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芯長(zhǎng)征科技

文章:300 被閱讀:43.6w 粉絲數(shù):33 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):16

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車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體/元器件認(rèn)證

因?yàn)槠囯妱?dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來襲,全球性的汽車芯片缺貨,以及國(guó)內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-28 09:59 ?435次閱讀

晶體管的分類介紹

隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)、中美科技戰(zhàn)打響以來,集成電路成了一個(gè)熱門話題。我國(guó)也在加強(qiáng)集成電路的發(fā)展[1],那么....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-28 09:56 ?1832次閱讀
晶體管的分類介紹

電力半導(dǎo)體器件的分類

電力半導(dǎo)體器件是進(jìn)行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-28 09:54 ?1351次閱讀
電力半導(dǎo)體器件的分類

2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺(tái)

蜂窩專用網(wǎng)絡(luò)正在進(jìn)入一個(gè)充滿希望的商業(yè)階段,并在全球范圍內(nèi)傳播,這為需要解決新工業(yè)用例的 RAN 參....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-27 09:45 ?881次閱讀
2023年60%的私有小型基站RFFE仍依賴GAAS平臺(tái)

如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān),一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-27 09:39 ?970次閱讀
如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

基于可定制64位內(nèi)核的RISC-V設(shè)計(jì)

ISC-V Tensor 單元集成到緩存子系統(tǒng)中,SemiDynamics 使其成為第一個(gè)用于數(shù)據(jù)中....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-23 12:39 ?825次閱讀
基于可定制64位內(nèi)核的RISC-V設(shè)計(jì)

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

電機(jī)控制器:碳化硅器件在新能源汽車電機(jī)控制器中可以應(yīng)用于直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、交流驅(qū)動(dòng)單元等,利用其高....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-21 16:52 ?743次閱讀

IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級(jí)方向

IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高,高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-21 15:49 ?1825次閱讀
IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級(jí)方向

MOSFET和IGBT的概念和優(yōu)缺點(diǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-16 16:21 ?8154次閱讀
MOSFET和IGBT的概念和優(yōu)缺點(diǎn)

功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類

作為電子系統(tǒng)中的最基本單元,半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-14 10:16 ?1779次閱讀
功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類

功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)

MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-14 10:05 ?2511次閱讀
功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)

一個(gè)電路板從射頻設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟?

一個(gè)電路板從設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟?
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-14 10:02 ?853次閱讀
一個(gè)電路板從射頻設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過什么步驟?

車規(guī)級(jí)IGBT有多重要?海外巨頭占據(jù)主要市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-14 09:54 ?1373次閱讀
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要?海外巨頭占據(jù)主要市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)

MOS管選擇注意事項(xiàng)

在一些電路的設(shè)計(jì)中,不光是開關(guān)電源電路中,經(jīng)常會(huì)使用MOS管,正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-08 10:03 ?707次閱讀

大功率電力電子器件散熱研究綜述

針對(duì)現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題,以溫度對(duì)電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見散....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-07 09:37 ?2250次閱讀
大功率電力電子器件散熱研究綜述

碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備,主要作用是....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-06 09:42 ?1254次閱讀
碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-06 09:39 ?10292次閱讀
氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)二極管和三極管

二極管:將PN結(jié)用外殼封裝起來,并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管(P區(qū)引出的電極為陽(yáng)極,N區(qū)引出的....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-06 09:36 ?7336次閱讀
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)二極管和三極管

芯片的真實(shí)成本是多少?

過去,分析師、顧問和許多其他專家試圖估算采用最新工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新芯片的成本。他們的結(jié)論是,到了 3n....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-02 16:12 ?1411次閱讀
芯片的真實(shí)成本是多少?

Yole:2028年功率器件市場(chǎng)將達(dá)333億美元

一直以來,硅器件廠商在不斷發(fā)展,并積極擁抱轉(zhuǎn)向12英寸晶圓的趨勢(shì),以提升產(chǎn)能并降低單顆裸芯的成本。硅....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-02 15:55 ?643次閱讀
Yole:2028年功率器件市場(chǎng)將達(dá)333億美元

常見的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-02 10:29 ?2009次閱讀

有史以來最快的半導(dǎo)體“超原子”能將芯片速度提升千倍

“超原子”(superatomic)材料已成為已知最快的半導(dǎo)體,并且可能導(dǎo)致計(jì)算機(jī)芯片的速度比當(dāng)今任....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 11-02 09:38 ?877次閱讀

功率器件市場(chǎng),中國(guó)是擴(kuò)張主力

報(bào)告進(jìn)一步指出,到2022 年,分立器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到 143 億美元,到 2028 年預(yù)計(jì)將達(dá)到 ....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-31 15:34 ?984次閱讀
功率器件市場(chǎng),中國(guó)是擴(kuò)張主力

二維材料給功率半導(dǎo)體帶來了什么?

9月15日,華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的翟天佑教授團(tuán)隊(duì)宣布,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)在二維高性能....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-30 14:12 ?1416次閱讀
二維材料給功率半導(dǎo)體帶來了什么?

新型晶圓成像技術(shù)可節(jié)省數(shù)百萬英鎊

一項(xiàng)可為半導(dǎo)體行業(yè)節(jié)省數(shù)百萬英鎊的晶圓成像技術(shù)將獲得 ChipStart UK 的支持,該項(xiàng)目是 S....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-27 15:01 ?796次閱讀

復(fù)旦大學(xué)提出一種具有溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗雙極晶體管

針對(duì)未來智慧功率器件和模組中需要集成實(shí)時(shí)溫度傳感功能的需求,團(tuán)隊(duì)提出了一種具有空穴通道和溫度傳感功能....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-25 10:53 ?989次閱讀
復(fù)旦大學(xué)提出一種具有溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗雙極晶體管

梳理一下車規(guī)級(jí)IGBT模塊封裝趨勢(shì)

電動(dòng)汽車近幾年的蓬勃發(fā)展帶動(dòng)了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-24 16:46 ?2392次閱讀
梳理一下車規(guī)級(jí)IGBT模塊封裝趨勢(shì)

講一講Apple Macintosh處理器過渡的故事

從 68k 到 PowerPC 的轉(zhuǎn)變被廣泛認(rèn)為是成功的。在 20 世紀(jì) 90 年代的大部分時(shí)間里,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-24 14:54 ?1112次閱讀

高數(shù)值孔徑EUV的可能拼接解決方案

采用曲線掩模的另一個(gè)挑戰(zhàn)是需要將兩個(gè)掩??p合在一起以在晶圓上形成完整的圖像。對(duì)于高數(shù)值孔徑 EUV,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-23 12:21 ?944次閱讀
高數(shù)值孔徑EUV的可能拼接解決方案

芯片庫(kù)存調(diào)整,接近尾聲

野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說,半導(dǎo)體業(yè)這波庫(kù)存調(diào)整周期從去年中開始,現(xiàn)在可能已....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-16 16:17 ?646次閱讀