為我國最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬片晶圓，而在去年七月份紫光集團(tuán)還參與了長江存儲的投資，計劃投資1600億元，打造國產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。 疑似紫光DDR4內(nèi)存（圖片來源于快科技） 我們所熟知的內(nèi)存條只是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中很小的一部分，而消費(fèi)
2017-12-28 16:53:27
2291 從2018年開始，世界的局勢越來越緊張，米國尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對我們?nèi)矫娴膹棄?，所以保證芯片的自立自主呼聲越來越高。之前我們也測試過一對紫光的DDR3內(nèi)存，不過從國產(chǎn)率和產(chǎn)品的先進(jìn)
2020-07-29 14:59:118053 為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡便的、帶寬效率高的自動化方式來初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0010212 
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個時代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:563149 ，這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:118110 和筆記本內(nèi)存、LPDDR4X低功耗內(nèi)存，號稱是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片，但需要單獨(dú)咨詢采購，沒有公開報價。 現(xiàn)在，紫光集團(tuán)旗下紫光國芯(UnilC)的內(nèi)存也上市了，而且公開上架京東商城，價格也如你所愿。 紫光內(nèi)存首批上架兩個系列三款型號，
2020-04-24 09:58:245759 今年2月底，長鑫存儲官方宣布，符合國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實現(xiàn)真正國產(chǎn)，并采用國產(chǎn)第一代10nm級工藝制造
2020-05-22 11:47:378324 0.675V 的第二個電壓。主要特色 已構(gòu)建完成并通過測試只需調(diào)節(jié)單個電阻器即可提供 DDR3、DDR3L、DDR3U 和 DDR4 的解決方案高效率極好的動態(tài)性能從容應(yīng)對瞬變極低紋波
2018-12-24 15:08:56
我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個說明他們的最高工作頻率不能超過400MHz，533MHz。。。但還有一個最低工作頻率要求，請問在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個指標(biāo)？為什么有這個要求？
2012-10-23 22:52:34
/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測獨(dú)立
2009-02-10 22:53:43
/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測獨(dú)立
2009-03-12 16:05:56
向量自動識別各種頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR
2009-08-17 22:58:49
頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2---------0—8G  
2009-03-13 15:46:57
/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測獨(dú)立
2009-02-10 22:50:27
/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨(dú)立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞區(qū)檢測獨(dú)立
2009-02-10 22:55:45
自動識別各種頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR
2009-08-17 23:00:19
轉(zhuǎn)載DDR3內(nèi)存詳解，存儲器結(jié)構(gòu)+時序+初始化過程2017-06-17 16:10:33a_chinese_man閱讀數(shù) 23423更多分類專欄：硬件開發(fā)基礎(chǔ)轉(zhuǎn)自：首先，我們先了解一下內(nèi)存的大體結(jié)構(gòu)工作流程，這樣會比較容量理解這些參數(shù)在其...
2021-07-27 07:10:34
還未接觸過DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計中，布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4就一定比DDR3好嗎？
2021-06-18 06:22:29
DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：?增加Vpp電源；?VREFDQ刪除；?CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為POD模式
2021-11-12 08:07:07
://blog.csdn.net/qq_42682826/article/details/102970701DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)
2019-11-12 12:40:17
的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預(yù)計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DDR4 DDR4內(nèi)存峰會 據(jù)介紹美國JEDEC將會在不久之后啟動
2011-02-27 16:47:17
ddr3內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則
2021-07-22 06:02:39
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實現(xiàn)這個內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
＆amp; 14用于DDR3內(nèi)存接口，但由于我使用的是3.3V的fash存儲器IC，我必須使用bank 14進(jìn)行閃存存儲器接口。原因是需要的資源僅在Bank 14中可用.DDR3存儲器連接的bank應(yīng)該工作在
2020-04-17 07:54:29
2、DDR3、DDR4、DDR5，然后是正在研發(fā)的DDR6。從DDR技術(shù)和JEDEC規(guī)范的演進(jìn)過程中，我們可以看到，為了配合整體行業(yè)對于性能、內(nèi)存容量和功耗的不斷追求，規(guī)范的工作電壓越來越低，芯片容量
2022-10-26 16:37:40
仍不知道DDR3和DDR4這兩種規(guī)格的區(qū)別，以至于買回來的硬件并不兼容。下面和宏旺半導(dǎo)體一起來看一下DDR3和DDR4到底有哪些差別。DDR3是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格，它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供
2019-07-25 14:08:13
SDRAM ）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的頻寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 資料組
2019-08-01 10:17:46
佛山回收DDR4高價回收DDR4，佛山專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-07-15 19:36:21
佛山回收DDR4高價回收DDR4，佛山專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-12-27 19:25:08
、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別: 1、邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計，目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始
2011-12-13 11:29:47
回收DDR內(nèi)存芯片全新原裝DDR收購回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3，DDR4帝歐電子先生 趙先生 135-3012-2202同步微信 QQ：8798-21252） 長期現(xiàn)金
2021-01-09 17:57:31
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項目時，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr3
2020-05-11 09:17:30
樹莓派3的內(nèi)存是不是DDR3的？
2016-03-26 16:00:58
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
回收DDR4，收購DDR4,24h開心財富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長期專業(yè)高價回收flash， 回收DDR，回收手機(jī)字庫?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
蘇州專業(yè)收購DDR4曉色又侵窗紙。窗外雞聲初起。蘇州長期高價回收DDR4，專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收
2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 從那時起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033 
目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多，但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身：這款產(chǎn)品出自臺灣廠商Avexir(宇帷)之手，默認(rèn)頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241077 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39
471 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計，各個Bank
2017-11-07 10:48:5152790 
這段時間，DDR4內(nèi)存條價格持續(xù)處于高位，于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價，組個入門機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330896 您可能剛把計算機(jī)升級到DDR4的內(nèi)存，也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過不管怎樣，DDR5內(nèi)存要來了。 2017年3月，JEDEC協(xié)會宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前，DDR
2017-11-15 16:36:0340425 
DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4925152 DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場中國沒有足夠的話語權(quán)，都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報道，紫光打造的中國第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問世，讓我們看到了國產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261336 回首過去一年的存儲芯片市場，漲價永遠(yuǎn)都是關(guān)鍵詞，一連7個季度的漲價，這是由于閃存、內(nèi)存漲價有市場供需失衡的原因，中國在這個領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán)。紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存讓我們看到了國產(chǎn)DDR4量產(chǎn)的希望。韓企壟斷的局面將被打破。
2017-12-28 16:48:211323 目前中國正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但是在內(nèi)存市場卻有一些缺憾，全球內(nèi)存市場幾乎被美國、韓國壟斷，去年的內(nèi)存價格居高不下?，F(xiàn)在目前國內(nèi)正在發(fā)展存儲芯片，國產(chǎn)DDR4內(nèi)存邁出第一步。
2018-03-01 10:12:0524146 目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒有使用國產(chǎn)顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國公司的顆粒，也就是說現(xiàn)在的國內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場上其他內(nèi)存條沒有什么區(qū)別，國產(chǎn)的只是PCB之類的。不過店家也很坦誠，說紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問世。
2018-03-05 09:36:013022 國產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢？值得入手嗎？為了解決大家的疑問，我們?yōu)榇蠹規(guī)?b class="flag-6" style="color: red">來了紫光DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評測，幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實性能。
2018-03-12 13:56:009783 
上取得了突破，下半年更會推出主流的DDR4內(nèi)存芯片。似乎中國已經(jīng)要趕上國外主流水準(zhǔn)，但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過時，新的內(nèi)存即將取代，這無疑給國內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當(dāng)頭一棒。
2018-04-05 15:47:004698 國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示，目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預(yù)計今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。
2018-07-30 15:55:471250 近日不少有關(guān)國產(chǎn)自主DDR4內(nèi)存的報道，目前已有合肥長鑫、長江存儲、福建晉華三家公司宣布2019年完成LPDDR4芯片?，F(xiàn)在最新消息，紫光宣布國產(chǎn)DDR4內(nèi)存2018年年底提前推向市場。
2018-08-07 16:42:502505 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 早在2017年，國內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息便一直甚囂塵上，其中的代表便是紫光公司，擁有國家政策與資金的扶持之下，終于做出了重要的突破。在今年上半年，憑借英飛凌、奇夢達(dá)的基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上取得了突破
2018-11-15 08:58:517259 這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達(dá)基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國際主流水平。
2018-12-11 09:23:161543 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號(時鐘)不是獨(dú)立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:093598 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029 嚴(yán)格來說，合肥長鑫的內(nèi)存不是第一款國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，紫光旗下的紫光國微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā)，也曾少量用于國產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中，但是紫光國微沒有生產(chǎn)能力，DDR內(nèi)存無法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:112744 2 月 28 日訊，國產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281061 江波龍電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860 大幅降低功耗和時延。賽靈思穩(wěn)定可靠的內(nèi)存解決方案可加速設(shè)計進(jìn)程，并增加了對DDR4接口的支持。 UltraScaleFPGA器件中的新增DDR4內(nèi)存接口可提供超過1Tb/s的存儲帶寬，能夠滿足視頻成像
2020-05-28 15:00:573996 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 2019年國內(nèi)的合肥長鑫推出了國產(chǎn)DDR4內(nèi)存，結(jié)束了國內(nèi)沒有DRAM芯片自產(chǎn)的日子，此后也有其他公司準(zhǔn)備進(jìn)軍內(nèi)存市場，比如兆易創(chuàng)新。該公司日前透露了其內(nèi)存計劃，2021年上半年將推出4Gb
2020-11-03 11:13:592021 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418076 
嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:101663 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會馬上被淘汰，但前景肯定不會多好
2021-02-02 11:27:393279 DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3712884 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154 帶來太大的影響。 三星對客戶通知2022年年終之前仍會繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單，并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后，SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)，不對客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存，不過三大芯片供應(yīng)商中的美光
2022-04-06 12:22:564679 ARES RGB DDR4?臺式電腦內(nèi)存 ? ? ?
2022-04-25 10:32:00276 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003905 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440
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