20nm能讓我們超越什么？對(duì)于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會(huì)帶給我們什么樣的科技進(jìn)步？20nm FPGA背后到底蘊(yùn)藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:34
1317 臺(tái)積電（TSMC）的高管對(duì)即將來臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷售信心滿滿，臺(tái)積電CEO張忠謀上周就曾做過一個(gè)預(yù)測，他說最新的20nm工藝芯片2014年的成績會(huì)比先前28nm芯片頭兩年賣得還要好。
2013-01-23 08:57:45699 賽靈思公司今天宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的28nm突破性技術(shù)基礎(chǔ)之上，在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領(lǐng)先一代的優(yōu)勢。
2013-01-31 15:52:16893 臺(tái)積電的20nm芯片生產(chǎn)設(shè)施或?qū)⑴c本月20日開始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進(jìn)入量產(chǎn)。
2013-04-07 09:41:26910 三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭，無論誰領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場上，臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:491675 近日，***進(jìn)一步削減其2013年上網(wǎng)電價(jià)補(bǔ)貼，削減幅度為9.23%至11.88%，而同時(shí)將其太陽能發(fā)電裝機(jī)容量目標(biāo)提高30%?！ ?jù)***媒體報(bào)道，***經(jīng)濟(jì)部能源局（BureauofEnergy
2012-12-04 19:50:52
，二階段試驗(yàn)完成。二是進(jìn)一步加大技術(shù)研發(fā)、開放合作、融合創(chuàng)新的力度，在ITU和3GPP的框架下，積極推動(dòng)形成全球統(tǒng)一的5G標(biāo)準(zhǔn)，與國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界共同推動(dòng)移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
2019-01-13 15:23:13
的傳輸速率，更因簡化了糾錯(cuò)算法，進(jìn)而降低了功耗，一舉數(shù)得。進(jìn)一步凸顯了成本效益。3D NAND FLASH是現(xiàn)在和未來，19nm 的2D NAND FLASH是過去和現(xiàn)在。目前，在車規(guī)的應(yīng)用中，旺宏有
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
一步一步教你開發(fā)嵌入式linux應(yīng)用程序
2012-08-13 16:15:18
及設(shè)備用電安全的需要，更進(jìn)一步提高電源的可靠性，及時(shí)發(fā)現(xiàn)供電隱患，提高設(shè)備的運(yùn)行壽命，對(duì)電源進(jìn)行在線管理已經(jīng)成為普遍的需求。針對(duì)早期的UPS電源的RS232標(biāo)準(zhǔn)，已經(jīng)無法滿足目前計(jì)算機(jī)硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
進(jìn)一步理解量子力學(xué)經(jīng)典理論與應(yīng)用 多方面豐富相關(guān)圖表為了進(jìn)一步深入理解量子力學(xué)理論經(jīng)典及其應(yīng)用，從多個(gè)方面豐富內(nèi)容，附圖頁碼一致，符合國際標(biāo)準(zhǔn)。聲學(xué)，聲波自然現(xiàn)象，以及經(jīng)典原子理論的應(yīng)用等對(duì)理解量子力學(xué)經(jīng)典之波的概念有益。大灣區(qū)2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
讓我們進(jìn)一步聆聽大師對(duì)量子力學(xué)歸屬的現(xiàn)代物理的解說，及其常用圖表iii（待續(xù)3）“現(xiàn)代物理”術(shù)語通常指的是二十世紀(jì)物理學(xué)快速的概念發(fā)展。相對(duì)的，在1900年之前艱辛地發(fā)明的所有的物理學(xué)都標(biāo)記
2020-06-28 17:48:16
已經(jīng)在友好的ARM中開發(fā)了android布局，以顯示M24LR內(nèi)存中的溫度和消息。我想知道如何進(jìn)一步開發(fā)工作應(yīng)用程序。 是CR95HF DLL文件有幫助嗎。 我們檢查了PC軟件，NFC＆amp; amp;的可用代碼。數(shù)據(jù)記錄器應(yīng)用程序。#software＃raspberry-pi＃cr95hf
2019-08-22 11:10:49
適合對(duì)C語言有一定基礎(chǔ)積累的童鞋 想進(jìn)一步學(xué)習(xí)C語言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
專家：1、這個(gè)指標(biāo)的紋波是否在設(shè)計(jì)許可的范圍之內(nèi)？在一般情況下，DC-DC電源轉(zhuǎn)換的紋波在一個(gè)什么范圍內(nèi)可以認(rèn)為是正常的？2、從原理圖上，pcb圖上，這個(gè)設(shè)計(jì)是否還能夠進(jìn)一步優(yōu)化降低紋波？還請指出。
2014-10-28 15:59:25
你好E4406A有問題----當(dāng)我啟動(dòng)時(shí) - 設(shè)備按我的意愿啟動(dòng)自動(dòng)對(duì)齊，但是當(dāng)它達(dá)到adc對(duì)齊時(shí)它不會(huì)更進(jìn)一步。根本沒有消息。可以用abort終止它，并且分析儀似乎正常工作---- ??我可以用
2018-12-28 16:06:57
我有一個(gè)設(shè)計(jì)，生成一堆以下消息：錯(cuò)誤：包：1107- 包無法將下面列出的符號(hào)組合成單個(gè)IOB組件，因?yàn)樗x的站點(diǎn)類型不兼容。但他們沒有進(jìn)一步的信息說明哪些符號(hào)。我還有一堆尚未連接的符號(hào)。是否由于斷開
2018-10-15 11:45:18
SOP位移傳感器防水功能將進(jìn)一步提高位移傳感器應(yīng)用的行業(yè)越來越廣，使用的環(huán)境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環(huán)境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進(jìn)一步降低待機(jī)模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
你好，我有一個(gè)小問題。我使用100m時(shí)鐘芯片。每個(gè)時(shí)鐘只有10ns，ad9106寄存器的最小輸出波形只有100Hz。如何將波形頻率設(shè)置為進(jìn)一步降低到10Hz？我已將配置設(shè)置為相關(guān)寄存器的最大值。拍
2023-12-01 06:12:19
imx_pll1416x_tbl 還報(bào)告了額外的時(shí)鐘頻率。
是否可以在 opp-table 中引入這些額外的頻率以進(jìn)一步降低時(shí)鐘頻率？
如果是，哪些值應(yīng)該用于屬性 opp-microvolts、opp-supported-hw、clock-latency-ns？
2023-04-23 11:14:12
借這個(gè)機(jī)會(huì)，申請這塊開發(fā)版，便于日常學(xué)習(xí)，而且我即將大四了，希望用這塊開發(fā)版能更進(jìn)一步的學(xué)習(xí)，一則方便之后的課設(shè)，二則便于找工作，三則嵌入式也是自己敢興趣。衷心希望能獲得這次機(jī)會(huì)，謝謝。項(xiàng)目描述：之前
2015-06-24 17:06:36
【OK210試用體驗(yàn)】u-boot篇 -- u-boot進(jìn)一步定制 從u-boot單板的自定義，到SPL的移植，都還沒有完全定制出自己的S5PV210單板信息，還是摻雜著S5PC100
2015-09-07 11:38:52
項(xiàng)目名稱：進(jìn)一步深入學(xué)習(xí)紫外線的檢測試用計(jì)劃：我以前自己動(dòng)手做過紫外線的檢測傳感器，可是制作出來的傳感器受干擾十分嚴(yán)重，通過光譜分析之后發(fā)現(xiàn)，是因?yàn)槲宜x用的濾光片達(dá)不到要求性能。所以一直想找個(gè)機(jī)會(huì)重新學(xué)習(xí)一下，對(duì)紫外線的檢測原理。細(xì)致的完成整個(gè)系統(tǒng)的分析，進(jìn)而吸收這個(gè)板子所含的學(xué)問。謝謝。
2017-04-10 15:41:43
項(xiàng)目名稱：進(jìn)行進(jìn)一步學(xué)習(xí)和研究試用計(jì)劃：此前一直從事單片機(jī)開發(fā)，想進(jìn)一步深入學(xué)習(xí)各種MCU，看到有此活動(dòng)，特來申請。也為下一步項(xiàng)目無人機(jī)攝像頭驅(qū)動(dòng)選擇合適的芯片。
2020-04-23 10:36:17
【單片機(jī)開發(fā)300問】怎樣進(jìn)一步降低功耗功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個(gè)重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機(jī)本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時(shí)工作電流小于2mA）。為進(jìn)一步降低
2011-12-07 13:59:56
今年7月，東南大學(xué)有序物質(zhì)科學(xué)研究中心研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一類新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達(dá)到了傳統(tǒng)無機(jī)壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產(chǎn)品體積進(jìn)一步縮小、彎折衣服就可對(duì)手機(jī)充電等應(yīng)用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優(yōu)勢？
2020-08-19 07:58:38
兆易創(chuàng)新推出全國產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47
初學(xué)linux，安裝了Ubuntu系統(tǒng)界面，請教該如何進(jìn)一步快速學(xué)習(xí)，大家有什么好的初學(xué)的資料分享一下，謝謝啦
2015-08-24 18:39:29
初學(xué)者除了學(xué)好書本上的基本知識(shí)外，如何能進(jìn)一步學(xué)習(xí)Protel
2017-03-03 09:19:29
替代品的需求日益高漲。那么，首先簡單介紹一下疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)。如圖所示，涂有粉狀陶瓷材料的片狀電介質(zhì)與電極組成重疊交替的結(jié)構(gòu)。為使大家進(jìn)一步了解結(jié)構(gòu)與靜電電容的關(guān)系，使用以下公式來說明。從公式中可以
2018-12-03 14:35:18
各路神仙，我想問下在寫flash擦除命令字 ‘60’之前 。要不要寫使能命令“06”
2020-06-15 06:59:52
（使用FPGA引腳和DAC）任何人都可以給出一些答案如何進(jìn)一步使用以上兩個(gè)文件查看DSO上的輸出 提前感謝你Counter.v 3 KB以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hello to all
2019-07-03 08:41:24
各位大俠好，最近公司要求將CC2640R2模塊的功耗進(jìn)一步縮減，我應(yīng)公司要求做了一個(gè)最簡電路，目前外圍電阻、電位器、LED等繁雜的元件已盡數(shù)砍掉，現(xiàn)在測量出僅中心的綠板CC2640R2模塊待機(jī)功耗在
2019-10-21 10:02:32
如何進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)RFID的安全隱私保護(hù)？
2021-05-26 06:09:27
時(shí)間為9:00到11:00），也可以刷卡打開閘機(jī)。閘機(jī)配有發(fā)卡器和讀卡器。請問附件中的通訊協(xié)議是屬于TCP/IP協(xié)議嗎？如果方便遠(yuǎn)端的計(jì)算機(jī)控制閘機(jī)，是不是要進(jìn)一步封裝附件中的通訊協(xié)議呢？例如，建立一個(gè)
2017-12-08 00:26:24
GN1302 晶振引腳連接 2 個(gè) 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進(jìn)一步提高精度?時(shí)鐘每天慢 4 秒是因?yàn)榫д竦耐獠控?fù)載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負(fù)載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43
一、引言內(nèi)存是嵌入式系統(tǒng)中的關(guān)鍵資源，內(nèi)存占用主要是指軟件系統(tǒng)的內(nèi)存使用情況。本篇博客將介紹如何分析內(nèi)存使用以便進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)存占用相關(guān)的基礎(chǔ)概念和相關(guān)工具。二、內(nèi)存占用內(nèi)存占用是應(yīng)用程序運(yùn)行時(shí)
2021-12-15 06:05:33
如何讓計(jì)算機(jī)視覺更進(jìn)一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
傳感器為震動(dòng)速度傳感器，待提取信號(hào)頻率0.1~200Hz ,幅度幾十uV，原來采用AD620放大，現(xiàn)在希望進(jìn)一步降低功耗與噪聲，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
網(wǎng)絡(luò)時(shí)間協(xié)議NTP是什么意思？NTP授時(shí)的原理是什么？怎樣去進(jìn)一步提高NTP的授時(shí)精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、電視手機(jī)。這些采用多種RF技 術(shù)的手機(jī)在提供便利的同時(shí)也使得手機(jī)的設(shè)計(jì)變得復(fù)雜，如何進(jìn)一步集成射頻元件也變得至關(guān)重要。
2019-08-27 08:33:19
級(jí)放大再加給AD7714時(shí)，測得人分辨率還要低一些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號(hào)，該信號(hào)相對(duì)來說很穩(wěn)定，而且板上的噪聲也不是太大。請問各位大蝦，還有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率??？不勝感激！
2023-12-25 06:33:32
IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來推動(dòng)。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設(shè)計(jì)中，采用硅襯底
2014-01-04 09:52:44
軟件還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。。。它的性能被進(jìn)一步提升，使用起來比之前任何時(shí)候都要簡單。首先，在WEBENCH? Filter Designer登錄頁內(nèi)，你可以輕松進(jìn)入濾波器設(shè)計(jì)工具軟件。圖1顯示的是你的第一個(gè)濾波器
2018-09-04 14:59:10
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
C6748通過攝像頭采集的圖像如何進(jìn)一步處理，比如如何導(dǎo)入到MATLAB里面處理？？
2018-07-25 06:23:56
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)？
2023-10-18 06:53:31
LSI推出新型MegaRAID控制卡和主機(jī)總線適配器，進(jìn)一步擴(kuò)展6Gb/s SAS產(chǎn)品系列
LSI 公司日前宣布推出新型 MegaRAID 控制卡和主機(jī)總線適配器 (HBA)，進(jìn)一步壯大了業(yè)界最豐富的 6G
2010-01-22 09:05:061068 臺(tái)積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
為了在競爭激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16867 GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測試芯片，該芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的設(shè)計(jì)工具。此次試制的測試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111269 晶圓代工巨擘臺(tái)積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節(jié)點(diǎn)提供單一製程，這與該公司過去針對(duì)不同製程節(jié)點(diǎn)均提供多種製程服務(wù)的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441076 GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔（TSV）設(shè)備。如果一切順利，該公司希望在2013下半年開始採用 20nm 及 28nm 製程技術(shù)製造3D堆疊晶片。
2012-05-01 10:13:121039 GlobalFoundries 公司正在仔細(xì)考慮其 20nm 節(jié)點(diǎn)的低功耗和高性能等不同製程技術(shù)，而在此同時(shí)，多家晶片業(yè)高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來臨的 3D IC ，以及進(jìn)一步往 7nm 節(jié)點(diǎn)發(fā)
2012-05-06 11:06:351253 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）預(yù)計(jì)會(huì)在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開與三星電子（
2012-07-18 09:44:33840 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 臺(tái)積電積極開發(fā)20nm制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢下，未來1~2年內(nèi)有機(jī)會(huì)獨(dú)吞蘋果（Apple）A7處理器訂單。野村證券評(píng)估，臺(tái)積電明年第1季開始試產(chǎn)A7，順利的話，后年上半
2012-09-28 09:40:061048 近期，Altera發(fā)布其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)，延續(xù)在硅片融合上的承諾，克服了20nm設(shè)計(jì)五大挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101077 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟(jì)活力問題，有很多的討論。在過去的一年中，20nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到這個(gè)辯論的前沿和中心。無論說辭如何，包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196 據(jù)《韓國日報(bào)》報(bào)道，NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺(tái)積電的20nm，雙方的長期合作將繼續(xù)深入下去，而這也意味著，NVIDIA代號(hào)麥克斯韋（Maxwell）的下代GPU仍將出自臺(tái)積電之手。
2012-12-07 17:00:14839 Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢，究竟在20 nm制程上，Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進(jìn)使其保持領(lǐng)先競爭對(duì)手一代的優(yōu)勢？詳見本文
2013-01-10 09:33:43961 賽靈思公司今天宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點(diǎn)再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807 20nm會(huì)延續(xù)摩爾定律在集成上發(fā)展趨勢，但是要付出成本代價(jià)。2.5D封裝技術(shù)的發(fā)展，進(jìn)一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解決了DRAM總線電源和帶寬問題，在一個(gè)封裝中集成了種類更多的IC。隨著系統(tǒng)性能的提高，這一節(jié)點(diǎn)也增加了體系結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度。目前為止，它也是功耗管理最復(fù)雜的節(jié)點(diǎn)。
2017-09-15 09:54:30
10 4.4 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容使用JTAG燒寫Nand Flash 1．實(shí)驗(yàn)?zāi)康?通過使用JTAG燒寫Flash的實(shí)驗(yàn)，了解嵌入式硬件環(huán)境，熟悉JTAG的使用，為今后的進(jìn)一步學(xué)習(xí)打下良好的基礎(chǔ)。本書
2017-10-18 17:03:486 在28nm技術(shù)突破的基礎(chǔ)上，賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點(diǎn)的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外，該新型器件也是賽靈思將向市場推出的首款采用UltraScale技術(shù)
2018-01-12 05:49:45706 耐高溫聚合物電介質(zhì)材料以其優(yōu)良的耐高溫穩(wěn)定性、優(yōu)異的介電性能以及良好的耐環(huán)境穩(wěn)定性等在電工絕緣領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。系統(tǒng)綜述了國內(nèi)外近年來在耐高溫聚合物電介質(zhì)材料基礎(chǔ)與應(yīng)用領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展
2018-01-15 11:31:350 隨著NAND Flash產(chǎn)能開出，市場價(jià)格持續(xù)松動(dòng)，刺激市場搭載SSD的需求大增，業(yè)者認(rèn)為，2018年下半NAND Flash價(jià)格將一路走跌，將促使SSD與HDD價(jià)差進(jìn)一步收斂，目前SSD價(jià)差逐步
2018-06-28 07:18:00597 據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights 周二(10 日) 最新研報(bào)指出，預(yù)計(jì)全球主要NAND 供應(yīng)商將大幅擴(kuò)大資本支出，來拉高產(chǎn)能，估計(jì)今年的NAND 記憶體價(jià)格將進(jìn)一步走跌。
2018-07-13 15:04:363502 
賽靈思公司（Xilinx）今天宣布Kintex UltraScale KU115 FPGA器件正式出貨，從而使得其進(jìn)一步擴(kuò)展了其20 nm產(chǎn)品陣容。作為Kintex UltraScale系列的旗艦
2018-09-07 15:08:007603 據(jù)外媒報(bào)道，兩名知情人士透露，中國電動(dòng)車初創(chuàng)公司威馬汽車（WM Motor）旨在最新一輪融資中籌集至少20億元（2．88億美元）資金，以推動(dòng)公司進(jìn)一步發(fā)展。此舉也使得這家成立不到4年的公司估值超過200億元人民幣。
2018-10-26 18:04:20916 美國愛達(dá)荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達(dá)克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級(jí)單元）NAND 技術(shù)提升市場領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301154 一小段上升期。隨著5G通信和AI技術(shù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心將繼續(xù)增長。2020年中國新增數(shù)據(jù)中心市場容量將占全球新增量的50%左右。 2020年更多創(chuàng)新技術(shù)及成熟技術(shù)將在數(shù)據(jù)中心中被廣泛采用。服務(wù)器芯片NAND FLASH也出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。5G通信和人工智能的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心將進(jìn)一步
2020-03-25 16:12:05854 
在20nm以下制程，該公司也將沿用此一發(fā)展策略，持續(xù)加強(qiáng)與IC設(shè)計(jì)公司合作，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率與降低投資風(fēng)險(xiǎn)。
2020-09-08 14:11:272024 晶體管是器件中提供開關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時(shí)，平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進(jìn)。
2021-03-22 11:35:242075 【轉(zhuǎn)載】更進(jìn)一步的了解Keil Flash的下載算法
2021-11-26 16:36:111 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量，NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:578266 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 一、電介質(zhì)的損耗 介質(zhì)損耗是指絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。介質(zhì)損耗也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。表征某種絕緣材料的介質(zhì)損耗，一般不用W或J等單位來表示
2023-09-24 16:08:312299 一、電介質(zhì)的電導(dǎo) 電介質(zhì)的電導(dǎo)可分為離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)，離子電導(dǎo)以離子為載流體，電子電導(dǎo)以自由電子為載流體。 1、離子電導(dǎo) 實(shí)際工程上所用的電介質(zhì)多少含有一些雜質(zhì)離子，這些離子與電介質(zhì)分子聯(lián)系非常
2023-09-26 16:47:53809
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