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結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表
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場效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46
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功率MOS場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過程
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19185
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場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:372186
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場效應(yīng)晶體管的作用
場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
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場效應(yīng)晶體管工作原理
場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23375
375場效應(yīng)管的分類
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的?！ ?b style="color: red">場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點(diǎn)
結(jié)型場效應(yīng)晶體管，簡稱JFET，已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開關(guān)電路的各種電子電路中。
2023-02-09 15:11:3010665
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場效應(yīng)晶體管放大電路詳解
場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:001635
16358.1 結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.1.1夾斷電壓8.1結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS
2022-02-16 09:43:48177
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N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管JHW10N60數(shù)據(jù)手冊(cè)
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2022-01-23 10:53:16
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1AOD4185/A014185P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
AOD4185/A014185P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
2021-09-29 18:06:102
260V互補(bǔ)增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管AO4612數(shù)據(jù)手冊(cè)
60V互補(bǔ)增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管AO4612數(shù)據(jù)手冊(cè)
2021-08-23 17:03:140
0淺談結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性
結(jié)型場效應(yīng)晶體管的溝道由 N 型半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體材料組成，柵極由相反的半導(dǎo)體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質(zhì)，其中通過溝道的電流以電子的形式為負(fù)。P 溝道摻雜受主雜質(zhì)，其中電流以空穴的形式流動(dòng)
2021-06-14 03:42:004840
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用的PDF電子書免費(fèi)下載
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是結(jié)型場效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用的PDF電子書免費(fèi)下載。
2021-03-24 14:20:12122
122場效應(yīng)晶體管的分類說明
場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類?？煞譃橐韵?種?？煞譃?b style="color: red">結(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:446615
6615結(jié)型場效應(yīng)晶體管工作原理
結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n結(jié)柵極（G）與源極（S）和漏極（D）構(gòu)成的一種具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通過電壓改變溝道的導(dǎo)電性來實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的控制。
2020-08-07 17:15:336719
6719NE3512S02異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
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2020-07-22 08:00:008
8如何進(jìn)行場效應(yīng)晶體管的分類和使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:0520
20場效應(yīng)晶體管的簡單介紹
場效應(yīng)晶體管（FET）簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103
103FET場效應(yīng)晶體管掃盲
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
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2019-10-11 10:51:0924617
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MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。
2019-10-11 10:33:297460
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功率場效應(yīng)晶體管的工作特性
功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
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隧穿場效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場效應(yīng)晶體管的介紹
隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
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有機(jī)場效應(yīng)晶體管是什么_有機(jī)場效應(yīng)晶體管介紹
本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場效應(yīng)晶體管。
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場效應(yīng)晶體管的分類及使用
電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管的分類及使用
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18溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管AO4407A_datasheet
AO4407A_datasheet P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。
2016-05-11 11:08:0523
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20511結(jié)型場效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)的理論分析
本文用標(biāo)準(zhǔn)的松弛方法研究了結(jié)型場效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)。利用準(zhǔn)平面拉普拉斯方程及有限差分法計(jì)算了不同的霍爾電勢(shì)分布與磁靈敏度
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107雙極結(jié)型晶體管/絕緣柵場效應(yīng)晶體管/PN結(jié)晶體管習(xí)題集
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11575場效應(yīng)晶體管放大器
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場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么?
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管 利用場效應(yīng)原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小，
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場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
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6293功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
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MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng): MOS場效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論