三洋推出面向專業(yè)音響設(shè)備的可充電式電源Eneloop music booster
三洋公司近日發(fā)布了一款面向專業(yè)音響設(shè)備的供電產(chǎn)品Eneloop music booster，這款獨特的產(chǎn)品內(nèi)部集成了9V鋰電
2009-12-30 10:54:35
947 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標準封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS（on）。另外，得益于低開關(guān)損耗，還可在任何負載條件下實現(xiàn)能效改進。
2013-05-20 11:31:282572 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361028 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181494 
7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET （一種表面貼裝器件）。它將三個應(yīng)用整合在一起，在一個尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實現(xiàn)了三個一系統(tǒng)的設(shè)計，具有重要
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
S7 1200 與Labview TCP/IP通訊測試labview監(jiān)控I輸入和控制輸出。
2017-05-31 22:53:26
通過以太網(wǎng)與S7-300系列PLC通信，不需要適配器。該示例提供了一個API，用于讀取/寫入PLC上的寄存器。[tr]據(jù)我所知，西門子從未公布過S7協(xié)議的細節(jié)。在S7上公開提供的大部分內(nèi)容都是
2019-02-15 23:51:31
我們來介紹下S7-200 Smart PLC的S7單邊通信指令。
2021-01-06 06:12:42
S7通信是S7系列PLC基于MPI、PROFIBUS、ETHERNET網(wǎng)絡(luò)的一種優(yōu)化的通信協(xié)議，主要用于S7-300/400PLC之間的通信。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)S7-1200與S7-200 SMART
2020-12-22 16:00:28
這是S7-1200與S7-200 Smart系列PLC的S7通信教程的第1篇文章。本章我們打算和大家聊聊西門子的S7通信協(xié)議。
2020-12-30 07:47:04
需謹慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進行的。例如
2019-03-06 06:30:00
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計工
2018-12-06 09:46:29
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
、LED照明及許多未知恒流領(lǐng)域。新的恒流器件能在寬輸入電壓范圍（最高耐壓100V）內(nèi)工作而無需任何輔助元件，為各領(lǐng)域工程師提供適合他們應(yīng)用的簡單、高性價比恒流方案，且不須放棄性能。 S系列恒流二極管提供
2011-06-02 12:08:22
20世紀60年代末就提出了IGBT的構(gòu)想，但直到20世紀80年代中期才推出商用化的IGBT器件。第一代IGBT采用“穿通”（PT）工藝，開關(guān)頻率可以達到15 kHz，但當(dāng)多個這樣的器件并聯(lián)時，集電極
2018-12-03 13:47:00
，如圖5和圖6所示。圖5和圖6將新一代基于C6技術(shù)的650V CFD2器件與英飛凌前代基于C3技術(shù)的600V CFD進行對比。 圖5Qrr 與通態(tài)電阻關(guān)系，測量條件為25°C 。將80 m?、310 m
2018-12-03 13:43:55
你好，我正在測試可升級的堆棧的OTA固件更新功能。固件更新過程使用Moto G4 Android設(shè)備正常工作，但在Android 7的三星Galaxy S7邊緣，該過程陷入了輸入Bootloader
2018-12-24 16:14:53
GTO一般最高只能做到幾百Hz,但功率較大，已達到3000A、4500V的容量。GTR目前其額定值已達1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14:51
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
LED12-85V輸入降壓恒流無需防反接二極管無續(xù)流二極管外圍超簡單！超高性價比LED驅(qū)動方案！12-85V降壓恒流驅(qū)動芯片車燈IC高精度1%產(chǎn)品描述 特點應(yīng)用領(lǐng)域 應(yīng)用原理圖 AP2918 是一
2020-09-11 21:35:43
Labview 的S7 200 modbu程序s 協(xié)議
2015-12-17 08:56:58
散熱性能。結(jié)論通過推出適用于200 V和250 V電壓級的OptiMOS 3器件，如今，英飛凌科技的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋從25V至250V的整個電壓范圍。無論任何電壓等級，OptiMOS 3都具備一流的靜態(tài)
2018-12-07 10:21:41
SIMATIC是什么？SIMATIC包括哪些？SIMATIC S7 PLC是什么？SIMATIC S7 PLC分為哪幾類？
2021-09-27 08:16:19
renesas touchgfx demo on synergy s7 pe-himi1 源代碼，請問誰有？可發(fā)送一下給我，郵箱sm2669@163.com,謝謝！
2020-02-20 11:45:31
vivo手機s7是5g手機嗎，8月3日，vivo發(fā)布了最新的5G旗艦機型S7。S7 170g的整機重量和7.39mm的機身厚度，瞬間讓其成為年輕用戶追捧的熱點。一、厚重的5G手機眾所周知，5G手機
2021-07-27 07:29:15
高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。顯然，要想顯著減小RDS(on)的值，就需要找到一
2017-08-09 17:45:55
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動器
2018-09-01 09:53:17
低內(nèi)阻超結(jié)MOS NCE08N608A 600V內(nèi)阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
大聯(lián)大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飛凌汽車LED大燈驅(qū)動解決方案，不同于傳統(tǒng)白熾燈需要恒定直流電源供電，而且需要一系列保護功能和狀態(tài)回饋，LED將讓汽車照明更有效率且具有更多優(yōu)勢
2018-12-12 09:50:04
國內(nèi)第一顆量產(chǎn)超結(jié)MOS（可替代英飛凌coolmos）大家好！我司是國內(nèi)專業(yè)設(shè)計大功率MOS器件的公司。現(xiàn)我司已經(jīng)實現(xiàn)了SJ-MOS的量產(chǎn)，可替代英飛凌的coolmos。這是我公司的網(wǎng)址
2011-01-05 09:49:53
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價值，特別適用于對功率密度提升有需求，同時更強調(diào)性價比
2023-02-28 16:48:24
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
本文重點介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
如何去搭建一種基于S7-PLCSIMAdvanced的S7通信仿真環(huán)境？在搭建好仿真環(huán)境后需注意哪幾個地方？
2021-08-09 07:23:49
介紹下如何在S7-1200和S7-200 Smart之間進行S7單邊通信。
2021-01-15 06:00:38
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
`常年高價回收西門子CPU(S7-200/S7-300/s7???-400-s7500)模塊，大量高價收購西門子S7-300、400、6GK、6DD、6SL、6FC、6SN、6SE、6EP、6SX
2020-06-09 08:23:08
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
創(chuàng)客的創(chuàng)意及技術(shù)并沒有好到這個程度，要么有了一個能顛覆全球的創(chuàng)意，但被技術(shù)實力捆手捆腳，回饋你的只有無數(shù)個“臣妾做不到”。那么，一個團隊到底是三流的還是一流的？從我后期創(chuàng)業(yè)成功的經(jīng)驗來看，早期的評判我
2015-09-21 13:25:10
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
增加，外延層需要更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。顯然，要想顯著
2018-10-17 16:43:26
負載供電。 值得一提的是， CoolMOS? E6——作為英飛凌推出的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級結(jié)功率MOSFET，可以視作英飛凌不斷創(chuàng)新的工匠精神和數(shù)年沉淀的行業(yè)經(jīng)驗的集大成之作。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)
2017-04-12 18:43:19
本文概述了與低頻MOSFET工作相關(guān)的各種特性和規(guī)格。相關(guān)信息了解MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)的漏源電阻MOSFET溝道長度調(diào)制假設(shè)您正在設(shè)計一個電動機控制電路，一個繼電器驅(qū)動器，一個反極性保護電路或一個
2019-10-25 09:40:30
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時，阻斷電壓還可進一步提高?！ ?nèi)建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
供應(yīng)600V20A高壓超結(jié)mos管SVS20N60P7D2 ，提供SVS20N60P7D2參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 15:16:15
供應(yīng)600V20A超結(jié)MOS士蘭微SVS20N60FJD2，提供士蘭微超結(jié)MOS SVS20N60FJD2關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:51:08
供應(yīng)700V超結(jié)MOS管SVS70R600DE3，提供士蘭微cool mos SVS70R600DE3關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 16:02:17
基本說明：MPI-131用于西門子 SIMATIC S7 系列 PLC（包括 S7-200、 S7-300、 S7-400）、西門子數(shù)控機床（840D,840DSL等）的以太網(wǎng)通訊，支持以太網(wǎng)編程下載、數(shù)據(jù)監(jiān)控等功能。
2023-02-27 13:23:43
英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 CX92735 科勝訊推出面向網(wǎng)絡(luò)數(shù)碼相框和互動顯示設(shè)備
科勝訊系統(tǒng)公司宣布按計劃推出面向日益增長的“網(wǎng)絡(luò)”數(shù)碼相框和互動顯示設(shè)備（IDA）市場的
2009-07-20 10:54:26743 凌力爾特推出面向能量收集應(yīng)用的超低電壓升壓型轉(zhuǎn)換器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高度集成的升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LTC3108，該器件專為在采用極低輸入
2009-12-03 08:39:34631 Magma推出面向大型SoC的增強版層次化設(shè)計規(guī)劃解決方案
微捷碼（Magma）日前發(fā)布了面向大型片上系統(tǒng)(SoC)的增強版層次化設(shè)計規(guī)劃解決方案Hydra 1.1。新版產(chǎn)品提供了通道
2009-12-09 08:31:53888 Altera推出面向Stratix IV FPGA的最新開發(fā)套件
Altera公司近日宣布推出其面向 Stratix IV FPGA 的最新開發(fā)套件。Stratix IV E FPGA 開發(fā)套件具有業(yè)界最高密度、最高性能的 FPGA。該套
2009-12-09 08:45:26792 TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標準封裝尺寸
2010-01-14 08:16:52403 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標準封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31388 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標準封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727 Atmel推出面向便攜設(shè)備的全新單鍵式觸摸控制器系列AT42QT101X
愛特梅爾公司(Atmel Corporation)宣布推出面向便攜設(shè)備市場的全新單鍵式觸摸控制器產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品可使下一
2010-02-25 08:41:44753 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731 漢王CeBIT上推出面向歐洲市場3G電紙書
網(wǎng)易科技訊 3月3日消息，2010德國漢諾威CeBIT展會近日開幕。漢王科
2010-03-04 08:44:04638 周四推出面向 Verizon Wireless 的 Skype mobile
Verizon Wireless 和 Skype 攜手在美國最可靠的無線網(wǎng)絡(luò)上提供龐大的全球通信社區(qū)和免費 Skype 對 Skype 通話服務(wù)
&
2010-03-24 16:59:05537 周四推出面向 Verizon Wireless 的 Skype mobile Verizon Wireless 和 Skype 攜手在美國最可靠的無線網(wǎng)絡(luò)上提供龐大的全
2010-03-26 08:50:35696 TI推出面向便攜式應(yīng)用的集成 HDMI 配套芯片
德州儀器 (TI) 宣布推出面向便攜式應(yīng)用核心 HDMI 控制器的業(yè)界首款集成型 HDMI 接口配套芯片，該 TPD12S015
2010-03-27 10:41:15744 TI推出面向便攜式應(yīng)用的集成HDMI配套芯片TPD12S015
德州儀器 (TI) 宣布推出面向便攜式應(yīng)用核心 HDMI 控制器的業(yè)界首款集成型 HDMI 接口配套芯片，該 TPD12S015 高度整合了 HDMI
2010-03-29 10:14:451146 ADI推出面向微波點對點和專有移動無線電應(yīng)用、內(nèi)置高壓電荷泵的新型PLL頻率
-- 新型 ADF4150HV PLL 頻率合成器集成30V 電荷泵 ，最高工
2010-05-22 08:52:02506 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出面向 3.3V 和 5V 系統(tǒng)的多協(xié)議收發(fā)器 LTC2870 和 LTC2871，這兩款器件具集成的
2010-12-10 09:25:28882 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前推出面向較低成本手機的 TMA140 TrueTouch? 控制器。
2012-03-05 09:11:20580 泰克3月19日在北京宣布，推出面向大學(xué)本科生基礎(chǔ)實驗室的TDS1000C-EDU系列數(shù)字示波器（見圖1）。分為40MHz、60MHz和100MHz三種型號。起價7830元人民幣。
2012-03-27 09:45:11697 2015年3月9日，德國慕尼黑訊——今日，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出面向中低功率汽車外部照明應(yīng)用的LITIX? Basic 系列LED驅(qū)動器。
2015-03-10 14:12:51989 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）“RC-E系列”（英文發(fā)布資料）。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 的發(fā)布，華為也正式推出面向全球的應(yīng)用商店——AppGallery。目前華為P20系列已經(jīng)預(yù)裝這個應(yīng)用，其他的華為手機用戶也可自行下載。
2018-04-29 09:30:009095 
這是一個應(yīng)用說明，專用于英飛凌的2500瓦圖騰桿全橋功率因數(shù)校正（PFC）演示板，包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，以及1EDI高壓MOSFET驅(qū)動程序。
2019-03-08 08:00:00
10 英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:301298 1月10日消息，據(jù)外媒報道，微軟公司將推出面向零售客戶的新的云工具，希望成為客戶在亞馬遜、Slack、Salesforce之外的另一種選擇。
2020-01-10 08:37:0021239 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 11月11日，聯(lián)發(fā)科宣布推出面向下一代Chromebook筆記本的兩款芯片組產(chǎn)品——MT8195、MT8192。
2020-11-11 09:50:461292 據(jù)外媒報道，三星目前已經(jīng)推出面向筆記本電腦的OLED屏幕，并可提供出色的圖像質(zhì)量。
2021-01-06 15:03:022935 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
新思科技（Synopsys）近日推出面向臺積公司N6RF工藝的全新射頻設(shè)計流程，以滿足日益復(fù)雜的射頻集成電路設(shè)計需求。
2022-06-24 14:30:13868 ? 2022 年 11 月 29 日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 ?(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET
2022-12-01 14:40:38324 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
3月3日，聯(lián)合電子官微發(fā)布，推出面向跨域融合的新一代整車運動域控制器VCU8.6平臺。
2024-03-04 09:52:04414 
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