3D NAND仍然是其主要閃存產(chǎn)品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發(fā)轉(zhuǎn)向批量生產(chǎn)，現(xiàn)在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:55
5462 圖片來(lái)源：聯(lián)電 12月2日，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體代工廠聯(lián)電（UMC）宣布，在首次成功使用硅技術(shù)之后，其22nm制程技術(shù)已準(zhǔn)備就緒。 該公司稱，全球面積最小、使用22nm制程技術(shù)的USB 2.0通過(guò)硅驗(yàn)證
2019-12-03 09:59:414518 資料來(lái)源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競(jìng)局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領(lǐng)先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。
2011-01-26 22:22:052197 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 07:56:012534 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
2018-07-17 10:15:014509 提升, 已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。慧榮科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 的性能，現(xiàn)在的電子產(chǎn)品對(duì)于續(xù)航有著較為苛刻的要求，而制程工藝的進(jìn)步是驅(qū)動(dòng)芯片升級(jí)的重要?jiǎng)恿ΑＲ苍S在7nm之后，還會(huì)有3nm甚至更加先進(jìn)的制程工藝出現(xiàn)，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的使用性能。今天科普文先到這里，歡迎
2019-12-10 14:38:41
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
，25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到
2022-01-22 07:59:46
量產(chǎn)，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技術(shù)；美光NAND Flash營(yíng)銷總監(jiān)Kevin Killbuck指出，隨著內(nèi)嵌式
2022-01-22 08:05:39
S26KL512SDABHB020閃存芯片S26KS512SDGBHB030 前兩天西部數(shù)據(jù)召開了一個(gè)會(huì)議，主要討論關(guān)于與東芝合作的各項(xiàng)協(xié)議細(xì)則，而西部數(shù)據(jù)在會(huì)議上還報(bào)告了BiCS 3和BiCS 4
2022-02-03 11:41:35
不同的是Spansion的MID與另外兩個(gè)不一樣，然后又深入了解。原來(lái)Hynix 32nm晶圓直供給Spansion與JSC（濟(jì)州半導(dǎo)體），但Spansion是以專利協(xié)議從海力士進(jìn)行購(gòu)買，而海力士把余下的晶圓
2018-01-10 09:55:21
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
封裝測(cè)試所有環(huán)節(jié)的純國(guó)產(chǎn)化和自主化，并已成功量產(chǎn)，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)SLCNANDFlash產(chǎn)品正式邁入24nm先進(jìn)制程工藝時(shí)代。該創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品有助于進(jìn)一步豐富兆易創(chuàng)新的存儲(chǔ)類產(chǎn)品線，為客戶提供更優(yōu)化的大容量代碼存儲(chǔ)解決方案。
2020-11-26 06:29:11
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
/讀取代碼（比如apps/././sqi/flash_read_dma_mode等）。微芯片關(guān)于釋放數(shù)據(jù)FSSST26VF040B SQI和諧驅(qū)動(dòng)支持？2）是否有人成功地開發(fā)了SQI閃存驅(qū)動(dòng)器來(lái)實(shí)現(xiàn)和諧？謝爾斯科夫
2019-10-11 08:15:07
請(qǐng)問(wèn)工程師，C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎？
2020-06-17 14:41:57
成為雙模藍(lán)牙芯片的重要工藝節(jié)點(diǎn)。銳成芯微基于多年的射頻技術(shù)積累，在22nm工藝成功開發(fā)出雙模藍(lán)牙射頻IP，適用于藍(lán)牙耳機(jī)、藍(lán)牙音箱、智能手表、智能家電、無(wú)線通訊、工業(yè)控制等多種物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景。此次銳成
2023-02-15 17:09:56
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 韓國(guó)三星電子公司周一說(shuō)，它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂(lè)播放
2006-03-13 13:05:36389 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量?jī)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤
2010-01-08 17:15:13988 Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
韓國(guó)內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備，可在
2010-01-14 16:58:051015 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過(guò)華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)
2010-02-02 18:00:12782 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別
2010-02-10 09:40:501091 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511087 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對(duì)快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632 英特爾今天宣布發(fā)布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號(hào)，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(shù)(High Endurance Technology)，是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。
2011-09-15 09:28:331450 瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797 SanDisk NAND閃存部門今天宣布公司將開始生產(chǎn)128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結(jié)構(gòu)，尺寸為0.26平方英寸，比一個(gè)一便士硬幣還要小，而傳輸速率可
2012-02-23 10:44:06847 
TDK株式會(huì)社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過(guò)多芯片封裝技術(shù)（MCP）、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA（SATA） 3Gbps SSD。
2012-03-23 08:23:38969 嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司今日宣布其首個(gè)單層單元（SLC）系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專門用于汽車、消費(fèi)及網(wǎng)
2012-05-29 08:55:471159 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（IMECAS）宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出，中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。
2012-12-26 09:01:491655 比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 2016年12月7日，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)今日宣布成功開發(fā)出全球首款(注1)分離閘金屬氧化氮氧化硅(SG-MONOS，注2)閃存
2016-12-19 10:11:43820 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過(guò)堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:11991 2017年7月27日，北京—西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ： WDC）今天宣布，該公司已成功開發(fā)用于64層3D NAND （BiCS3）的X4閃存。在西部數(shù)據(jù)過(guò)去成功開發(fā)創(chuàng)新和商品化X4 2D NAND
2017-07-26 16:07:11848 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393395 
Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 在SK Hynix的72層（72L） TLC NAND快閃存儲(chǔ)器中，所謂的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）單元，是利用管線式（pipe）閘極連結(jié)每一個(gè)
2018-06-21 12:23:002150 
據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 東芝宣布已經(jīng)進(jìn)行開發(fā)擁有當(dāng)前最高容量的閃存芯片原型，單顆芯片就能有著 1.33Tb（或 166GB）的容量??這是利用他們的 96 層 QLC 3D NAND 技術(shù)，對(duì)比現(xiàn)在主流的 TLC 只有
2018-08-13 17:27:003673 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個(gè)NAND
2018-08-29 11:10:008278 
據(jù)外媒報(bào)道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已經(jīng)開發(fā)出1300 nm波段的近紅外芯片。
2018-09-14 16:06:174907 2018年11月5日，華潤(rùn)微電子有限公司（“華潤(rùn)微電子”）旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布，公司已成功開發(fā)出第三代0.18微米BCD工藝平臺(tái)。新一代BCD工藝平臺(tái)在降低導(dǎo)通電
2018-11-06 16:44:336002 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成，該技術(shù)
2019-04-18 20:48:54272 華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:383721 SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:205458 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822 本周，ARM和臺(tái)積電宣布，基于臺(tái)積電最先進(jìn)的CoWoS晶圓級(jí)封裝技術(shù)，開發(fā)出7nm驗(yàn)證芯片（Chiplet小芯片）。
2019-09-29 15:44:022862 瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動(dòng)駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 眾所周知，臺(tái)積電目前最先進(jìn)的是7nm+Euv工藝制程，也是目前全球最領(lǐng)先的芯片制造技術(shù)，新款的麒麟990 5G芯片就是源自臺(tái)積電的技術(shù)，指甲蓋大小的芯片里面內(nèi)置超100億個(gè)晶體管，華為首次將5G
2019-12-12 17:33:2222888 在NAND閃存市場(chǎng)，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來(lái)的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:141632 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國(guó)大連的NAND SSD部門，NAND部件
2020-10-21 14:30:372095 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571856 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122027 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來(lái)說(shuō)，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580 據(jù)外媒最新報(bào)道，三星宣布，3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片! 據(jù)悉，三星的3nm制程采用的是GAA架構(gòu)，性能上完勝臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)! 據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星在3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444315 2021年5月6日，IBM宣布，該公司已開發(fā)出全球首個(gè)采用2nm技術(shù)的芯片，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)了突破。
2022-06-22 11:21:203066 目前，IBM已開發(fā)出全球首個(gè)2nm芯片，這種新型2nm芯片所體現(xiàn)的IBM創(chuàng)新對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體和IT行業(yè)至關(guān)重要，能夠在指甲大小的芯片上容納多達(dá)500億個(gè)晶體管，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)了重大的突破。
2022-06-24 09:52:421762 現(xiàn)階段全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm工藝制程上，臺(tái)積電、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息。
2022-06-27 16:55:3811543 IBM已成功研發(fā)出了全球首款2nm EUV工藝的半導(dǎo)體芯片。
2022-06-28 16:17:131065 臺(tái)積電2nm芯片什么時(shí)候研發(fā)出來(lái)的？去年五月份，美國(guó)企業(yè)IBM推出了全球首個(gè)2nm芯片制造技術(shù)，2nm芯片在市場(chǎng)掀起風(fēng)起云涌。早在去年下半年，臺(tái)積電就實(shí)現(xiàn)了5nm芯片的量產(chǎn)，而它的下一個(gè)目標(biāo)就是3nm和2nm制程。
2022-06-29 09:54:491081 2nm是目前芯片行業(yè)最先進(jìn)的制程，雖然還沒(méi)有一家企業(yè)能夠量產(chǎn)2nm芯片，但已經(jīng)有不少企業(yè)開始了2nm工藝的相關(guān)研發(fā)。 臺(tái)積電和三星都已計(jì)劃好在2025年左右實(shí)現(xiàn)2nm制程工藝的量產(chǎn)，而美國(guó)和日本
2022-06-30 10:01:392423 。 成功是指IBM確確實(shí)實(shí)已經(jīng)研發(fā)出了2nm芯片，還沒(méi)成功指的是IBM雖然研發(fā)出了2nm芯片，但還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并不能真正的投入到生產(chǎn)當(dāng)中去，并且我國(guó)中科院也僅僅只是攻克了兩項(xiàng)2nm關(guān)鍵技術(shù)而已，還有很多方面的技術(shù)需要繼續(xù)研發(fā)。 雖然到現(xiàn)在為止還沒(méi)有廠商
2022-07-04 10:26:212307 IBM宣布已開發(fā)出全球首個(gè)2nm工藝的半導(dǎo)體芯片,采用三層GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續(xù)航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 臺(tái)積電完成了3nm工藝，然而早在去年IBM公司就已經(jīng)宣布研制出了2nm芯片，要知道三星和臺(tái)積電是全球最頂尖的兩家晶圓代工企業(yè)，他們都只在今年才進(jìn)入3nm制程，IBM公司的2nm芯片是真的嗎？ IBM公司的2nm芯片是真的，不過(guò)IBM成功研制出2nm芯片和三星成功量產(chǎn)
2022-07-07 10:17:583921 TLC是當(dāng)今使用最廣泛的閃存，盡管市場(chǎng)上有每單元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考慮增加層數(shù)和每個(gè)單元的位數(shù)。
2023-03-14 12:27:17340 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 除了中興通訊和華為之外，國(guó)內(nèi)還有其他擁有自研芯片設(shè)計(jì)和開發(fā)能力的公司。例如，小米旗下的松果電子于2017年發(fā)布了其首款自研芯片澎湃S1。雖然與7nm芯片相比，澎湃S1采用的制造工藝是10nm或14nm，但這一成果仍然顯示了松果電子在芯片設(shè)計(jì)和開發(fā)領(lǐng)域的實(shí)力。
2023-08-30 17:11:309506 已成功流片。 3NM制程天璣旗艦芯片量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)在2024年，2024年下半年會(huì)正式上市。業(yè)內(nèi)估計(jì)3NM的MediaTek旗艦芯片型號(hào)應(yīng)該不是今年上市的天璣9300，天璣9300可能采用
2023-09-08 12:36:131373
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