場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路

場效應(yīng)晶體管 開關(guān)電路

場效應(yīng)晶體管（簡稱場效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。

場效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似雙極型三極管，許多場合可代替雙極型三極管。然而與雙極型二極管比較具有一些重要特性。

1、輸入阻抗高

場效應(yīng)管是電壓控制器件，無論其導(dǎo)通或截止，輸入阻抗都很高，尤其MOS-FET，幾乎不取控制信號源電流。

2、雙向?qū)щ娞匦?/B>

場效應(yīng)管的漏和源有相同的結(jié)構(gòu)而特性相同，只要襯底不與源相接，源和漏可互換使用，因而具有雙向?qū)щ姷奶攸c，比雙極三極管應(yīng)用靈活。

3、漏電小

場效應(yīng)管在截止時，漏源之間阻抗非常高，因而漏電非常微小，絕緣度高。

4、內(nèi)阻大

場效應(yīng)管導(dǎo)通時比雙極型三極管大，這一缺點限制了它的應(yīng)用范圍，應(yīng)用時可采用源極跟隨器等措施加以克服。

5、MOS-FET易損壞

MOS-FET的柵極易被電壓擊穿而損壞，使用時應(yīng)加保護措施。

本文地址：http://wenjunhu.com/article/88/131/jidianqi/2010/20100524218455.html

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