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      芯長征科技

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      科力微電子產(chǎn)品在便攜式儲能的應(yīng)用

      ? 面向消費者的便攜式儲能是儲能市場新的藍(lán)海分支，一方面行業(yè)正處于高速發(fā)展期，另一方面產(chǎn)品具有消費品....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 14:59 ?272次閱讀
      科力微電子產(chǎn)品在便攜式儲能的應(yīng)用

      VDMOS技術(shù)概述和特點

      在過去的二十年間，MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而，由于MOSFET的通態(tài)功耗較高，導(dǎo)通電阻受....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 14:50 ?511次閱讀

      超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

      在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 14:47 ?401次閱讀
      超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

      使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點和范例

      引言：雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動，因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動所破壞，使得并聯(lián)連....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-15 14:30 ?409次閱讀
      使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點和范例

      MOSFET在消費類電子產(chǎn)品的應(yīng)用

      PC電源是一個無工頻變壓器的四路開關(guān)穩(wěn)壓電源，其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:54 ?310次閱讀
      MOSFET在消費類電子產(chǎn)品的應(yīng)用

      如何檢測SiC IGBT模塊失效芯片

      當(dāng)前，在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:31 ?395次閱讀
      如何檢測SiC IGBT模塊失效芯片

      TOLL封裝MOS管的特點和使用注意事項

      TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式，常用于MOSFET。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:29 ?712次閱讀

      功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用

      功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時，專用IC用于控制MOSFET的開啟和....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:21 ?873次閱讀
      功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用

      VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

      如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:16 ?710次閱讀
      VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

      IGBT短路耐受時間的重要性

      IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時間（SCWT：Short Circuit Withstand ....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:12 ?407次閱讀
      IGBT短路耐受時間的重要性

      米勒平臺造成的對管開啟

      在MOS管的上下橋驅(qū)動中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個管子處在米勒平臺的時候，會給另一個管子的Vgs電壓....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:08 ?303次閱讀
      米勒平臺造成的對管開啟

      芯片制造全流程簡述

      ? “兵馬未動，糧草先行”，各路IC英雄是否備好了Hamburger&Chips來迎接下一次的遠(yuǎn)征。....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:04 ?1036次閱讀
      芯片制造全流程簡述

      逆變器中MOS管和IGBT的選型對EMC有什么影響

      逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 17:00 ?642次閱讀
      逆變器中MOS管和IGBT的選型對EMC有什么影響

      Buck電路設(shè)計應(yīng)用

      Buck 變換器是一種輸出電壓低于輸入電壓的非隔離型直流變換器，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下所示。Buck 電路輸....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 16:58 ?622次閱讀
      Buck電路設(shè)計應(yīng)用

      buck-boost拓?fù)潆娐返墓ぷ鬟^程

      從上述分析可以看出，buck-boost拓?fù)漭斎險i和輸出Uo正負(fù)方向相反。當(dāng)把電感L等效為兩個電感....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 16:47 ?1515次閱讀
      buck-boost拓?fù)潆娐返墓ぷ鬟^程

      為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)

      高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 16:43 ?1131次閱讀
      為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)

      Buck電路和Boost電路的工作原理

      Buck電路，也就是常說的降壓電路，為直流進(jìn)-直流出。電路沒有變壓器，輸入輸出公共一個地。下圖為Bu....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 10-08 16:22 ?1348次閱讀
      Buck電路和Boost電路的工作原理

      芯長征科技集團新能源電子封測產(chǎn)線正式通線！

      2024年5月9日，芯長征科技集團（簡稱“芯長征”）新能源電子封測產(chǎn)線在中國榮成順利通線并隆重舉行通....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-10 14:08 ?1414次閱讀
      芯長征科技集團新能源電子封測產(chǎn)線正式通線！

      江蘇芯長征微電子集團股份有限公司IGBT模塊成功通過UL認(rèn)證

      近日，芯長征在UL認(rèn)證專業(yè)機構(gòu)安可捷協(xié)助下，成功完成IGBT模組的UL認(rèn)證流程，為公司的產(chǎn)品研發(fā)與市....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-16 09:51 ?1092次閱讀
      江蘇芯長征微電子集團股份有限公司IGBT模塊成功通過UL認(rèn)證

      車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對比

      功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路，是可實現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件，由于....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-09 12:19 ?3431次閱讀
      車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對比

      IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別？

      三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-09 11:15 ?11266次閱讀
      IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別？

      光伏領(lǐng)域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領(lǐng)域IGBT市場規(guī)模將達(dá)73億

      功率半導(dǎo)體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-09 10:59 ?1955次閱讀
      光伏領(lǐng)域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領(lǐng)域IGBT市場規(guī)模將達(dá)73億

      剖析晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的構(gòu)造原理

      其中，有一個插圖，知識星球里有朋友不明白每層的構(gòu)造原理，這里我來剖析一下。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-03 11:43 ?1581次閱讀
      剖析晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的構(gòu)造原理

      車規(guī)級芯片和消費類芯片的區(qū)別

      汽車電子對元件的工作溫度要求比較寬，根據(jù)不同的安裝位置等有不同的需求，但一般都要高于民用產(chǎn)品的要求。
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-02 11:33 ?1596次閱讀
      車規(guī)級芯片和消費類芯片的區(qū)別

      碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析

      碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動能力要求相對低等特點， 是替代高壓硅MO....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-01 11:23 ?2324次閱讀
      碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析

      除碳可提高GaN電子遷移率？

      據(jù)日本研究人員報告，通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-13 10:51 ?1037次閱讀
      除碳可提高GaN電子遷移率？

      如何實現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計與開發(fā)呢？

      為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-13 10:34 ?1901次閱讀
      如何實現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計與開發(fā)呢？

      晶圓鍵合工藝流程與關(guān)鍵技術(shù)探討

      1：制造先進(jìn)的啟動晶片(SOI)的方法。 2：作為一種創(chuàng)建復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)和腔體的方法，以創(chuàng)造設(shè)備....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-06 10:45 ?515次閱讀
      晶圓鍵合工藝流程與關(guān)鍵技術(shù)探討

      三電平逆變器的基本工作原理介紹

      三電平逆變器基本介紹
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-26 10:09 ?2801次閱讀
      三電平逆變器的基本工作原理介紹

      外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

      只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技....
      的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-23 11:43 ?1250次閱讀
      外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性