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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

文章:289 被閱讀:41.6w 粉絲數(shù):19 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):1

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利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體

近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 14:47 ?1675次閱讀
利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體

Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性,例如寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 14:45 ?1466次閱讀
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資

近日,第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資,這是晶湛公司繼2022年完成....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:49 ?1177次閱讀

IDC預(yù)測2024年全球半導(dǎo)體市場八大趨勢

根據(jù)IDC(國際數(shù)據(jù)資訊)最新研究顯示,隨著全球人工智能(AI)、高性能計算(HPC)需求爆發(fā)式提升....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:30 ?1684次閱讀

GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器研究

以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場,高電子飽和速度,高頻和高功率等特性,在射頻和電力電子器件....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:28 ?1678次閱讀
GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器研究

增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進(jìn)展

作為寬帶隙材料,GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高,以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:26 ?1994次閱讀
增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進(jìn)展

助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

GaN性能優(yōu)異,在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛,發(fā)展?jié)摿薮?;進(jìn)一步發(fā)展,需提升材料質(zhì)量,制備高質(zhì)量氮....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 10:24 ?1687次閱讀

產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能?

由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級應(yīng)用的后起之秀,例如汽車、光....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-08 14:33 ?1241次閱讀

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)

氮化鎵(GaN)功率器件具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流(DC....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-06 10:04 ?1282次閱讀
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)

陳敬教授:面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

近日,在第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會上,香港科技大學(xué)講席教授陳....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-05 15:07 ?1701次閱讀
陳敬教授:面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

清軟微視周繼樂:化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測技術(shù)

清軟微視是清華大學(xué)知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè),專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-05 14:54 ?2943次閱讀
清軟微視周繼樂:化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測技術(shù)

淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個基礎(chǔ)問題

功率電子材料和器件研發(fā)基本與國際同步,GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域,更全電壓等級,從當(dāng)前100V....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-05 11:38 ?1233次閱讀
淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個基礎(chǔ)問題

全球SiC晶圓市場預(yù)計2030年達(dá)21億美元!市場+技術(shù)趨勢深度分析

高溫、高頻和高功率應(yīng)用需求:碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現(xiàn)出色,因此受到這些應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-24 16:07 ?1482次閱讀
全球SiC晶圓市場預(yù)計2030年達(dá)21億美元!市場+技術(shù)趨勢深度分析

小米汽車來了!碳化硅助力整車低能耗

值得注意的是,在動力方面,根據(jù)申報信息顯示,小米SU7提供單電機(jī)后驅(qū)和雙電機(jī)四驅(qū)可選,其中單電機(jī)最大....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-17 16:49 ?1103次閱讀
小米汽車來了!碳化硅助力整車低能耗

基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表,由于其禁帶寬度和擊穿場強(qiáng)遠(yuǎn)高于GaN,不僅可在更高場強(qiáng)、更高工....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-15 10:45 ?2290次閱讀
基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

華為新一代碳化硅電機(jī)發(fā)布:22000轉(zhuǎn)/分、零百加速3.3秒

電機(jī)將首發(fā)搭載于智界S7,四驅(qū)版配有前150千瓦交流異步電驅(qū)系統(tǒng),后215千瓦永磁同步電驅(qū)。得益于此....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-14 15:46 ?1507次閱讀

中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn),一期投資19.3億元

紫金山觀察消息顯示,該項目一期投資19.3億元,項目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)估新增年收入25億元,將形成8-12英....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-14 15:44 ?1052次閱讀

三菱電機(jī)和安世半導(dǎo)體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體

11月13日, 三菱電機(jī)株式會社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-14 10:34 ?975次閱讀

芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

2023年11月10日,溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-14 10:32 ?1191次閱讀
芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

近日,廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-10 09:48 ?1224次閱讀
廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

中瓷電子:電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪

近日,中瓷電子在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示,國聯(lián)萬眾公司電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪,....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-09 10:53 ?1074次閱讀

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

智新半導(dǎo)體有限公司是東風(fēng)公司與中國中車2019年在武漢成立的,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項目基于東風(fēng)集團(tuán)“....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-03 16:48 ?646次閱讀
東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

清華大學(xué)李兆麟:車規(guī)級MCU以及IGBT依然是汽車芯片短缺的主角

縱觀整個國際市場,歐美日企業(yè)長期占據(jù)汽車使能芯片(按照李兆麟的劃分,汽車使能芯片主要包括計算、控制、....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-03 15:48 ?825次閱讀

中瑞宏芯致力于開發(fā)新一代碳化硅功率芯片和模塊

10月30日,中瑞宏芯半導(dǎo)體宣布,公司于近日完成近億元人民幣的產(chǎn)投融資,由光伏微逆領(lǐng)頭公司禾邁股份和....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-02 16:27 ?884次閱讀

什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

GaN近期為何這么火?如果再有人這么問你,你可以這樣回答:因為我們離不開電源。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 11-02 10:32 ?6550次閱讀
什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 10-27 15:07 ?807次閱讀

麥肯錫:8英寸SiC晶圓市場滲透率即將和6英寸持平

電動汽車采用率的不斷提高正在推動對關(guān)鍵碳化硅電力電子元件的需求。半導(dǎo)體企業(yè)、汽車原始設(shè)備制造商和其他....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 10-26 09:21 ?1241次閱讀
麥肯錫:8英寸SiC晶圓市場滲透率即將和6英寸持平

三安光電碳化硅實現(xiàn)了8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)

三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展,實現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn),部分產(chǎn)品已....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 10-25 14:55 ?1046次閱讀

北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)

近日,“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會”在濟(jì)南召開。大會技術(shù)委員會委員北京鎵和半導(dǎo)體有....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 10-25 14:51 ?1246次閱讀

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN(氮化鎵)的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 10-20 09:59 ?1756次閱讀
垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

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