化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計、數(shù)理模型與制備

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用”上，河北工業(yè)大學(xué)教授、天津賽米卡爾科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人張勇輝帶來了“化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計、數(shù)理模型與制備”的主題報告。

報告中分享了AlGaN基深紫外發(fā)光二極管的建模與制造、激光二極管的建模與器件物理，紫外光探測器、MicroLED、電子器件的建模與制造等研究進展，涉及提高AlGaN基 DUV LED發(fā)光效率的方法及機理研究，DUV LED的低EQE和效率下降，高效半導(dǎo)體激光二極管的設(shè)計，光敏器件輔助實驗制造，Micro-LED建模表面復(fù)合，實現(xiàn)高擊穿電壓的功率器件和設(shè)計等。

審核編輯：劉清