華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC單晶技術(shù)

大尺寸SiC單晶具有更大的晶片尺寸和更高的晶片質(zhì)量，技術(shù)的不斷改進(jìn)，為高性能SiC器件的制備提供更好的材料基礎(chǔ)，推動(dòng)碳化硅技術(shù)在功率電子、射頻和光電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，西安華合德新材料科技有限公司技術(shù)副總經(jīng)理李灝文做了“面向低成本碳化硅功率器件用的大尺寸SiC 單晶技術(shù)”的主題報(bào)告。

碳化硅材料是制作高頻、高溫、抗輻射、大功率和發(fā)光器件的優(yōu)異材料。具有高可靠、高溫、高電壓、大功率、節(jié)能等特點(diǎn)，應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯。目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。

碳化硅（SiC）器件特別適合新能源汽車、深井鉆探、太陽(yáng)能逆變器（實(shí)現(xiàn)直流與交流的轉(zhuǎn)換）、風(fēng)能逆變器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)以及輕軌牽引等需要大功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。當(dāng)前碳化硅在新能源汽車的滲透率只有24%，在光伏逆變器的滲透率只有20%，在軌道交通中只有2%。前景非常廣闊。

碳化硅晶片對(duì)下游外延和器件有諸多影響。報(bào)告指出，碳化硅晶體制備要求高，相對(duì)于Si，SiC的下游需要新的設(shè)備，并且引入新的工藝。碳化硅晶片技術(shù)將向擴(kuò)大晶圓尺寸、改進(jìn)碳化硅長(zhǎng)晶工藝、切片工藝控制的方向發(fā)展。