NAND供大于求 價格將會進一步下降

據調研機構IC Insights 周二(10 日) 最新研報指出，預計全球主要NAND 供應商將大幅擴大資本支出，來拉高產能，估計今年的NAND 記憶體價格將進一步走跌。

近年NAND 資本支出比較(圖: IC insight)

如上圖所示，美光認為，NAND記憶體產業(yè)為了維持出貨成長，每年都將增加40%資本支出擴增產能，2015年資本支出為90億美元，到2018年已增加2倍達220億美元，之所以有這么龐大的資金成長，是各廠都積極往3D NAND方向布局，由于3D NAND需要更多的晶圓廠設備與無塵室，造成資本支出金額成長。

全球五大NAND 記憶體供應商也都聲稱，相信未來幾年內，NAND 出貨量每年的成長率平均約為40%。而如上圖所示，去年美光為要支持NAND 記憶體40% 的出貨量增長，事實上實際資本支是出比所需之資本支出還要超出27%，而今年預計將會有超過41%的額外資本支出，資本支出預算一路擴大。

記憶市場的歷史先驅表明，過多資本支出通常會導致產能過剩，以及價格疲軟；三星)、海力士、美光、英特爾、東芝、Western Digital和武漢新芯都計劃未來幾年內大幅提升3D NAND記憶體產出數量，其他新的中國廠商也可能會持續(xù)進入這個市場。IC Insights認為，產業(yè)各廠高估3D NAND市場需求，風險持續(xù)不斷升溫。

旺季需求動能不如預期研調，價格進一步下跌

展望下半年NAND Flash 市場，據集邦科技旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，受到需求動能相對平淡，加上供應商64/72 層3D NAND 良率與產出繼續(xù)提升影響，市場將由原先預期的供給緊縮，轉為趨近供需平衡狀態(tài)，預期各產品合約價將續(xù)跌。

上半年NAND Flash 市況受到傳統(tǒng)淡季沖擊與64/72 層3D NAND 產能穩(wěn)定擴張影響，DRAMeXchange 指出，各類產品合約價已連續(xù)2 季下跌，各供應商也藉由提供高容量產品價格誘因，以吸引客戶，刺激旺季需求進一步成長，并放緩今年的擴產計畫，試圖力挽價格走跌態(tài)勢延續(xù)至下半年。

然而，從需求面來看，DRAMeXchange 表示，第3 季雖屬傳統(tǒng)旺季，但來自智能型手機、筆記型電腦與平板電腦的需求，分別呈現0-1%、0-1% 及9-10%的季成長，動能相對平淡，供應商又試圖降價刺激需求，導致價格跌幅大于先前預期。

展望第4 季，DRAMeXchang 指出，供給面新增產能不多，但供應商的64/72 層產品良率預期將趨近或超過80% 水準，達成熟狀態(tài)，另一方面，供應商也準備新增或轉移產能至96 層制程，帶動位元產出持續(xù)成長。

至于需求面，在筆記型電腦成長疲軟、智能型手機硬體規(guī)格缺乏亮點，及換機動能不足下，需求不如預期，價格恐持續(xù)走跌，預期跌幅將比第3 季更明顯，但若蘋果新機銷售狀況穩(wěn)健，可望微幅減緩第4 季價格跌幅。