芯長征科技

近日，芯長征在UL認(rèn)證專業(yè)機(jī)構(gòu)安可捷協(xié)助下，成功完成IGBT模組的UL認(rèn)證流程，為公司的產(chǎn)品研發(fā)與市....

功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路，是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件，由于....

三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通....

功率半導(dǎo)體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是....

其中，有一個(gè)插圖，知識星球里有朋友不明白每層的構(gòu)造原理，這里我來剖析一下。

汽車電子對元件的工作溫度要求比較寬，根據(jù)不同的安裝位置等有不同的需求，但一般都要高于民用產(chǎn)品的要求。

碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對低等特點(diǎn)， 是替代高壓硅MO....

據(jù)日本研究人員報(bào)告，通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性....

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A....

1：制造先進(jìn)的啟動(dòng)晶片(SOI)的方法。 2：作為一種創(chuàng)建復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)和腔體的方法，以創(chuàng)造設(shè)備....

三電平逆變器基本介紹

只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技....

功率變換系統(tǒng)（power conversion system，PCS）是與儲能電池組配 套，連接于電....

3D集成是實(shí)現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù)，是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回....

摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發(fā)展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研....

光伏逆變器拓?fù)涓攀黾瓣P(guān)鍵技術(shù)

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件....

IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,

晶體管是一個(gè)簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便....

半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極....

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工....

晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同....

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此....

Chiplets（芯片堆疊）并不新鮮。其起源深深植根于半導(dǎo)體行業(yè)，代表了設(shè)計(jì)和制造集成電路的模塊化方....

摘要：隨著人們環(huán)保意識的不斷提高，傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求，以太陽能為代表的可再生新能....

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（....

這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開....

為適應(yīng)未來大功率高壓快充發(fā)展趨勢，主流車企及充電運(yùn)營商已經(jīng)開始布局大功率快充樁。但高壓快充對充電樁的....