第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(yùn)（PVT）是最適....

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)

III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì)，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）....

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料....

硅光子是一種光子集成電路，經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，硅光子學(xué)已經(jīng)取得了重大進(jìn)展

SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì)，因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。

近年來(lái)，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快，但與....

利用具有窄波峰寬和精確可調(diào)峰值的色轉(zhuǎn)換材料是當(dāng)今電視和顯示器背光中獲得寬色域 (WCG) 的常見(jiàn)方法....

當(dāng)前，SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件，有效的降低了提升了開(kāi)關(guān)速度，降低了能量....

近日，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組和斯洛伐克科學(xué)院Filip Gucmann課題組合作，在國(guó)際權(quán)....

當(dāng)前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。

12 月 22 日消息，據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議....

熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要，而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。

SiC器件在擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率、熔點(diǎn)、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優(yōu)勢(shì)。

電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分，也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)....

電源模塊的高級(jí)封裝是非常重要。包裝優(yōu)化是提高性能的解決方案之一。

氮化鎵（GaN）晶體管在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需....

碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)廣闊，應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動(dòng)汽車電驅(qū)....

三五族氮化物半導(dǎo)體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨(dú)特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0....

磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式，然而研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致....

近日，鐳昱半導(dǎo)體（Raysolve）宣布完成Pre-A3輪融資，本輪融資由華映資本領(lǐng)投，三七互娛及米....

過(guò)去幾十年里，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過(guò)封裝集成....

在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長(zhǎng)期，推升了對(duì)SiC襯底產(chǎn)能的需求。

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景....

GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注，近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。

近年來(lái)，隨著通信技術(shù)的迅速發(fā)展以及人們對(duì)顯示色彩和實(shí)用性的追求，顯示技術(shù)呈現(xiàn)多元化的發(fā)展。

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和....

近日，據(jù)路透社消息，東芝和羅姆表示，他們將投資 3883 億日元（27 億美元）聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。

隨著全球及國(guó)內(nèi)在新能源汽車、新能源發(fā)電和儲(chǔ)能等終端市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng)，行業(yè)對(duì)碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)....