)目的一環(huán)，大金工業(yè)與關(guān)西大學(xué)
2010-04-02 11:55:00997 LED襯底材料有哪些種類
對(duì)于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:254039 歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC（比利時(shí)魯汶）日前宣布，已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件（PDK），這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包，IMEC表示。
2012-03-09 08:54:16895 北京時(shí)間5月21日消息，三星電子成功開發(fā)出可生產(chǎn)比原有半導(dǎo)體芯片速度快百倍以上的芯片的新型基礎(chǔ)元件。
2012-05-22 14:19:364265 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)哥倫比亞大學(xué)一項(xiàng)新研究證明石墨烯具有卓越的非線性光學(xué)性能，并據(jù)此開發(fā)出一種石墨烯-硅光電混合芯片。這種硅與石墨烯的結(jié)合，讓人們離超低功耗光
2012-07-19 09:25:352490 比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 傳感器芯片。根據(jù)在布魯塞爾舉行的年度IMEC技術(shù)論壇（ITF Brussels 2016）上公布的協(xié)議，英飛凌與IMEC將攜手開發(fā)針對(duì)汽車?yán)走_(dá)應(yīng)用的高度集成型CMOS工藝79 GHz傳感器芯片。
2016-06-01 10:41:07693 芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍(lán)，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍(lán)寶石作為襯底材料
2016-11-05 08:19:156265 芯片圖解 為了避免正裝芯片中因電極擠占發(fā)光面積從而影響發(fā)光效率，芯片研發(fā)人員設(shè)計(jì)了倒裝結(jié)構(gòu)，即把正裝芯片倒置，使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出（襯底最終被剝?nèi)ィ?b class="flag-6" style="color: red">芯片材料是透明的），同時(shí)，針對(duì)倒裝設(shè)計(jì)出方便LED封裝廠焊線的結(jié)構(gòu)
2017-09-29 17:18:43
72 美國(guó)北達(dá)卡他州立大學(xué)（NDSU）的研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種嵌入超薄無源RFID芯片在紙或其他柔性基板的方法。該方法可以生產(chǎn)出具備RFID功能的紙張，比傳統(tǒng)的打印標(biāo)簽或其它任何形式的RFID標(biāo)簽都更節(jié)省
2017-12-07 14:32:01187 IMEC和ADI的目標(biāo)為開發(fā)具全新感測(cè)功能，或感測(cè)功能大幅提升的低功耗設(shè)備。雙方長(zhǎng)期以來已合作開發(fā)高性能、低功耗、高成本效益的電路和系統(tǒng)，目前則在共同進(jìn)行兩項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃。
2017-12-12 15:44:326296 據(jù)外媒報(bào)道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已經(jīng)開發(fā)出1300 nm波段的近紅外芯片。Dowa表示，該新型芯片尺寸是之前型號(hào)的3.5倍，其輸出功率為6.8 mW。據(jù)稱，Dowa已經(jīng)開始為該新型芯片提供樣品。
2018-09-10 11:20:004637 歐洲微電子中心IMEC與硬蛋科技近日簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將在深圳成立IMEC硬蛋微電子創(chuàng)新中心。
2018-05-11 14:47:554225 
地球上除了IBM、英特爾、臺(tái)積電、三星具有強(qiáng)大的半導(dǎo)體工藝研發(fā)技術(shù)實(shí)力之外，比利時(shí)微電子中心IMEC也是全球知名的半導(dǎo)體研發(fā)中心，國(guó)內(nèi)的14nm FinFET工藝就是跟他們合作的。
2018-05-29 15:10:002075 
從結(jié)構(gòu)圖中看出，si襯底芯片為倒裝薄膜結(jié)構(gòu)，從下至上依次為背面Au電極、si基板、粘接金屬、金屬反射鏡（P歐姆電極）、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結(jié)構(gòu)芯片電流垂直分布，襯底熱導(dǎo)率高，可靠性高；發(fā)光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結(jié)構(gòu)，取光效率高。
2018-08-17 15:11:393864 據(jù)外媒報(bào)道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已經(jīng)開發(fā)出1300 nm波段的近紅外芯片。
2018-09-14 16:06:174907 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251 厭倦了在小智能手表屏幕上點(diǎn)擊圖標(biāo)？有朝一日，得益于IMEC在其比利時(shí)研發(fā)中心開發(fā)的手勢(shì)識(shí)別技術(shù)和小型化雷達(dá)技術(shù)，你將可以直接在空中滑動(dòng)就完成指令。
2019-06-05 16:49:093556 MIT的研究人員開發(fā)出一種新型 “光子” 芯片，它使用光而不是電，并且在此過程中消耗相對(duì)較少的功率。
2019-06-12 09:23:463525 LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為L(zhǎng)ED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 比利時(shí)魯汶（ChipWire） - 消費(fèi)電子和半導(dǎo)體巨頭皇家飛利浦電子公司研究機(jī)構(gòu)飛利浦研究院將開放位于這里的獨(dú)立微電子研究與開發(fā)中心Interuniversity Microelectronics
2019-08-12 17:56:103156 Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時(shí)魯汶的微電子研發(fā)中心共同開發(fā)新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:107843 IMEC提出了一種扇形晶圓級(jí)封裝的新方法，可滿足更高密度，更高帶寬的芯片到芯片連接的需求。 IMEC的高級(jí)研發(fā)工程師Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系統(tǒng)集成計(jì)劃的項(xiàng)目總監(jiān)Eric Beyne介紹了該技術(shù)，討論了主要的挑戰(zhàn)和價(jià)值，并列出了潛在的應(yīng)用。
2019-08-16 07:36:003835 
看好在智能型手機(jī)全屏幕化趨勢(shì)下，晶電開發(fā)出能讓混光區(qū)域趨近于零的芯片，能更省電、光效也更好，差異化產(chǎn)品讓晶電打進(jìn)多家手機(jī)大廠，其中，又以陸系品牌廠貢獻(xiàn)量最大；手機(jī)訂單提升，晶電來自手機(jī)營(yíng)收占比從不到5％，提升到近一成。
2019-10-01 16:50:001964 本周，ARM和臺(tái)積電宣布，基于臺(tái)積電最先進(jìn)的CoWoS晶圓級(jí)封裝技術(shù)，開發(fā)出7nm驗(yàn)證芯片（Chiplet小芯片）。
2019-09-29 15:44:022862 紅外探測(cè)器應(yīng)用非常廣泛，而imec的新技術(shù)將極大地?cái)U(kuò)展其應(yīng)用可能，包括安防監(jiān)視、生物識(shí)別、虛擬/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（VR/AR）、機(jī)器視覺以及工業(yè)自動(dòng)化等。
2019-11-09 10:05:50968 2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠的用量最多降至原來的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583228 比利時(shí)的獨(dú)立半導(dǎo)體高科技研究機(jī)構(gòu)imec每年都會(huì)在東京舉辦該公司的年度研究介紹活動(dòng)“ imec技術(shù)論壇（日本）”，由于疫情原因，今年以在線形式于舉行。
2020-11-29 09:46:331848 據(jù)報(bào)道，武漢大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 ? 在去年六月舉辦的IEEE Symposium on VLSI Technology會(huì)議上，IMEC展示了基于N14工藝開發(fā)的單片集成CFET器件，由于N/P之間更加緊湊，相比較“順序法”制備
2021-01-08 09:32:564000 日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動(dòng)態(tài)AGE-ing”技術(shù)，這是一種表面納米控制工藝技術(shù)，可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083028 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392334 近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:384490 目前，IBM已開發(fā)出全球首個(gè)2nm芯片，這種新型2nm芯片所體現(xiàn)的IBM創(chuàng)新對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體和IT行業(yè)至關(guān)重要，能夠在指甲大小的芯片上容納多達(dá)500億個(gè)晶體管，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)了重大的突破。
2022-06-24 09:52:421762 IBM宣布已開發(fā)出全球首個(gè)2nm工藝的半導(dǎo)體芯片,采用三層GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續(xù)航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 適合大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底之一，由于其機(jī)械斷裂強(qiáng)度一般，應(yīng)用時(shí)需要合金屬底板配合使用。三、氧化鈹（BeO）
2022-11-18 12:01:381279 在其擴(kuò)展路線圖中，imec 為芯片技術(shù)的未來提出了一條替代路徑，在架構(gòu)、材料、晶體管的新基本結(jié)構(gòu)以及……范式轉(zhuǎn)變方面進(jìn)行了根本性的改變。到 2036 年，imec 路線圖將使我們從 7 nm 到 0.2 nm 或 2 ?ngstr?m，保持兩到兩年半的介紹速度。
2023-02-06 16:01:52585 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:081130 imec指出，IC制造衍生的二氧化碳排放量預(yù)計(jì)在未來10年增長(zhǎng)4倍，一來是先進(jìn)制程技術(shù)漸趨復(fù)雜，二來晶圓總產(chǎn)量增加; 為逆轉(zhuǎn)未來局勢(shì)，領(lǐng)先業(yè)界的半導(dǎo)體大廠已承諾在2030至2050年前達(dá)到碳中和或凈零。
2023-03-20 09:58:31560 IMEC IMEC總部設(shè)在比利時(shí)魯汶（Leuven, Belgium）,雇員超過一千七百名，包括超過三百五十名常駐研究員及客座研究員。IMEC有一條0.13微米8寸試生產(chǎn)線并已通過ISO9001認(rèn)證。
2023-05-22 16:19:16849 
松下與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)共同開發(fā)出了1小時(shí)即可完成檢測(cè)的全自動(dòng)小型基因檢測(cè)芯片。該芯片可利用數(shù)μL血液來檢測(cè)SNP(Single Nucleotide Polymorphism，單核苷酸多性態(tài))等基因信息。
2023-08-01 21:29:03611 Imec表示，雖然升級(jí)單片設(shè)計(jì)是一個(gè)漫長(zhǎng)的過程，但更換或添加小芯片應(yīng)該像將黃色樂高積木換成藍(lán)色樂高積木一樣簡(jiǎn)單。它可能發(fā)生在車輛的使用壽命期間。這使OEM有機(jī)會(huì)構(gòu)建可靠而靈活的電子架構(gòu)，該架構(gòu)具有基本功能小芯片，并在同一封裝中通過特定工作負(fù)載的小芯片進(jìn)行了增強(qiáng)。
2023-09-08 16:51:42387 SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:031123 
據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54515 臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 來源：《半導(dǎo)體芯科技》 納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心imec已經(jīng)推出了公眾可以免費(fèi)訪問的imec.netzero虛擬工廠版本。該工具提供了IC制造對(duì)環(huán)境影響的量化視圖，為學(xué)者、政策制定者和設(shè)計(jì)人
2024-02-26 12:15:3875 
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