是DDR4和DDR3,其他系列相對使用較少一些,本文主要以DDR4進行介紹。 1、選型 根據(jù)ZU+系列芯片的數(shù)據(jù)手冊、TRM、pg150等文檔,DDR可以掛載在PS側(cè),也可以掛載在PL側(cè),也可同時掛載在PS
2020-12-21 14:04:367224 為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性,并提供一種簡便的、帶寬效率高的自動化方式來初始化和使用內(nèi)存,我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0010212 ? 2022年4月20日,中國蘇州訊?—— 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布,將持續(xù)供應(yīng)DDR3產(chǎn)品,為客戶帶來超高速的性能表現(xiàn)。 ? 華邦的?1.35V DDR3 產(chǎn)品在?x8
2022-04-20 16:04:032554 DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù),中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國臺灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2022-11-28 09:17:063907 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡,這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 DDR5已經(jīng)開始商用,但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號,對信號完整性的要求就更加嚴(yán)格,JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24464 DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個時代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:563149 描述此參考設(shè)計展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲器的通用電源解決方案。同步降壓轉(zhuǎn)換器為 DDR3L 配置中的 9A 負載提供 1.35V 輸出電壓。線性穩(wěn)壓器提供為 2A 負載提供
2018-12-24 15:08:56
SDRAM可以用于程序和數(shù)據(jù)的存儲。DDR3特征:1)支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的JESD79-3C的設(shè)備2)33位的地址,使得其擁有8G的地址訪問空間3)支持16/32/64位數(shù)據(jù)總線寬度4)CAS延遲
2018-01-18 22:04:33
作者:一博科技高速先生自媒體成員 黃剛“我們的DDR3運行得很穩(wěn)定!”,“我們的DDR4系統(tǒng)的運行速率和帶寬都足夠了!”當(dāng)大家還在沉浸在DDR3和DDR4給你們帶來的穩(wěn)定和高帶寬高速率的時候,高速
2021-08-12 15:42:06
還未接觸過DDR4,在LAYOUT顆粒設(shè)計中,布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別?有哪些區(qū)別?
2019-03-07 10:11:39
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3,也沒有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話,DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號是通過沿采樣的嗎,電平采樣不行?無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好!關(guān)于DDR3,之前有小結(jié)過如果進行DDR3的SW leveling和進行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時,如果進行DDR3的問題定位,現(xiàn)小結(jié)一下,附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問題,可在樓下跟帖討論。謝謝!
2018-06-21 04:01:01
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走!
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的尋址方式有哪些?
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標(biāo)題,有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個適合你的列表創(chuàng)建一個
2021-07-29 06:58:22
(UG583)“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計用戶指南”的V1.10表示(通常)DDR4接口信號reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號的偏移約束。但是,在專門引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好嗎?
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么?DDR4全稱,DDR4-DRAM,與其他DDRDRAM一樣,是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字:存儲器
2021-11-11 07:13:53
DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點相比DDR3,DDR4存在諸多變更點,其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點主要有:?增加Vpp電源;?VREFDQ刪除;?CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為POD模式
2021-11-12 08:07:07
Detection;1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義對比如圖1所示,DDR3中存在VDD、VDDQ、VREFDQ、VREFCA四種電源,其中VDD=VDDQ=1.5V
2019-11-12 12:40:17
,顯存功耗也能進一步降低。 (4)通用性好:相對于DDR變更到DDR2,DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變,搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存
2011-02-27 16:47:17
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計。Gowin DDR3 參考設(shè)計可在高云官網(wǎng)下載,參考設(shè)計可用于仿真,實例化加插用戶設(shè)計后的總綜合,總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
筆記本內(nèi)存怎么選?LPDDR3一定不如DDR4嗎?真的是這樣嗎?這兩者有對比性嗎?
2021-06-18 06:37:32
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時時發(fā)集團亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
XILINX MIG(DDR3) IP的AXI接口與APP接口的區(qū)別以及優(yōu)缺點對比
2021-11-24 21:47:04
效能,不會在零售市場成為技術(shù)主流)當(dāng)市場需求超過4GB的時候,64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案,此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說:DDR2代的是240PIN的 (中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能,不會在零售市場成為技術(shù)主流)當(dāng)市場需求超過4GB的時候,64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案,此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說:DDR2代的是240PIN的 (中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
東莞專業(yè)收購DDR4東莞長期高價回收DDR4,專業(yè)收購DDR4,深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***,QQ:764029970//1816233102,mail
2021-05-08 17:42:19
了。速度方面,DDR4從2133MHz起跳,最高速度可達4266MHz,接近DDR3的三倍。原因在于,一方面DDR4除了可支持傳統(tǒng)SE信號外,還引入了差分信號技術(shù),即進化到了雙向傳輸機制階段;另一方面
2022-10-26 16:37:40
密不可分,它們也是DDR4區(qū)別于DDR3的主要技術(shù)突破。POD電平的全稱是Pseudo Open-Drain 偽漏極開路,其與DDR3對比簡單的示例電路如下圖二所示。圖二 POD示意電路從中可以看到
2022-12-16 17:01:46
仍不知道DDR3和DDR4這兩種規(guī)格的區(qū)別,以至于買回來的硬件并不兼容。下面和宏旺半導(dǎo)體一起來看一下DDR3和DDR4到底有哪些差別。DDR3是一種計算機內(nèi)存規(guī)格,它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供
2019-07-25 14:08:13
的設(shè)計,各個Bank Group具備獨立啟動操作讀、寫等動作特性,Bank Group 資料組可套用多工的觀念來想象,亦可解釋為DDR4 在同一時脈工作周期內(nèi),至多可以處理4 筆資料,效率明顯好過于DDR3
2019-08-01 10:17:46
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2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別: 1、邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計,目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始
2011-12-13 11:29:47
大家好,有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型?在參考fromxapp1180項目時,發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存: $ readmemh( “ddr3
2020-05-11 09:17:30
現(xiàn)在因為項目需要,要用DDR3來實現(xiàn)一個4入4出的vedio frame buffer。因為片子使用的是lattice的,參考設(shè)計什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實現(xiàn)這個vedio
2015-08-27 14:47:57
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù),中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
深圳專業(yè)收購DDR4深圳長期高價回收DDR4,專業(yè)收購DDR4,深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***,QQ:764029970//1816233102,mail
2021-01-30 17:36:35
回收DDR4,收購DDR4,24h開心財富熱線:趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長期專業(yè)高價回收flash, 回收DDR,回收手機字庫?;厥杖耭lash,回收
2021-09-08 14:59:58
怎么用FPGA檢測內(nèi)存條DDR4壞的單元數(shù)呢?1.我可以用一個僅支持DDR3的memory controllor的FPGA和作為一個平臺嗎?(有人說只需設(shè)置下FPGA就可以,不知道是不是這樣的)2.
2016-09-28 14:35:54
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
蘇州專業(yè)收購DDR4曉色又侵窗紙。窗外雞聲初起。蘇州長期高價回收DDR4,專業(yè)收購DDR4,深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收
2021-03-17 17:59:10
,不知道出現(xiàn)啥問題?求助解決方案,同時有個疑問DDR4是否可以使用,論壇中都是使用DDR3的教程。
log如下
2023-08-11 06:17:58
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里?DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比,有哪些優(yōu)勢呢?
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 從那時起,采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今,DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前,設(shè)計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn):DDR4,它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍,且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561648 總結(jié)了DDR和DDR2,DDR3三者的區(qū)別,對于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計用戶指導(dǎo)手冊(UG583)會給你提供很多不同的設(shè)計建議,頁數(shù)多達122頁。當(dāng)然不僅僅局限于存儲器的連接設(shè)計,我發(fā)現(xiàn)對于DDR3與DDR4 SDRAM的連接設(shè)計也特別的有意思
2017-02-08 10:04:09974 。 DDR4的I/O架構(gòu)稱為PSOD(Pseudo Open Drain),這個新的設(shè)計,將會帶來接收端功耗的變化,以及Vref電平的差異。接下來的將會討論PSOD輸出和上一代DDR3標(biāo)準(zhǔn)的差異。 POD
2017-10-13 20:13:1810 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝,管腳露在芯片兩側(cè)的,測試起來相當(dāng)方便;但是,DDRII和III就不一樣了,
2017-11-06 13:44:108454 Group具備獨立啟動操作讀、寫等動作特性,Bank Group 數(shù)據(jù)組可套用多任務(wù)的觀念來想象,亦可解釋為DDR4 在同一頻率工作周期內(nèi),至多可以處理4 筆數(shù)據(jù),效率明顯好過于DDR3。
2017-11-07 10:48:5152790 這段時間,DDR4內(nèi)存條價格持續(xù)處于高位,于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3,畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板,都已經(jīng)十分廉價,組個入門機還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變:
2017-11-08 15:42:2330895 您可能剛把計算機升級到DDR4的內(nèi)存,也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過不管怎樣,DDR5內(nèi)存要來了。 2017年3月,JEDEC協(xié)會宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前,DDR
2017-11-15 16:36:0340425 DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4925152 關(guān)鍵詞:JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn):DDR4,它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍,且功耗更低
2018-09-30 00:15:012117 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點,并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計,與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000 DDR5相比DDR4有什么新特性?
2020-01-10 14:21:0410082 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)包括了:一、DDR的布線分析與設(shè)計,二、DDR電路的信號完整性,三、DDR Layout Guide,四、DDR設(shè)計建議,六、DDR design checklist,七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來看,DDR3也許的確要比DDR4低一些,所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 了,未來幾年被取代是水到渠成的,不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域,比如Wi-Fi路由等,它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存,相比DDR4便宜不少,可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能,現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:393279 DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB,更大的容量...
2021-10-09 15:39:3712884 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點相比DDR3,DDR4存在諸多變更點,其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點主要有:? 增加Vpp電源;? VREFDQ刪除;? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者:AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范,包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1720 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術(shù),中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國臺灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 本文介紹一個FPGA開源項目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19745 內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機制,如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調(diào)整驅(qū)動和接收電路的特性,以優(yōu)化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34423 DDR3是2007年推出的,預(yù)計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56518 是目前使用最為廣泛的計算機內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它已經(jīng)服務(wù)了計算機用戶多年。但是,DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進步,成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz,而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003905 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030
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