SiC器件在擊穿場強、熱導(dǎo)率、熔點、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優(yōu)勢。在800V EV平臺SiC Mos應(yīng)用趨勢明顯、SiC SBD應(yīng)用已較為廣泛、SiC Mos價格下探到合適區(qū)位將有更大應(yīng)用前景。
近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈門召開。期間,”功率模塊與電源應(yīng)用峰會“上,陽光電源高級工程師,中央研究院光儲中小功率業(yè)務(wù)主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用和挑戰(zhàn)“的主題報告,分享了SiC器件在新能源行業(yè)應(yīng)用的機遇、挑戰(zhàn),以及SiC器件在陽光電源應(yīng)用的實踐等內(nèi)容。
報告分享了SiC器件在陽光電源應(yīng)用的實踐,涉及混合應(yīng)用、單管并聯(lián)、高頻化配套設(shè)計、散熱、保護等,并分享了高功率密度光伏/儲能變換器、基于SST的35kV中壓直掛光伏逆變器、國產(chǎn)首款純SiC單管并聯(lián)電機驅(qū)動器等。
其中,高功率密度光伏/儲能變換器,集成了碳化硅混合型三電平拓撲、相變熱虹吸散熱等新技術(shù);突破了原有組串式逆變器的功率密度限制,功率密度倍增至1.1W/cm^3;示范樣機功率提升至152kW, 衍生機種功率提升至225kW;便于大規(guī)模分布式光伏的快速部署;提出基于電網(wǎng)阻抗自適應(yīng)的并網(wǎng)逆變器雙模式控制策略,實現(xiàn)電網(wǎng)強弱變化時的逆變器穩(wěn)定運行;該逆變器及其衍生機種將帶來至少每年10億元的產(chǎn)值。
基于SST的35kV中壓直掛光伏逆變器,5級通用直流母線SST拓撲結(jié)構(gòu),更適合并網(wǎng)光伏系統(tǒng);多MPPT功能模塊化設(shè)計;模塊功率等級200kW;直接連接到35kV電網(wǎng),無需工頻變壓器。國產(chǎn)首款純SiC單管并聯(lián)電機驅(qū)動器,采用TO247-4 單管SIC MOSFE并聯(lián)方案;通過正向的母排,驅(qū)動,散熱設(shè)計實現(xiàn)良好的均流效果,不均流度<10%,器件均溫<5℃;實測最高效率 99.4%,90%以上高效區(qū)面積大于90%;符合功能安全,扭矩安全等級最高ASIL-C;軟件采用平臺化設(shè)計,符合AUTOSAR標(biāo)準(zhǔn),采用基于模型(MBD)設(shè)計方式。
報告指出,展望未來,對于器件,涉及到更低的成本;更大容量:擴展其可能應(yīng)用場景;更高的工作溫度:配套材料工藝提升以進一步發(fā)揮SiC器件的優(yōu)勢;更低的熱阻:進一步發(fā)揮SiC器件的優(yōu)勢;更寬的驅(qū)動電壓范圍:降低SiC使用門檻,提高可靠性;更強的抗短路能力:提升產(chǎn)品可靠性等。對于應(yīng)用涉及系統(tǒng)設(shè)計—成本與性能的平衡;驅(qū)動—抗擾,保護;散熱—單位面積散熱能力;布局—EMI,電應(yīng)力;控制—高頻精細控制等方向。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:陽光電源王昊:碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應(yīng)用和挑戰(zhàn)
文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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