MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法

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晶體管(132990) 晶體管(132990)

評(píng)論

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-09-28 17:10:46

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一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 09:31:04

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MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性與原理

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū)，其中一個(gè)稱(chēng)源，用S表示，另一個(gè)稱(chēng)漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱(chēng)柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。

2023-09-19 11:06:05

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MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱(chēng)，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫(xiě)成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。

2023-07-11 10:56:24

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NP160N055TUKMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2023-07-07 18:41:52

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 14:57:19

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。

2023-05-17 15:15:37

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。

2023-05-16 15:20:04

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱(chēng)為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫(xiě)為FET。

2023-05-16 15:02:23

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NP160N055TUKMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2023-03-17 19:50:16

場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。見(jiàn)下圖。

2009-04-25 15:38:10

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類(lèi)似。

2022-11-30 09:30:00

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AGM408M 40V12A mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管_驪微電子

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。

2021-03-19 16:11:17

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場(chǎng)效應(yīng)管安裝及拆卸流程

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類(lèi)，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。

2020-10-02 18:06:00

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)說(shuō)明

場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類(lèi)，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類(lèi)?？煞譃橐韵?種?？煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2020-09-18 14:08:44

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如何進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)和使用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。

2020-07-02 17:19:05

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)單介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

2020-07-02 17:18:56

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FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管掃盲

一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)

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兩列典型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用電路

電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過(guò)漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過(guò)柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極。

2019-10-13 15:33:00

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱(chēng)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。

2019-10-11 10:51:09

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作特性

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2019-10-11 10:26:31

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管六大選擇技巧

隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開(kāi)關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹

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低成本有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究取得新進(jìn)展

低成本有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究取得新進(jìn)展近年來(lái)，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標(biāo)簽等方面的潛在應(yīng)用前景而備受學(xué)術(shù)界和工業(yè)界

2008-11-26 08:21:22

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