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第三代半導體產(chǎn)業(yè)

文章:289 被閱讀:41.6w 粉絲數(shù):19 關注數(shù):0 點贊數(shù):1

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增強GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應實際器件應用

熱管理在當代電子系統(tǒng)中至關重要,而金剛石與半導體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 10:03 ?1837次閱讀
增強GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應實際器件應用

碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應用和挑戰(zhàn)

SiC器件在擊穿場強、熱導率、熔點、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優(yōu)勢。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 09:39 ?1489次閱讀
碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應用和挑戰(zhàn)

SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應用

電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標不僅與控制系統(tǒng)的性能指標及控制算法密不可分,也與電力電子功率器件的性能指標....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 09:37 ?1795次閱讀
SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應用

用于電動汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

電源模塊的高級封裝是非常重要。包裝優(yōu)化是提高性能的解決方案之一。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 09:35 ?1487次閱讀
用于電動汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍

氮化鎵(GaN)晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-22 10:47 ?1642次閱讀
在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍

新型碳化硅溝槽器件技術研究進展

碳化硅功率器件具有高壓高功率領域等優(yōu)勢,市場廣闊,應用場景廣泛。也被認為是下一代800V電動汽車電驅(qū)....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-22 10:45 ?1661次閱讀
新型碳化硅溝槽器件技術研究進展

用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測器的開發(fā)

三五族氮化物半導體材料,包括氮化鎵,氮化鋁,氮化銦及其它們的合金,以其獨特的直接帶隙半導體特性和從0....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-21 09:46 ?1220次閱讀
用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測器的開發(fā)

碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術

磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導體芯片的必要方式,然而研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此,拋光的一致....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-21 09:44 ?2336次閱讀
碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術

鐳昱半導體(Raysolve)宣布完成Pre-A3輪融資

近日,鐳昱半導體(Raysolve)宣布完成Pre-A3輪融資,本輪融資由華映資本領投,三七互娛及米....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-20 09:55 ?814次閱讀

碳化硅功率半導體多芯片封裝技術研究

過去幾十年里,半導體技術快速發(fā)展,芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-20 09:47 ?1322次閱讀
碳化硅功率半導體多芯片封裝技術研究

大尺寸SiC單晶的研究進展

在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下,全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期,推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-19 10:09 ?1162次閱讀
大尺寸SiC單晶的研究進展

金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領域研究進展

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領域具有廣闊的應用前景....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-19 09:24 ?1526次閱讀
金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領域研究進展

具復合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

GaN因其特性,作為高性能功率半導體 材料而備受關注,近年來其開發(fā)和市場導入不斷加速。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-19 09:21 ?1035次閱讀
具復合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

廣東科學院團隊研制一種可用于Micro LED顯示的量子點圖案化技術

近年來,隨著通信技術的迅速發(fā)展以及人們對顯示色彩和實用性的追求,顯示技術呈現(xiàn)多元化的發(fā)展。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-18 11:27 ?1208次閱讀
廣東科學院團隊研制一種可用于Micro LED顯示的量子點圖案化技術

液相法碳化硅單晶生長技術研究

碳化硅具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-18 11:25 ?2113次閱讀
液相法碳化硅單晶生長技術研究

東芝與羅姆投資27億美元聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片

近日,據(jù)路透社消息,東芝和羅姆表示,他們將投資 3883 億日元(27 億美元)聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-14 09:30 ?864次閱讀

碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應用

隨著全球及國內(nèi)在新能源汽車、新能源發(fā)電和儲能等終端市場需求的快速增長,行業(yè)對碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-14 09:25 ?1946次閱讀
碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應用

英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動器的氮化鎵GaN器件

在最近的IEDM大會上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-14 09:23 ?1603次閱讀
英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動器的氮化鎵GaN器件

SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術的進展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導出成為保證功率器件性能及可靠性的關鍵。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-13 09:39 ?1527次閱讀
SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術的進展

瞻芯電子:碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案

碳化硅(Silicon Carbide)是C元素和Si元素形成的化合物。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-13 09:37 ?1028次閱讀
瞻芯電子:碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案

面向高功率器件的超高導熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機械、熱學和電學性能,在電子和半導體領域有著廣泛的應用,可以支撐和固定半導體....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:35 ?1193次閱讀
面向高功率器件的超高導熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

SiC MOSFET器件存在可靠性問題,成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:33 ?1456次閱讀
提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

基于半導體激光器件的高級光學建模與仿真

VCSEL是很有發(fā)展前景的新型光電器件,也是光通信中革命性的光發(fā)射器件。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:32 ?1678次閱讀
基于半導體激光器件的高級光學建模與仿真

基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設備與工藝技術

第三代半導體,具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、良好的化學穩(wěn)定....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:43 ?2630次閱讀
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設備與工藝技術

Micro LED顯示技術及其產(chǎn)業(yè)化應用趨勢

Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等優(yōu)點,有數(shù)據(jù)顯示,受智能穿戴和超高清大屏顯示需求影響
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:40 ?4745次閱讀
Micro LED顯示技術及其產(chǎn)業(yè)化應用趨勢

顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展

近日,在廈門召開的第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCH....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:38 ?1961次閱讀
顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展

Micro LED新型投影顯示技術展望

“十四五”以來,基于自發(fā)光顯示的微投影顯示光學系統(tǒng)成為了研究熱點。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:53 ?1786次閱讀
Micro LED新型投影顯示技術展望

Micro-LED顯示關鍵技術突破

當前,Micro-LED顯示是備受關注的新一代顯示技術,具備高質(zhì)量顯示的大多數(shù)特征;
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:51 ?2437次閱讀
Micro-LED顯示關鍵技術突破

高導熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能研究

近日,第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇在廈門國際會議中心召開。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:48 ?1881次閱讀
高導熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能研究

GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

近日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)于廈....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 14:49 ?2234次閱讀
GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

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