國產(chǎn)首枚DDR4內(nèi)存亮相 打破了海外市場的壟斷

2 月 28 日訊，國產(chǎn)首枚?DDR4?內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國際通行標準規(guī)范。

對于國產(chǎn)軟硬件，國內(nèi)的科技愛好者一直是非常關注的，從硬盤、處理器再到系統(tǒng)，國產(chǎn)廠商一直都在力求突破自我。到了今天，國產(chǎn)芯片終于是打破了海外的壟斷，擁有了真正自己架構，真正屬于自己的內(nèi)存。

據(jù)介紹，長鑫生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存芯片，可以匹配主流 PC 市場需求。它支持多領域應用、多產(chǎn)品組合，并有充分的可靠性保障。在規(guī)格方面，長鑫 DDR4 內(nèi)存芯片有兩款可以選擇，單顆容量為 8Gb(1GB)，頻率 2666MHz，電壓 1.2V，工作溫度 0℃至 95℃，提供 78ball、96ball FBGA 兩種封裝樣式。

長鑫同樣提供了面向筆記本的 LPDDR4X 內(nèi)存芯片，號稱其可以匹配主流筆電需求，高速低功耗，可提供更高的續(xù)航能力、更低的功耗設計、穩(wěn)定流暢的體驗。在規(guī)格方面，長鑫 LPDDR4X 同樣有兩種規(guī)格可供選擇，分別是單顆容量 2GB 和 4GB，頻率 3733MHz，工作電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃至 85℃，200ball FBGA 封裝。

成品的 DDR4 內(nèi)存條自然也是有的，長鑫 DDR4 內(nèi)存條將采用了自家的原廠內(nèi)存顆粒，自主開發(fā)設計，容量為 8GB，DDR4 2666 頻率，筆記本和 PC 版本都有。

長鑫存儲有限公司的事業(yè)于 2016 年在安徽合肥啟動，公司主要專業(yè)從事 DRAM 內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座 12 英寸晶圓廠并投產(chǎn)，是國內(nèi)規(guī)模最大、技術最先進的 DRAM 設計制造一體化企業(yè)。

在去年底，長鑫存儲與加拿大 Wi-LAN Inc. 旗下全資子公司 Polaris Innovations Limited 達成了合作，成功獲得原內(nèi)存制造商奇夢達開發(fā)的 DRAM 內(nèi)存專利許可和專利采購權。依據(jù)獨立的專利采購協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 購得了相當數(shù)量的 DRAM 專利。

回顧歷史，2000 年推出了 DDR，2003 年 DDR2，2007 年 DDR3，2014 年 DDR4。按照規(guī)劃，2020 年開始 DDR5 會逐漸走入消費市場，首先是移動設備，然后是 PC。

此外，5G 和云的持續(xù)發(fā)展，也是存儲市場回暖的一個推手。

5G 網(wǎng)絡的推進，也會促進 LPDDR5 的應用與普及，高速的網(wǎng)絡需要高速的存儲性能與之配套。美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁 Christopher Moore 就表示，5G 網(wǎng)絡的部署將大大促進 LPDDR5 的應用與普及。

此外，服務器端、云存儲、汽車等領域，都將逐漸采用 DDR5 規(guī)格，用來滿足日益增長的性能需求。到 2022 年前后，DDR5/LPDDR5 有望超越 DDR4 成為市場主流。

長鑫存儲的規(guī)劃圖顯示，公司下一代將推出第二代 10nm（17nm）技術，DDR5 也在下一期規(guī)劃當中。

總之，今年是存儲市場開始回暖的一年，對于中國存儲來說，長鑫的 DDR4 是一個節(jié)點，標志著中國的 DRAM 在應用市場追上了主流水平。不過，技術上的差距仍然肉眼可見。

未來幾年，隨著 PC 市場也開始過渡到 DDR5。當這一規(guī)格成為主流后，中國廠商們無疑將會面對的更大的挑戰(zhàn)。