場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識
一、場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)
2009-11-09 15:18:53
3751 總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2020788 場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:002409 MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241290 
在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04947 
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41555 
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應(yīng)晶體管是一種改變電場來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時就不需要把各管腳短路了。 MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項?！ OS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高
2011-12-19 16:30:31
場效應(yīng)晶體管的K值得問題：在研究學(xué)習(xí)楊建國老師的負(fù)反饋和運(yùn)算放大器基礎(chǔ)這本書的時候，發(fā)現(xiàn)有一道題的一個參數(shù)不知道什么意思，請大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個參數(shù)是什么意思呢？多謝！~
2019-04-04 11:47:20
MOS管在絕緣柵型場效應(yīng)管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。電路符號G,D,S極怎么區(qū)分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
（1）場效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05
`一、場效應(yīng)晶體管特點(diǎn)場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異
2019-03-25 16:16:06
`在電子元器件行業(yè)，場效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的“神器”，那是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，所以在開關(guān)電路中迅速走紅， 可是一提起場效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
運(yùn)動的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
`場效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對于絕緣柵型場效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)電壓過高而形成的擊穿因素。場效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時應(yīng)留意以下幾點(diǎn)：1、場效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時要留意
2019-03-22 11:43:43
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機(jī)驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計.doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識.doc全系列場效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
載流子導(dǎo)電并在側(cè)向電場控制下通斷的晶體管稱為場效應(yīng)晶體管,場效應(yīng)晶體管可以按結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管；按MOS場效應(yīng)晶體管中空穴、電子參與導(dǎo)電分別將兩類MOS場效應(yīng)晶體管稱為PMOS
2012-07-11 11:42:48
在場效應(yīng)管對照表中，收編了美國、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場次晶體管（MOSFET）、肖特基勢壘控制柵場效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
的分類還沒結(jié)束，每種類型的管子又可分為N型管和P型管，所以說場效應(yīng)晶體管下面可以分為6種類型的管子，分別是N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管、P溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管、N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管、P溝道增強(qiáng)型
2019-04-15 12:04:44
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫，也叫場效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管?！ ∑矫媾c三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOS_場效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
`在電子元件行業(yè)，晶體三極管與場效應(yīng)晶體管都是備受推崇的兩種電子元件，尤其在開關(guān)電源方面?zhèn)涫茈娮庸こ處煹那嗖A，可是對于剛?cè)腴T的采購，究竟該如何去選晶體三極管與場效應(yīng)晶體管，晶體三極管簡稱三極管
2019-04-09 11:37:36
`電子元器件市場中，以場效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛，可是對于場效應(yīng)晶體管的參數(shù)，大家都是一籌莫展，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管的參數(shù)有很多，其中包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)等，但普通運(yùn)用時只需關(guān)注
2019-04-04 10:59:27
`隨著便攜式電子產(chǎn)品的興盛，人們的生活發(fā)生看翻天覆地的變化，然而這一切都與電子元器件行業(yè)的兩位領(lǐng)軍人物有著不可分割的關(guān)系，那就是三極管與場效應(yīng)晶體管，他們深受電子行業(yè)的鐘愛，三極管(BJT
2019-04-08 13:46:25
制成的二極管、晶體管、場效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類：雙極晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
本文探討了鰭式場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們在各種應(yīng)用中的用途，以及它們相對于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)?！ ∈裁词泅捠?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管？ 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個放大器和一個
2023-02-24 15:25:29
對芯片作底層支撐的場效應(yīng)晶體管，一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計時，工程師會更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場效應(yīng)晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場效應(yīng)晶體管的什么性能呢？應(yīng)從
2019-04-01 11:54:28
`功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
1. 場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而場效應(yīng)晶體管是電壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場效應(yīng)晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
`我們常接觸到場效應(yīng)管，對它的運(yùn)用也比較熟習(xí)，相對來說對場效應(yīng)晶體管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)晶體管有其共同的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱動搖性好等，在我們的運(yùn)用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`晶體三極管簡稱三極管，和場效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之一，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不一樣，普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
``隨著便攜式電子產(chǎn)品浪潮的飛速發(fā)展，我們的生活便于電子產(chǎn)品如影隨形，你可能不知道，在生產(chǎn)電子產(chǎn)品的過程中，有一種電子元件，深受電子工程師的青睞，那就是場效應(yīng)晶體管，我們常接觸到晶體三級管，對它
2019-03-26 11:53:04
`一、場效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度，我們對電子產(chǎn)品性能的要求也越來越高，在一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計與研發(fā)中，不光是開關(guān)電源電路中，還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會用到場效應(yīng)晶體管
2019-04-02 11:32:36
`在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
場效應(yīng)晶體管的分類及使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2010-01-13 16:01:59
133 雙極結(jié)型晶體管/絕緣柵場效應(yīng)晶體管/PN結(jié)晶體管習(xí)題集:第二章 PN結(jié)填空題1、若某硅突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:2613 場效應(yīng)晶體管放大電路的動態(tài)分析
共源組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
共漏組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
2010-09-25 16:21:2574 MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項: MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下
2009-03-11 22:22:50915
結(jié)型場效應(yīng)晶體管采樣與保持電路圖
2009-04-09 09:28:07733 
場效應(yīng)晶體管電壓表電路圖
2009-04-15 09:24:03801 
功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小
2009-04-25 16:05:109126 
場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:156578 場效應(yīng)晶體管氣敏差分電路圖
2009-06-08 09:43:22743 
場效應(yīng)晶體管TVS保護(hù)電路圖
2009-06-08 14:53:551064 
新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管
摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFE
2009-07-16 09:01:321457 
MOS場效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應(yīng)
2009-09-05 15:17:18839 
結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表
這個非常簡單的
2009-09-24 14:45:47835 
結(jié)型場效應(yīng)晶體管是什么?
結(jié)型場效應(yīng)晶體管 利用場效應(yīng)原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小，
2010-03-04 15:58:133672 薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)
TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場效應(yīng)晶體管LCD，是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。
和TN技術(shù)不
2010-03-26 17:22:234824 絕緣柵場效應(yīng)晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531496 
場效應(yīng)晶體管放大器
場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)
2010-04-16 10:08:574970 
場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場效應(yīng)晶體管（簡稱場效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似
2010-05-24 15:26:0611673 本文用標(biāo)準(zhǔn)的松弛方法研究了結(jié)型場效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)。利用準(zhǔn)平面拉普拉斯方程及有限差分法計算了不同的霍爾電勢分布與磁靈敏度
2011-09-15 14:53:20107 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——場效應(yīng)晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用
2017-09-21 11:21:2429 場效應(yīng)晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性。
2017-12-20 17:54:5813555 本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個方面介紹了有機(jī)場效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 14:20:4424659 
隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4527183 
隨著電子設(shè)備升級換代的速度，大家對于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場效應(yīng)晶體管
2019-08-18 10:07:525086 判別結(jié)型場效應(yīng)晶體管DS2Y-S-DC5V的管腳。用萬用表的R×lk擋，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個管腳間的正、反向電阻相等，則這兩個管腳為漏極和源極，余下的一個管腳即為柵極。
2019-08-18 10:32:064178 
功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:319865 
MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。
2019-10-11 10:33:297965 
功率場效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926486 
電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:005256 
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:188778 
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:0520 場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類?？煞譃橐韵?種?？煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:447386 MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:007604 結(jié)型場效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。
2021-03-19 16:11:1727 GaAsFET（砷化鎵場效應(yīng)晶體管）是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:423271 場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23698 場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041372 
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:374166 
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46800 選擇場效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38165 【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:44354 
場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54833
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