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      芯長征科技

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      碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

      碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-17 09:38 ?2387次閱讀
      碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

      晶圓級立方碳化硅單晶生長研究進(jìn)展

      碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-16 09:46 ?782次閱讀
      晶圓級立方碳化硅單晶生長研究進(jìn)展

      GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

      近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-15 10:44 ?892次閱讀

      光伏逆變器的分類、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)

      自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來，太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視，光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-15 09:43 ?1188次閱讀
      光伏逆變器的分類、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)

      為什么說逆變器是光伏的熱門賽道？逆變器在光伏系統(tǒng)中的具體作用

      逆變器在光伏系統(tǒng)中具有關(guān)鍵作用。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-11 09:48 ?1130次閱讀

      碳化硅升華生長溫度測控研究

      摘要：通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-11 09:42 ?814次閱讀
      碳化硅升華生長溫度測控研究

      提高功率器件輸出密度的方法

      “功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分，有功率晶體管（M....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-10 09:38 ?1083次閱讀
      提高功率器件輸出密度的方法

      基于MOS管的雙電源自動切換電路設(shè)計

      實(shí)現(xiàn)雙電源自動切換電路，其中利用了三個MOS管進(jìn)行的電路設(shè)計。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-10 09:36 ?14238次閱讀
      基于MOS管的雙電源自動切換電路設(shè)計

      碳化硅的特性、應(yīng)用及動態(tài)測試

      SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-09 09:41 ?1112次閱讀

      SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計與節(jié)能分析

      為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設(shè)計了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu)， 從器件溫升、....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-04 09:45 ?1797次閱讀
      SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計與節(jié)能分析

      淺談光伏逆變器的分類

      逆變器的分類方法很多，按照源流性質(zhì)可分為有源逆變器和無源逆變器，根據(jù)逆變器輸入交流電壓相數(shù)可分為單相....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-04 09:44 ?1327次閱讀
      淺談光伏逆變器的分類

      3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

      摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場效應(yīng)晶體....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-04 09:41 ?2444次閱讀
      3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

      傳感器技術(shù)的變化及其原因

      IMEC 項目經(jīng)理 Pawel Malinowski 與 Semiconductor Enginee....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-03 09:44 ?412次閱讀
      傳感器技術(shù)的變化及其原因

      IGBT芯片主要用在哪兒

      如今全球的汽車已經(jīng)進(jìn)入到智能化時代，汽車對于芯片的需求劇烈增加，以往一個傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-03 09:43 ?1193次閱讀
      IGBT芯片主要用在哪兒

      功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方案

      為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐t....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 01-03 09:41 ?801次閱讀
      功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方案

      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

      2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-29 09:51 ?1403次閱讀
      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

      功率器件與集成電路的區(qū)別

      在電子工程領(lǐng)域，功率器件和集成電路是兩個重要的分支，它們各自在特定的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-29 09:36 ?1397次閱讀

      功率半導(dǎo)體器件知識科普

      功率半導(dǎo)體通過對電流與電壓進(jìn)行調(diào)控實(shí)現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-27 09:47 ?773次閱讀
      功率半導(dǎo)體器件知識科普

      碳化硅器件封裝技術(shù)解析

      碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-27 09:41 ?2274次閱讀
      碳化硅器件封裝技術(shù)解析

      什么是宇宙射線？宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

      眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件，失效后將....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-27 09:39 ?2289次閱讀
      什么是宇宙射線？宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

      可性能翻倍的新型納米片晶體管

      IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進(jìn)步，并可能....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-26 10:12 ?685次閱讀

      碳化硅離子注入和退火工藝介紹

      統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說，高溫擴(kuò)散工....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-22 09:41 ?3136次閱讀
      碳化硅離子注入和退火工藝介紹

      SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

      本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面，涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力（也稱為柵極開關(guān)應(yīng)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-22 09:37 ?961次閱讀
      SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

      Chiplet，困難重重

      到目前為止，第三方chiplet的使用情況參差不齊。普遍的共識是，第三方芯粒市場將在某個時候蓬勃發(fā)展....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-20 16:23 ?676次閱讀
      Chiplet，困難重重

      8英寸SiC晶體生長熱場的設(shè)計與優(yōu)化

      碳化硅（SiC）材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-20 13:46 ?2433次閱讀
      8英寸SiC晶體生長熱場的設(shè)計與優(yōu)化

      英特爾、三星和臺積電公布下一代晶體管進(jìn)展

      英特爾是三者中最早演示 CFET 的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次，英....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-19 11:15 ?582次閱讀
      英特爾、三星和臺積電公布下一代晶體管進(jìn)展

      SiC相對于Si有哪些優(yōu)勢？

      更高的擊穿場允許器件在給定區(qū)域承受更高的電壓。這使得器件設(shè)計人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-19 09:41 ?1180次閱讀
      SiC相對于Si有哪些優(yōu)勢？

      MOSFET的并聯(lián)使用

      MOSFET的并聯(lián)使用
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-19 09:40 ?1279次閱讀
      MOSFET的并聯(lián)使用

      什么是IGBT？IGBT的工作原理

      IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-18 09:40 ?8723次閱讀
      什么是IGBT？IGBT的工作原理

      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 12-18 09:37 ?2574次閱讀
      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究