三星電子宣布，將從本月開(kāi)始在全球率先量產(chǎn)30納米級(jí)4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:55
978 Micron近日宣布將推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片，采用30nm制造工藝，這種芯片能夠進(jìn)一步融入到SoC芯片和顯卡芯片中提供“超性能”的強(qiáng)悍表現(xiàn)
2012-06-13 10:11:341383 就在前幾天，網(wǎng)上曝光出具有紫光國(guó)芯標(biāo)識(shí)的PC DDR4內(nèi)存條，是完全自主研發(fā)的DRAM顆粒。單條容量為4GB，具體參數(shù)不詳。在今年一月份，紫光集團(tuán)投資2000億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體基地，建成后將成
2017-12-28 16:53:272291 為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡(jiǎn)便的、帶寬效率高的自動(dòng)化方式來(lái)初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0010212 
本實(shí)驗(yàn)為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實(shí)驗(yàn)做鋪墊，通過(guò)循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存，了解其工作原理和DDR3控制器的寫法，由于DDR3控制復(fù)雜，控制器的編寫難度高，這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的應(yīng)用，是后續(xù)音頻、視頻等需要用到DDR3實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)。
2021-02-05 13:27:008224 
2、512Mb-2Gb LP DDR2，以及?LP DDR4x、LP DDR3、LP DDR、SDRAM，適用于需配備4Gb 或以下容量DRAM 的應(yīng)用，?如人工智能加速器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)用、電信、
2022-04-20 16:04:032554 
外部內(nèi)存。3.使用DDR3內(nèi)存控制器3.1. 連接DDR3內(nèi)存控制器到DDR3 SDRAM圖11，圖12，圖13表示三種內(nèi)存拓?fù)鋱D。圖11 2個(gè)16MB*16*8BANK（4Gb）圖12 1個(gè)8MB
2018-01-18 22:04:33
自己設(shè)計(jì)的板子，使用的DDR3型號(hào)為4片MT41J128M16HA125。芯片頻率是1600M，現(xiàn)配置PHY的參數(shù)如下：
現(xiàn)在對(duì)這個(gè)DQS和CK的值有些疑問(wèn)，不知道這個(gè)值是否指的就啊PCB上
2018-06-21 17:25:42
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
不斷提升的情況下是非常有意義和作用的。這樣就使得有效的改善DQ信號(hào)在高速傳輸過(guò)程中的性能，具備把即將閉合的眼圖通過(guò)均衡重新打開(kāi)的能力。2，地址信號(hào)的ODT功能，之前我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR3或者DDR4應(yīng)用的時(shí)候
2021-08-12 15:42:06
我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個(gè)速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個(gè)說(shuō)明他們的最高工作頻率不能超過(guò)400MHz，533MHz。。。但還有一個(gè)最低工作頻率要求，請(qǐng)問(wèn)在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個(gè)指標(biāo)？為什么有這個(gè)要求？
2012-10-23 22:52:34
---------0—8G DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。  
2009-08-17 22:58:49
/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測(cè)獨(dú)立
2009-02-10 22:53:43
/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測(cè)獨(dú)立
2009-03-12 16:05:56
;DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞
2009-03-13 15:46:57
---------0—8G DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。  
2009-08-17 23:00:19
/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測(cè)獨(dú)立
2009-02-10 22:50:27
/SD---------0—4G內(nèi)存識(shí)別: 自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測(cè)獨(dú)立
2009-02-10 22:55:45
和安全性大大提高。 2 DDR3介紹 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)（時(shí)鐘）不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比 DR2有更高
2014-12-15 14:17:46
ARM SOC的上電復(fù)位，DDR3內(nèi)存的復(fù)位都是由ARM CPU控制的嗎？求大神解答
2022-08-03 14:15:16
轉(zhuǎn)載DDR3內(nèi)存詳解，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)+時(shí)序+初始化過(guò)程2017-06-17 16:10:33a_chinese_man閱讀數(shù) 23423更多分類專欄：硬件開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)轉(zhuǎn)自：首先，我們先了解一下內(nèi)存的大體結(jié)構(gòu)工作流程，這樣會(huì)比較容量理解這些參數(shù)在其...
2021-07-27 07:10:34
通過(guò)DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過(guò)命名怎樣算出內(nèi)存的大小？
2017-06-15 21:19:11
HI，我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb，由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps，因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06
DDR3芯片讀寫控制及調(diào)試總結(jié)，1. 器件選型及原理圖設(shè)計(jì)（1） 由于是直接購(gòu)買現(xiàn)成的開(kāi)發(fā)板作為項(xiàng)目前期開(kāi)發(fā)調(diào)試使用，故DDR3芯片已板載，其型號(hào)為MT41J256M16HA-125，美光公司生產(chǎn)的4Gb容量DDR3芯片。采...
2021-07-22 08:33:54
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。 2.尋址時(shí)序（Timing） 就像DDR2從
2011-02-27 16:47:17
ddr3內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則
2021-07-22 06:02:39
以下步驟完成：
（1）DDR3 IP 文件：6_IP_setup_packet\\\\DDR3\\\\ipsxb_hmic_s_v1_4
（2）IP 安裝步驟：1_Demo_document
2023-05-19 14:28:45
）DDR3 IP 文件：6_IP_setup_packet\\\\DDR3\\\\ipsxb_hmic_s_v1_4
（2）IP 安裝步驟：1_Demo_document\\\\工具使用篇
2023-05-31 17:45:39
用于32位和多少16962A板（2或3）？ DDR3 - 1600.我發(fā)現(xiàn)，B4621A設(shè)置中只包含16962A，DDR3 x16 16位默認(rèn)配置。謝謝！ 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文B4621A
2018-09-26 14:47:45
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 14:10 編輯
hello 您好，C6678 接了一個(gè)1866Mhz的DDR3，c6678最大支持到1600，我想問(wèn)一下，我給配置該DDR3，配置1600的參數(shù)，還是配置1866參數(shù)？請(qǐng)賜教。
2018-06-20 06:09:41
DR2與DDR有哪些區(qū)別？DDR3與DDR2的區(qū)別是什么？
2021-10-26 06:15:07
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說(shuō)：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說(shuō)：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
內(nèi)核：ARM Cortex-A9 四核； l主頻：1.4GHz*4； l內(nèi)存：1GB DDR3，可兼容 2GB DDR3；Flash：支持 4GB/8GB/16GB emmc 可選，標(biāo)配 8GB emmc；
2015-12-22 10:37:59
嗨，我正在設(shè)計(jì)一個(gè)定制FPGA板＆amp;我將使用帶有Kintex（XC7K160T-2FFG676C）FPGA的DDR3 RAM。我閱讀了xilinx＆amp; amp; amp; amp
2020-04-17 07:54:29
就在前幾天，網(wǎng)上曝光出具有紫光國(guó)芯標(biāo)識(shí)的PC DDR4內(nèi)存條，是完全自主研發(fā)的DRAM顆粒。單條容量為4GB，具體參數(shù)不詳。在今年一月份，紫光集團(tuán)投資2000億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體基地，建成后將成
2018-03-28 23:42:26
的數(shù)據(jù)，而DDR2是4bit，因此其單位時(shí)間內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸量是DDR2的2倍。DDR3的速度從800MHz起跳，最高可以達(dá)到1600MHz。DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過(guò)兩者
2022-10-26 16:37:40
，DDR4相比DDR3提升很大。帶寬方面，DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps（256MB/S）的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過(guò)70%。綜合來(lái)看
2019-07-25 14:08:13
主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。DDR3 UB DIMM 2007進(jìn)入市場(chǎng)，成為主流時(shí)間點(diǎn)多數(shù)廠商預(yù)計(jì)會(huì)是到2010年。一
2011-12-13 11:29:47
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-28 17:22 編輯
我們使用的是DM8168平臺(tái)2G的DDR3內(nèi)存，因之前使用的三星DDR3-1333型號(hào)比較老，已經(jīng)停產(chǎn)，現(xiàn)在更換
2018-05-28 09:47:52
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會(huì)有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時(shí)讀寫操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
DDR3這一塊要著重注意哪些方面。望詳細(xì)賜教，謝謝！
DDR3時(shí)鐘輸入是50Mhz,輸出時(shí)鐘設(shè)置為
2018-06-21 05:42:03
嗨， 我想知道哪個(gè)DDR3內(nèi)存部件可以與Spartan-6配合使用。 SP601上的DDR2部件是aEDE1116AEBG，但在Digikey，Avnet或Farnell上不可用。無(wú)論如何我會(huì)
2019-05-21 06:16:43
［２－４］。DDR SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，其采用雙倍速率存取，數(shù)據(jù)在工作時(shí)鐘的上升沿和下降沿采樣，有效提升了存儲(chǔ)速率。DDR SDRAM系列存儲(chǔ)設(shè)備經(jīng)歷了DDR、DDR2和DDR3幾個(gè)階段
2018-08-02 09:34:58
/H5TC8G63AMR-PBADDR3/512*16/H5TC8G63CMR-PBA三星:DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16
2021-10-13 19:12:25
/H5TC8G63AMR-PBADDR3/512*16/H5TC8G63CMR-PBA三星:DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16
2021-10-13 19:18:05
現(xiàn)在因?yàn)轫?xiàng)目需要，要用DDR3來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)4入4出的vedio frame buffer。因?yàn)槠邮褂玫氖莑attice的，參考設(shè)計(jì)什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)vedio
2015-08-27 14:47:57
大家好，我們的定制板上焊接了定制的DDR3架構(gòu)：16 x（256Mb x 8b）MT41J256M8 IC = 4GB，32b數(shù)據(jù)總線和4個(gè)等級(jí)，連接到Virtex-6設(shè)備。我們剛剛注意到
2020-06-15 06:59:58
程序中需要用malloc動(dòng)態(tài)分配兩塊內(nèi)存，分別在LL2和DDR3上，請(qǐng)問(wèn)用cmd動(dòng)態(tài)分配的空間都是在.sysmem里面嗎？怎么在兩塊內(nèi)存中都動(dòng)態(tài)分布內(nèi)存呢？
如果在cfg中開(kāi)辟兩個(gè)heap的方式分別
2018-06-21 09:29:19
樹(shù)莓派3的內(nèi)存是不是DDR3的？
2016-03-26 16:00:58
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
淺談4G內(nèi)存對(duì)筆記本的 影響2G內(nèi)存剛剛好隨著Intel P3x系列芯片組的發(fā)布，DDR3內(nèi)存的普及日益臨近，AMD K10系列處理器AM2+規(guī)格也正式支持DDR3內(nèi)存，明年即將面臨淘汰的DDRII
2012-09-23 18:02:51
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
你好！ 我們目前使用的8168處理器DDR由K4B2G1646C-HCH9 （DDR-1333）升級(jí)到 K4B2G1646Q-BCK0（DDR-1600）配置的DDR頻率為1066，uboot 無(wú)法
2018-07-27 07:04:39
鎂光南亞合作開(kāi)發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開(kāi)展示了其合作開(kāi)發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別
2010-02-10 09:40:501091 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42780 目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多，但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身：這款產(chǎn)品出自臺(tái)灣廠商Avexir(宇帷)之手，默認(rèn)頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241077 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39
471 上揚(yáng)，DDR3／4 的 4Gb 顆粒價(jià)格分別來(lái)到 2.6／2.53 美元，月漲幅為 6% 與 2%，表示市場(chǎng)普遍預(yù)期未來(lái)價(jià)格仍將走升。
2016-12-08 11:12:40701 
華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 這段時(shí)間，DDR4內(nèi)存條價(jià)格持續(xù)處于高位，于是不少?gòu)S商和需求不高的用戶開(kāi)始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無(wú)論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價(jià)，組個(gè)入門機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 涉及國(guó)產(chǎn)DDR4的還是紫光集團(tuán)的子公司紫光國(guó)芯，旗下?lián)碛形靼?b class="flag-6" style="color: red">紫光國(guó)芯、深圳國(guó)微、紫光同創(chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，“紫光國(guó)芯是紫光集團(tuán)旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司，專注于集成電路芯片設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，堅(jiān)持穩(wěn)健經(jīng)營(yíng)
2018-03-19 18:35:002140 甚至放棄了核心與顯存捆綁出貨的利潤(rùn)，讓利給了AIC廠商自行采購(gòu)顯存。 那還有什么可以阻止這種無(wú)恥的寡頭行為？從最近內(nèi)存SSD出現(xiàn)降價(jià)就可以看到還是會(huì)有的，那就是國(guó)產(chǎn)的紫光內(nèi)存正式發(fā)布。雖然目前只有DDR3用上了國(guó)產(chǎn)顆粒，但這畢竟是一個(gè)開(kāi)端。
2018-03-18 20:56:00902 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 H5TQ4G43AFR-xxC， H5TQ4G83AFR-xxC和H5TQ4G63AFR xxC是4GB CMOS雙數(shù)據(jù)速率III（DDR3）同步DRAM，非常適合需要大內(nèi)存密度和高帶寬的主內(nèi)存
2019-08-20 08:00:0028 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:093598 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029 從成本的角度來(lái)看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會(huì)被淘汰，而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場(chǎng)，也就是消費(fèi)電子產(chǎn)品，對(duì)內(nèi)存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:212341 DDR3內(nèi)存。 兆易創(chuàng)新在電話會(huì)議中透露，自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計(jì)劃進(jìn)行，目前研發(fā)進(jìn)度跟預(yù)期基本一樣，預(yù)期明年上半年會(huì)有產(chǎn)品出來(lái)。 兆易創(chuàng)新表示，自研第一個(gè)產(chǎn)品會(huì)是DDR3， 4Gb，面向利基市場(chǎng)。 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東
2020-11-03 11:13:592021 4Gb DDR3 SDRAM E-die是一個(gè)32Mbit x 16 I/Os x 8個(gè)存儲(chǔ)單元的設(shè)備。這種同步設(shè)備實(shí)現(xiàn)高速雙數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)2133Mb/秒/引腳（DDR3-2133）的一般
2021-01-22 08:00:0012 ，DDR4 8Gb 及 4Gb 顆粒的價(jià)格企穩(wěn)，與 10 月份相比沒(méi)有發(fā)生變化。 不過(guò)，更低端的 DDR3 內(nèi)存價(jià)格發(fā)生了變化
2021-02-01 18:00:332343 了，未來(lái)幾年被取代是水到渠成的，不過(guò)DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺(tái)灣的
2021-02-02 11:27:393279 2021 年，DDR3內(nèi)存價(jià)格受缺貨影響預(yù)上漲 40%-50%，春節(jié)之后的價(jià)格就已經(jīng)上漲至3.3美元以上；三星2Gb DDR3價(jià)格再創(chuàng)歷史新高，從0.95美元漲至3美元左右。
2021-03-15 15:18:142472 DDR4意義就是把入門級(jí)內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3712884 帶來(lái)太大的影響。 三星對(duì)客戶通知2022年年終之前仍會(huì)繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單，并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后，SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)，不對(duì)客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存，不過(guò)三大芯片供應(yīng)商中的美光
2022-04-06 12:22:564679 摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003905 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450
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