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三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

cMdW_icsmart ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-07-13 14:22 ? 次閱讀

據(jù)外媒7月10日報(bào)道,頂級NAND閃存芯片制造三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。

三星第五代V-NAND內(nèi)存芯片是業(yè)內(nèi)第一個(gè)利用Toggle DDR 4.0接口的產(chǎn)品。該接口被稱為數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咚俟?,在存儲之間的傳輸速度可達(dá)1.4 Gbps。與前一代產(chǎn)品相比,后者使存儲的傳輸速度提高了40%。此外,新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙,與前一代相比改進(jìn)了30%,讀取信號時(shí)間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能,電壓從1.8V降至1.2V。

為了實(shí)現(xiàn)上述所有的改進(jìn),新一代V-NAND配備了90層的3D TLC 閃存存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結(jié)構(gòu),中間有微小孔。這些小孔用作通道,尺度僅有幾百微米寬,包含超過850億個(gè)閃存單元,每個(gè)單元存儲多達(dá)3比特?cái)?shù)據(jù),單Die容量達(dá)256Gb(32GB)。這種制造方法包括了許多先進(jìn)技術(shù),比如電路設(shè)計(jì)、新工藝技術(shù)等。具體細(xì)節(jié)三星未詳述,但該公司稱,V-NAND的改進(jìn)使其生產(chǎn)效率提高了30%以上。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:三星宣布大規(guī)模生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

文章出處:【微信號:icsmart,微信公眾號:芯智訊】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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