普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長
當前，SiC器件已廣泛應用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件，有效的降低了提升了開關(guān)速度，降低了能量損耗，使得整車的重量得到減少，續(xù)航里程得到提升。車用發(fā)展迅速，市場廣闊，在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，市場快速增長。
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設備技術(shù)”分會上，河北普興電子科技股份有限公司產(chǎn)品總監(jiān)張永強分享了200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長的最新研究進展。
普興電子從16年開始SiC的研發(fā)，19年實現(xiàn)了6寸SiC外延片的量產(chǎn)，21年中標國家工信部碳化硅外延產(chǎn)業(yè)化的項目。目前主要為1200V MOS產(chǎn)品，已通過車規(guī)級驗證，應用在新能源車主驅(qū)模塊上。
8寸外延是碳化硅外延技術(shù)的發(fā)展趨勢。報告顯示，普興電子近期研發(fā)出的8英寸碳化硅外延片的新產(chǎn)品，解決了8寸襯底應力大、易開裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點。厚度均勻性為0.6%，濃度均勻性為2.3%。8寸產(chǎn)品的均勻性已達到與6寸量產(chǎn)產(chǎn)品相當?shù)乃健?/strong>
普興公司是國內(nèi)最早外延材料研究工作的單位，目前具備的硅外延的年產(chǎn)能為700萬片，其中200 萬片為8寸硅外延片。6寸碳化硅外延的年產(chǎn)能為15萬片；預計到24年，6寸碳化硅外延片的年產(chǎn)能將擴充到36萬片；25年8寸碳化硅外延片的年產(chǎn)能將擴充到6到8萬片。
審核編輯：劉清
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原文標題：普興電子張永強:200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長
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