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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

文章:289 被閱讀:41.6w 粉絲數(shù):19 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):1

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功率SiC生態(tài)系統(tǒng)中的明爭(zhēng)暗斗

去年,功率 SiC 市場(chǎng)宣布了一系列具有影響力的合作,有趣的是,不僅是在之前看到的晶圓和材料層面,而....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-25 17:35 ?1561次閱讀
功率SiC生態(tài)系統(tǒng)中的明爭(zhēng)暗斗

哪吒汽車(chē)發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)

電驅(qū)系統(tǒng):哪吒汽車(chē)發(fā)布了180kW 400V電驅(qū)系統(tǒng)和250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng),采用了....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-24 17:52 ?1621次閱讀
哪吒汽車(chē)發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)

又一家功率芯片廠商登陸創(chuàng)業(yè)板

資料顯示,協(xié)昌科技自成立以來(lái)專(zhuān)注于功率芯片的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)及其下游運(yùn)動(dòng)控制器的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。目前公司建....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-22 15:47 ?882次閱讀

拜登簽署對(duì)華“敏感技術(shù)”投資限制令,涉半導(dǎo)體和微電子、量子信息及AI系統(tǒng)

據(jù)悉,美國(guó)財(cái)政部發(fā)布擬議規(guī)則制定預(yù)先通知(ANPRM),詳細(xì)說(shuō)明該計(jì)劃范圍,有關(guān)ANPRM的書(shū)面意見(jiàn)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-11 17:12 ?1204次閱讀

協(xié)昌科技將于創(chuàng)業(yè)板上市 擁有電力電子產(chǎn)業(yè)鏈縱向布局

協(xié)昌科技憑借其強(qiáng)大的研發(fā)設(shè)計(jì)能力、高品質(zhì)的產(chǎn)品和高效的營(yíng)銷(xiāo)服務(wù)體系,逐步建立了“上游功率芯片+下游運(yùn)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-11 17:11 ?1083次閱讀
協(xié)昌科技將于創(chuàng)業(yè)板上市 擁有電力電子產(chǎn)業(yè)鏈縱向布局

全球最大200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠將落戶(hù)馬來(lái)西亞

低碳化趨勢(shì)將推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng),尤其是基于寬禁帶材料的功率半導(dǎo)體。全球功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-11 17:08 ?1066次閱讀
全球最大200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠將落戶(hù)馬來(lái)西亞

總投資8.3億元!天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開(kāi)工

為進(jìn)一步完善產(chǎn)能布局,搶占市場(chǎng)先機(jī),北京天科合達(dá)決定在徐州經(jīng)開(kāi)區(qū)開(kāi)展江蘇天科合達(dá)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè),總....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-09 16:25 ?1296次閱讀

衛(wèi)光科技李樸:600V超結(jié)MOSFET器件研究

報(bào)告中介紹,隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)大,當(dāng)應(yīng)用在計(jì)算機(jī)和航空電子等領(lǐng)域中時(shí),低導(dǎo)通壓降能夠縮小整....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-09 16:21 ?800次閱讀

化學(xué)氣相沉積碳化硅生產(chǎn)線(xiàn)即將在常山投產(chǎn)!

浙江大和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園三期建設(shè)項(xiàng)目由浙江盾源聚芯半導(dǎo)體科技有限公司和浙江富樂(lè)德半導(dǎo)體材料科技有限公司投....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-09 16:20 ?924次閱讀

面向光電子異質(zhì)集成的微轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹

面向光電子異質(zhì)集成的微轉(zhuǎn)印技術(shù)是一種用于將微觀尺度的光電子器件從一個(gè)基底上轉(zhuǎn)移到另一個(gè)基底上的先進(jìn)技....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-09 16:12 ?3209次閱讀
面向光電子異質(zhì)集成的微轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹

可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究

光催化劑是一類(lèi)能夠在光照條件下催化化學(xué)反應(yīng)的材料,廣泛應(yīng)用于環(huán)境凈化、水處理、能源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-09 10:44 ?1289次閱讀
可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究

基于大面積自組裝hBN薄膜的超低暗電流真空紫外光探測(cè)器

近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-09 10:39 ?1369次閱讀
基于大面積自組裝hBN薄膜的超低暗電流真空紫外光探測(cè)器

天津工業(yè)大學(xué)李龍女:基于***的平面型封裝1700V碳化硅模塊開(kāi)發(fā)與性能表征

SiC/GaN器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)、高耐壓、低開(kāi)關(guān)損耗和高工作溫度當(dāng)前亟需針對(duì)SiC器件/模....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-08 16:18 ?1535次閱讀

中國(guó)電氣裝備集團(tuán)研究院田鴻昌:碳化硅功率半導(dǎo)體器件與新型電力系統(tǒng)應(yīng)用

功率半導(dǎo)體器件的高效率和能量轉(zhuǎn)換能力對(duì)節(jié)能和環(huán)保具有重要意義。論壇期間,中國(guó)電氣裝備集團(tuán)研究院電力電....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-08 15:59 ?1512次閱讀

華合德新材料李灝文:面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC單晶技術(shù)

碳化硅材料是制作高頻、高溫、抗輻射、大功率和發(fā)光器件的優(yōu)異材料。具有高可靠、高溫、高電壓、大功率、節(jié)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-08 15:52 ?978次閱讀

氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體,GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-07 14:39 ?1318次閱讀
氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

SNOM對(duì)GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征

近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-04 18:10 ?2498次閱讀
SNOM對(duì)GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征

化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備

近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-04 11:28 ?1636次閱讀
化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見(jiàn)光干擾的紫外光探測(cè)器。日盲紫外探測(cè)器對(duì)可見(jiàn)光具有很低的響應(yīng),在環(huán)境監(jiān)測(cè)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 08-04 11:21 ?2325次閱讀
基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

臺(tái)積電3納米良率僅為55%蘋(píng)果將只付可用晶片費(fèi)

國(guó)外市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Arete Research 分析師Brett Simpson 認(rèn)為,臺(tái)積電收費(fèi)方式....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-17 16:29 ?721次閱讀

比亞迪再擴(kuò)大投資版圖,入股嘉芯半導(dǎo)體

據(jù)萬(wàn)業(yè)企業(yè)公告,2021年12月,萬(wàn)業(yè)企業(yè)攜手寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“寧波芯恩”)成立....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-13 11:21 ?1612次閱讀

中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)!

二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),如層數(shù)依賴(lài)的可調(diào)帶隙、自旋-谷鎖定特性、超快....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-12 11:25 ?943次閱讀
中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)!

中芯集成車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片產(chǎn)能年底前將超過(guò)12萬(wàn)片每月

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,也被稱(chēng)為電力電子裝置的“CPU”。它是新能源汽車(chē)必不可少的組件。....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-12 11:22 ?1306次閱讀

新能源汽車(chē)碳化硅MOSFET出貨量突破1200萬(wàn)只

聚焦強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈,國(guó)基南方、55所持續(xù)推進(jìn)新能源汽車(chē)用碳化硅MOSFET關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,貫....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-12 11:20 ?763次閱讀

100億!重慶國(guó)資百億增資三安光電控股股東

三安電子為三安光電控股股東。截至一季度末,三安電子持有三安光電股票12.14億股,持股比例為24.3....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-06 16:14 ?1324次閱讀
100億!重慶國(guó)資百億增資三安光電控股股東

投資5000萬(wàn)元!瑞能半導(dǎo)取得中電化合物1.4663%股權(quán)

本次投資是瑞能半導(dǎo)從長(zhǎng)遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局出發(fā)做出的投資決定,中電化合物在未來(lái)實(shí)際經(jīng)營(yíng)中可能面臨宏觀經(jīng)濟(jì)、行業(yè)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-06 16:09 ?825次閱讀

廈門(mén)大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

另一方面,作者也通過(guò)高分辨X射線(xiàn)光電子能譜與密度泛函理論(DFT)計(jì)算對(duì)(AlxGa1-x)2O3的....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-04 16:48 ?1841次閱讀
廈門(mén)大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

中國(guó)電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

但是,在提升晶圓面積的同時(shí),如何保證良率是目前需要解決的難題,也是目前8英寸晶圓設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)之一。....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 07-04 16:46 ?2096次閱讀

中電化合物與韓國(guó)Power Master簽約,供應(yīng)8英寸在內(nèi)的SiC材料

中電化合物致力研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料,主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 06-30 16:53 ?845次閱讀

電科裝備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋

離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過(guò)程中,需要摻入不同種類(lèi)的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 06-30 16:41 ?919次閱讀

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