三星電子宣布，將從本月開(kāi)始在全球率先量產(chǎn)30納米級(jí)4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:55
977 Micron近日宣布將推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片，采用30nm制造工藝，這種芯片能夠進(jìn)一步融入到SoC芯片和顯卡芯片中提供“超性能”的強(qiáng)悍表現(xiàn)
2012-06-13 10:11:341383 ,Column和Bank的地址位寬。開(kāi)發(fā)板選用的MT41K128M16 DDR3的容量為16Megx16x8banks=2048Mb=2Gb。 1.1 DDR3命名 ? ? 我們通過(guò)Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級(jí)等信息
2021-01-01 10:09:003711 
為了更好地管理各類(lèi)DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡(jiǎn)便的、帶寬效率高的自動(dòng)化方式來(lái)初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0010211 
和?x16 配置中均可提供高達(dá)?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實(shí)現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR
2022-04-20 16:04:032554 
*16*8BANK（1Gb）圖13 2個(gè)16MB*8*8BANK（2Gb）3.2. 配置DDR3內(nèi)存控制器寄存器以滿(mǎn)足DDR3 SDRAM的規(guī)格DDR3內(nèi)存控制器對(duì)DDR3的訪問(wèn)具有很高的可編程性，為
2018-01-18 22:04:33
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個(gè)速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個(gè)說(shuō)明他們的最高工作頻率不能超過(guò)400MHz，533MHz。。。但還有一個(gè)最低工作頻率要求，請(qǐng)問(wèn)在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個(gè)指標(biāo)？為什么有這個(gè)要求？
2012-10-23 22:52:34
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
向量自動(dòng)識(shí)別各種頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測(cè)試范圍: DDR3----------0—16G DDR2
2009-08-17 22:58:49
頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測(cè)試范圍: DDR3----------0—16G DDR2---------0—8G  
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
自動(dòng)識(shí)別各種頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測(cè)試范圍: DDR3----------0—16G DDR2
2009-08-17 23:00:19
和安全性大大提高?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2 DDR3介紹 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)（時(shí)鐘）不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比 DR2有更高
2014-12-15 14:17:46
轉(zhuǎn)載DDR3內(nèi)存詳解，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)+時(shí)序+初始化過(guò)程2017-06-17 16:10:33a_chinese_man閱讀數(shù) 23423更多分類(lèi)專(zhuān)欄：硬件開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)轉(zhuǎn)自：首先，我們先了解一下內(nèi)存的大體結(jié)構(gòu)工作流程，這樣會(huì)比較容量理解這些參數(shù)在其...
2021-07-27 07:10:34
DDR3芯片讀寫(xiě)控制及調(diào)試總結(jié)，1. 器件選型及原理圖設(shè)計(jì)（1） 由于是直接購(gòu)買(mǎi)現(xiàn)成的開(kāi)發(fā)板作為項(xiàng)目前期開(kāi)發(fā)調(diào)試使用，故DDR3芯片已板載，其型號(hào)為MT41J256M16HA-125，美光公司生產(chǎn)的4Gb容量DDR3芯片。采...
2021-07-22 08:33:54
通過(guò)DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過(guò)命名怎樣算出內(nèi)存的大??？
2017-06-15 21:19:11
HI，我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb，由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps，因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06
DDR 接口一般沒(méi)有復(fù)用功能1、tRCG2、CL當(dāng)列地址發(fā)出以后就會(huì)觸發(fā)數(shù)據(jù)傳輸，但是數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)單元到內(nèi)存芯片 IO 接口上還需要一段時(shí)間，這段時(shí)間就是非常著名的 CL(CAS Latency
2021-12-14 07:02:33
了自己的DDR3解決方案，紛紛宣布成功開(kāi)發(fā)出了DDR3內(nèi)存芯片，從中我們仿佛能感覺(jué)到DDR3臨近的腳步。而從已經(jīng)有芯片可以生產(chǎn)出來(lái)這一點(diǎn)來(lái)看，DDR3的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)工作也已經(jīng)接近尾聲。 半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)
2011-02-27 16:47:17
ddr3內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則
2021-07-22 06:02:39
DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個(gè)架構(gòu)毫無(wú)疑問(wèn)
2019-04-22 07:00:08
我們參照TMDXEVM6678L開(kāi)發(fā)板設(shè)計(jì)了一塊FPGA加DSP架構(gòu)的處理板，由FPGA完成6678的boot啟動(dòng)任務(wù)。在進(jìn)行程序燒錄調(diào)試的過(guò)程中，出現(xiàn)了以下問(wèn)題。未使用到DDR3內(nèi)存部分的簡(jiǎn)單
2019-10-29 17:56:48
我使用 MSCale DDR 工具在基于 iMX8mq-evk 的定制板上進(jìn)行 RAM 校準(zhǔn)。Mscale DDR Tool RAM 顯示 RAM 的大小為 2GB（2GB 是正確的值）。然后我生成
2023-03-24 07:43:17
Xilinx的相關(guān)文檔）。1.修改“Component Name”為“DDR3”，點(diǎn)擊“Next”（如下圖所示）。2.這里可以選擇兼容的芯片，但我們不需要，直接點(diǎn)擊“Next”（如下圖所示）。3.直接選擇
2019-12-19 14:36:01
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說(shuō)：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說(shuō)：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
嗨，我正在設(shè)計(jì)一個(gè)定制FPGA板＆amp;我將使用帶有Kintex（XC7K160T-2FFG676C）FPGA的DDR3 RAM。我閱讀了xilinx＆amp; amp; amp; amp
2020-04-17 07:54:29
，內(nèi)存條，手機(jī)字庫(kù)，ddr3DDR4，CPU。鉭電容，連接器，繼電器，濾波器。長(zhǎng)期專(zhuān)業(yè)回收手機(jī)指紋、指紋芯片、定制指紋模組！
2021-01-23 17:13:23
，內(nèi)存條，手機(jī)字庫(kù)，ddr3DDR4，CPU。鉭電容，連接器，繼電器，濾波器。長(zhǎng)期專(zhuān)業(yè)回收手機(jī)指紋、指紋芯片、定制指紋模組！
2021-10-13 19:14:17
2133MT/s，運(yùn)作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個(gè)月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
，DDR4相比DDR3提升很大。帶寬方面，DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps（256MB/S）的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過(guò)70%。綜合來(lái)看
2019-07-25 14:08:13
在第二輪12萬(wàn)臺(tái)又在1分鐘內(nèi)售罄之后，華為副總裁余承東在微博上表示，2GB內(nèi)存版的榮耀3C以及5.5寸的榮耀3X會(huì)在1月份正式開(kāi)賣(mài)。此外，將進(jìn)一步提升產(chǎn)量，供貨會(huì)達(dá)到百萬(wàn)臺(tái)以上。 昨日，華為榮耀在
2014-01-01 10:55:59
、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別: 1、邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始
2011-12-13 11:29:47
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會(huì)有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時(shí)讀寫(xiě)操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
回收DDR內(nèi)存芯片全新原裝DDR收購(gòu)回收DDR2，回收DDR3，收購(gòu)DDR2，收購(gòu)DDR3，DDR4帝歐電子先生 趙先生 135-3012-2202同步微信 QQ：8798-21252） 長(zhǎng)期現(xiàn)金
2021-01-09 17:57:31
，回收內(nèi)存條，收購(gòu)內(nèi)存條，內(nèi)存條收購(gòu),回收三星芯片長(zhǎng)期收購(gòu):各種原裝FALSH芯片，SDRAM，DDR，DDR2，DDR3...... 【大量收購(gòu)鎂光芯片,回收鎂光IC，收購(gòu)鎂光IC鎂光IC收購(gòu)收購(gòu)鎂光
2021-11-13 16:15:12
芯片，回收內(nèi)存條，收購(gòu)內(nèi)存條，內(nèi)存條收購(gòu),回收三星芯片長(zhǎng)期收購(gòu):各種原裝FALSH芯片，SDRAM，DDR，DDR2，DDR3...... 【大量收購(gòu)鎂光芯片,回收鎂光IC，收購(gòu)鎂光IC鎂光IC收購(gòu)收購(gòu)
2020-12-29 18:12:29
，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可），回收FLASH內(nèi)存芯片--新舊/拆機(jī)/帶板,Nand Flash,SD/CF卡,黑片內(nèi)存顆粒,MP3/U盤(pán)半成品,內(nèi)存條;NAND FLASH,DDR,DDR2
2020-12-16 17:39:22
嗨，我正在使用Vivado 2014.4開(kāi)發(fā)帶有PCIe和DDR3L接口的定制Kintex7（XC7K325T-2FFG900）。當(dāng)我嘗試使用比特流對(duì)FPGA進(jìn)行編程時(shí)，例如使用我的設(shè)計(jì)中實(shí)例化
2020-06-09 15:48:02
光盤(pán)資料+網(wǎng)盤(pán)資料+配套視頻+售后支持，助您加速學(xué)習(xí)研發(fā)的進(jìn)程 產(chǎn)品介紹 iTOP-Exynos4412開(kāi)發(fā)板采用 Exynos4412的主芯片，具有更高的主頻和更豐富外設(shè)，配置 2GB 雙通道 DDR3的內(nèi)存及 16GB 存儲(chǔ)，具有穩(wěn)定性強(qiáng)、可靠性高，能適用于對(duì)性能和處理能力有更高要求的嵌...
2021-12-23 07:35:37
。 本手冊(cè)以一個(gè)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的可穩(wěn)定工作的設(shè)計(jì)為例，來(lái)系統(tǒng)介紹高云FPGA連接DDR3的硬件設(shè)計(jì)方法，F(xiàn)PGA芯片型號(hào)采用GW2A-LV18PG256，存儲(chǔ)芯片采用鎂光（Micron）公司生產(chǎn)的單晶粒封裝
2022-09-29 06:15:25
控制器的編寫(xiě)，并在Kintex-7 FPGA芯片上完成了功能測(cè)試及實(shí)現(xiàn)。1 DDR3連續(xù)讀寫(xiě)操作的FPGA 實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)選用８片Mircon公司型號(hào)為 MT42J128M16的芯片作為緩存區(qū)。每片芯片
2018-08-02 09:34:58
。大量收購(gòu)以下DDR3，歡迎您有貨聯(lián)系我們，保證給您高價(jià)體驗(yàn)?，F(xiàn)代:DDR3/64*16/H5TQ1G63EFR-PBCDDR3/128*16/H5TQ2G63FFR-PBCDDR3/128*16
2021-10-13 19:12:25
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2021-10-13 19:18:05
幾乎相同，約為1.5 MB /秒。當(dāng)我將DDR3連接到Cache AXI互連時(shí)，速度會(huì)有所增加（大約2MBytes / sec。）我無(wú)法將DDR3連接到Cache AXI互連，因?yàn)槟菚r(shí)我將無(wú)法使用2GB DDR3.This速度相當(dāng)慢:(請(qǐng)幫幫我。我怎樣才能加快速度。問(wèn)候
2020-04-28 08:57:02
Virtex-6內(nèi)存控制器只能支持16 x（128Mb x 8b）MT41J128M8 IC = 2GB DDR3 SDRAM。我的問(wèn)題是：1.當(dāng)我在存儲(chǔ)器接口生成器的控制器選項(xiàng)級(jí)選擇“組件”時(shí)，我已經(jīng)可以選擇
2020-06-15 06:59:58
程序中需要用malloc動(dòng)態(tài)分配兩塊內(nèi)存，分別在LL2和DDR3上，請(qǐng)問(wèn)用cmd動(dòng)態(tài)分配的空間都是在.sysmem里面嗎？怎么在兩塊內(nèi)存中都動(dòng)態(tài)分布內(nèi)存呢？
如果在cfg中開(kāi)辟兩個(gè)heap的方式分別
2018-06-21 09:29:19
怎樣對(duì)DDR3芯片進(jìn)行讀寫(xiě)控制呢？如何對(duì)DDR3芯片進(jìn)行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
樹(shù)莓派3的內(nèi)存是不是DDR3的？
2016-03-26 16:00:58
本人手中有一個(gè)項(xiàng)目，客戶(hù)的需求和開(kāi)發(fā)周期已經(jīng)明確。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)正在組建中，誠(chéng)邀有能力的朋友加入此項(xiàng)目合作開(kāi)發(fā)，基本要求如下：1、需要有stm32系列單片機(jī)的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)2、熟悉freeRTOS3、最好以前
2015-12-14 01:00:51
三星ddr3 ：DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15
linux, Raspberry Pi系統(tǒng) .Banana PI BPI-M2+硬件：全志H3四 核處理器，1GB DDR3內(nèi)存，千兆以太網(wǎng)口，板載無(wú)線與藍(lán)牙，板載
2022-08-18 14:17:51
Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開(kāi)的一次電話(huà)會(huì)議上，鎂光公司聲稱(chēng)他們很快便會(huì)試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成
韓國(guó)內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備，可在
2010-01-14 16:58:051015 臺(tái)內(nèi)存芯片廠商制程轉(zhuǎn)換計(jì)劃傳因設(shè)備交貨期拖延而更變
據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露，由于沉浸式光刻設(shè)備的交貨日程有所延長(zhǎng)，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內(nèi)
2010-01-26 11:33:29599 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱(chēng)，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42779 SPARKLE日前宣布推出SPARKLE GeForce GTS 450 1GB/2GB DDR3顯示卡，是滿(mǎn)足家庭影院用戶(hù)和游戲玩家的理想產(chǎn)品
2011-04-11 10:19:511026 目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多，但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身：這款產(chǎn)品出自臺(tái)灣廠商Avexir(宇帷)之手，默認(rèn)頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241077 美光今天也宣布了另外一種DDR3內(nèi)存的登場(chǎng)：30nm工藝制造的DDR3L-RS DRAM已經(jīng)開(kāi)始批量供應(yīng)，主要針對(duì)超極本、平板機(jī)等超輕薄計(jì)算設(shè)備。
2012-09-19 11:32:241617 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39
471 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 這段時(shí)間，DDR4內(nèi)存條價(jià)格持續(xù)處于高位，于是不少?gòu)S商和需求不高的用戶(hù)開(kāi)始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無(wú)論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價(jià)，組個(gè)入門(mén)機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 據(jù)外媒報(bào)道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開(kāi)發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。
2018-01-11 09:16:024070 國(guó)產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢？值得入手嗎？為了解決大家的疑問(wèn)，我們?yōu)榇蠹規(guī)?lái)了紫光DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評(píng)測(cè)，幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實(shí)性能。
2018-03-12 13:56:009783 
三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR
2018-08-06 16:38:014789 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過(guò)個(gè)人電腦（PC）客戶(hù)認(rèn)證，本月開(kāi)始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng)，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng)，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:212734 3月21日，三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163658 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)（時(shí)鐘）不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-09-18 14:27:031304 
DDR3 SDRAM是DDR3的全稱(chēng)，它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000 在這個(gè)智能手機(jī)16GB內(nèi)存超過(guò)大部分PC的時(shí)代，2GB內(nèi)存的電腦還能干什么？
2020-03-10 09:47:436719 據(jù)外媒報(bào)道，特斯拉正在與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)Hardware 4．0自動(dòng)駕駛芯片，并計(jì)劃在2021年第四季度進(jìn)行量產(chǎn)。而在2019年4月推出的Hardware 3．0芯片，是由三星生產(chǎn)的。 有業(yè)內(nèi)人士分析
2020-08-19 10:37:262462 
2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會(huì)被淘汰，而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場(chǎng)，也就是消費(fèi)電子產(chǎn)品，對(duì)內(nèi)存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:212341 2019年國(guó)內(nèi)的合肥長(zhǎng)鑫推出了國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存，結(jié)束了國(guó)內(nèi)沒(méi)有DRAM芯片自產(chǎn)的日子，此后也有其他公司準(zhǔn)備進(jìn)軍內(nèi)存市場(chǎng)，比如兆易創(chuàng)新。該公司日前透露了其內(nèi)存計(jì)劃，2021年上半年將推出4Gb
2020-11-03 11:13:592021 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，十銓開(kāi)發(fā)出了其首個(gè)消費(fèi)級(jí) DDR5 內(nèi)存工程樣品，正與主板廠商測(cè)試。 據(jù)介紹，目前，十銓正努力生產(chǎn)其第一批 DDR5 內(nèi)存，暫定規(guī)格為 16 GB 4800
2020-12-15 15:30:411454 了，未來(lái)幾年被取代是水到渠成的，不過(guò)DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺(tái)灣的
2021-02-02 11:27:393279 2021 年，DDR3內(nèi)存價(jià)格受缺貨影響預(yù)上漲 40%-50%，春節(jié)之后的價(jià)格就已經(jīng)上漲至3.3美元以上；三星2Gb DDR3價(jià)格再創(chuàng)歷史新高，從0.95美元漲至3美元左右。
2021-03-15 15:18:142472 帶來(lái)太大的影響。 三星對(duì)客戶(hù)通知2022年年終之前仍會(huì)繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單，并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后，SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)，不對(duì)客戶(hù)繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存，不過(guò)三大芯片供應(yīng)商中的美光
2022-04-06 12:22:564679 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003901
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