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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子技術(shù)應(yīng)用>電子常識(shí)>MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng):

MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng):

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場效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng),即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓,使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移,從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46177

一文詳解場效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中,場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04205

MOS場效應(yīng)晶體管的特性與原理

MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS)是一種新型的半導(dǎo)體器件,圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖,即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū),其中一個(gè)稱源,用S表示,另一個(gè)稱漏,用D表示,在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層,并引出一電極,稱柵,用G表示。應(yīng)用中 D接正,8接地,G用正電源控制。
2023-09-19 11:06:05130

MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的簡稱,有時(shí)候我們也會(huì)簡寫成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:24440

NP160N055TUKMOS場效應(yīng)晶體管

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2023-07-07 18:41:520

功率MOS場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過程

功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19185

場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

  場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場效應(yīng)的三極。與普通的三極相比,場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小,因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:372186

場效應(yīng)晶體管的作用

場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn),這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769

場效應(yīng)晶體管的分類

場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應(yīng)),使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏??刂茩M向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:08669

場效應(yīng)晶體管工作原理

場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件,并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電,所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor,縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23375

NP160N055TUKMOS場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)管的分類

場效應(yīng)晶體管MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。見下圖。
2009-04-25 15:38:10

場效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路,場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路,其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:001635

AGM408M 40V12A mos場效應(yīng)晶體管_驪微電子

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結(jié)型場效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用

結(jié)型場效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。
2021-03-19 16:11:1727

MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場效應(yīng)管安裝及拆卸流程

MOS場效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類,不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:006720

場效應(yīng)晶體管的分類說明

場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類,體(金屬氧化物半導(dǎo)體型)兩大類??煞譃橐韵?種??煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管
2020-09-18 14:08:446615

如何進(jìn)行場效應(yīng)晶體管的分類和使用

場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:0520

場效應(yīng)晶體管的簡單介紹

場效應(yīng)晶體管(FET)簡稱場效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103

FET場效應(yīng)晶體管掃盲

一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫,稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管場效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:187650

功率場效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)

功率場效應(yīng)晶體管(VF)又稱VMOS場效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中,它有著比晶體管MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0924617

功率場效應(yīng)晶體管的工作特性

功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:319321

場效應(yīng)晶體管六大選擇技巧

隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度,大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高,在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中,不僅是開關(guān)電源電路中,也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場效應(yīng)晶體管
2019-08-18 10:07:524880

隧穿場效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場效應(yīng)晶體管的介紹

隧穿場效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿(Band-to-band tunneling或者BTBT)。
2018-01-03 15:32:4525373

有機(jī)場效應(yīng)晶體管是什么_有機(jī)場效應(yīng)晶體管介紹

本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 14:20:4423458

場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類_場效應(yīng)晶體管作用是什么

場效應(yīng)晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性。
2017-12-20 17:54:5812926

VMOS功率場效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用

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場效應(yīng)晶體管介紹

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場效應(yīng)晶體管的分類及使用

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溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管AO4407A_datasheet

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2016-05-11 11:08:0523

增強(qiáng)型和耗盡型場效應(yīng)晶體管

總的來說,場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能
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場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路

場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路 場效應(yīng)晶體管(簡稱場效應(yīng)管)有結(jié)型(J-FET)和絕緣柵型(MOS-FET)兩類。 場效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似
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場效應(yīng)晶體管放大器

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薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)

薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-LCD) TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場效應(yīng)晶體管LCD,是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。 和TN技術(shù)不
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么?

結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么? 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 利用場效應(yīng)原理工作的晶體管,簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小,
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場效應(yīng)晶體管的分類及使用

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什么是場效應(yīng)晶體管

場效應(yīng)晶體管 場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即
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功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理

功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理 功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小
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