關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析（設(shè)計(jì)、制造和后制造）

本文主要討論半導(dǎo)體價(jià)值鏈中的設(shè)計(jì)、制造和后制造等環(huán)節(jié)，著重介紹晶圓制造和封裝等最耗時(shí)、最具價(jià)值的過(guò)程。半導(dǎo)體行業(yè)面臨著減少生態(tài)足跡的壓力，綠色制造已成為行業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)。同時(shí)，先進(jìn)封裝和混合鍵合技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)著半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域的創(chuàng)新，同時(shí)也驅(qū)動(dòng)著汽車(chē)行業(yè)的自動(dòng)化和電氣化發(fā)展。本文還介紹了不同類(lèi)型芯片的創(chuàng)新方向和差異，以及半導(dǎo)體技術(shù)擴(kuò)展所需的真空條件和清潔設(shè)備等問(wèn)題。

詳情

半導(dǎo)體價(jià)值鏈包括設(shè)計(jì)、制造、后制造等多個(gè)環(huán)節(jié)。設(shè)計(jì)階段包括電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具、特定IP和芯片設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)受到EDA工具和IP的驅(qū)動(dòng)，而芯片制造發(fā)生在制造廠房中。制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程，其中晶圓制造是最耗時(shí)、最具價(jià)值的過(guò)程，也是成本最高的環(huán)節(jié)。制造結(jié)束后，進(jìn)入后制造階段，包括晶圓測(cè)試、封裝等環(huán)節(jié)。最終產(chǎn)品形態(tài)是單個(gè)晶片，也有利用晶圓封裝的先進(jìn)封裝和異構(gòu)集成。

1.半導(dǎo)體價(jià)值鏈的設(shè)計(jì)階段包括電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具、特定IP和芯片設(shè)計(jì)。EDA和IP驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)，可以設(shè)計(jì)出適用于七或十納米邏輯芯片、DRAM芯片或NAND芯片的芯片。

2.半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。晶圓制造發(fā)生在制造廠房中，是最耗時(shí)、最具價(jià)值、成本最高的過(guò)程。每個(gè)制造廠房的前段、中段、后段和遠(yuǎn)端都有多個(gè)制程步驟，總計(jì)有1200個(gè)步驟，需要花費(fèi)2.5至3.5個(gè)月。

3.半導(dǎo)體價(jià)值鏈的后制造階段包括晶圓測(cè)試、C4接觸、不同的金屬層和UBM層等多個(gè)環(huán)節(jié)，最終形成單個(gè)晶片。晶圓測(cè)試是后制造階段的第一個(gè)環(huán)節(jié)，可以測(cè)試出晶圓上有多少好的晶元。

4.晶片準(zhǔn)備是半導(dǎo)體價(jià)值鏈中非常重要的一環(huán)，主要發(fā)生在制造結(jié)束后的后制造階段。晶片準(zhǔn)備包括薄化模塊、激光模塊、鋸片模塊等多個(gè)環(huán)節(jié)，最終將晶圓轉(zhuǎn)換為單個(gè)晶片。單個(gè)晶片通過(guò)自動(dòng)化真空氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)作用被放置在膠帶和卷筒中，作為組裝、測(cè)試和封裝階段的輸入。

5.組裝、測(cè)試和封裝階段發(fā)生在單個(gè)晶片的水平上。封裝過(guò)程包括封裝和測(cè)試，先進(jìn)行表面貼裝，然后進(jìn)行測(cè)試，最后進(jìn)行包裝。

6.從地理角度看，半導(dǎo)體價(jià)值鏈中的不同環(huán)節(jié)位于不同的地區(qū)。例如，大多數(shù)晶圓制造廠位于亞洲，而一些芯片設(shè)計(jì)和IP供應(yīng)商位于美國(guó)和歐洲。

7.半導(dǎo)體價(jià)值鏈中不同環(huán)節(jié)的復(fù)雜性各不相同。晶圓制造是最復(fù)雜的環(huán)節(jié)，需要花費(fèi)最長(zhǎng)的時(shí)間和最高的成本。設(shè)計(jì)和后制造階段相對(duì)較簡(jiǎn)單，但仍然需要精密的工具和流程。

8.最近，半導(dǎo)體行業(yè)中出現(xiàn)了更先進(jìn)的封裝技術(shù)和異構(gòu)集成架構(gòu)，這主要用于使用晶圓封裝的領(lǐng)先產(chǎn)品。這些技術(shù)為半導(dǎo)體價(jià)值鏈帶來(lái)了更多的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

半導(dǎo)體制造中的組裝、測(cè)試和封裝等過(guò)程，主要在亞洲地區(qū)完成。最重要的價(jià)值活動(dòng)是技術(shù)的規(guī)?；湍苄У奶岣?，這決定了產(chǎn)品的性能。半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先技術(shù)主要由規(guī)模化驅(qū)動(dòng)，而其他方面則是附加值。在iPhone等設(shè)備中，約2/3的生命周期生態(tài)足跡來(lái)自于其中的半導(dǎo)體制造。

1.半導(dǎo)體的組裝、測(cè)試和封裝主要在單個(gè)芯片水平上完成。組裝從多個(gè)模塊開(kāi)始，類(lèi)似于晶圓制造，但在更為輕松的無(wú)塵室環(huán)境中進(jìn)行，并具有更低的CapEx和OpEx成本結(jié)構(gòu)，所需技能集合也相差很大。整個(gè)過(guò)程主要在亞洲地區(qū)完成，包括系統(tǒng)級(jí)測(cè)試等單個(gè)芯片測(cè)試。

2.供應(yīng)商如蘋(píng)果公司等采用一站式服務(wù)方案，跨越不同玩家、地區(qū)、技術(shù)世代和地理位置，從設(shè)計(jì)到最終組裝、測(cè)試和封裝系統(tǒng)級(jí)測(cè)試產(chǎn)品，由超級(jí)集成商負(fù)責(zé)完成。

3.最大的增值活動(dòng)是技術(shù)的規(guī)模化和能效的提高，這決定了產(chǎn)品的性能。半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先技術(shù)主要由規(guī)?；?qū)動(dòng)，而其他方面則是附加值。

4.規(guī)?；前雽?dǎo)體行業(yè)的最大游戲。所有領(lǐng)先技術(shù)都是由規(guī)?；?qū)動(dòng)的。如果無(wú)法在晶體管級(jí)別上進(jìn)行技術(shù)或架構(gòu)的規(guī)?；瑹o(wú)法提高產(chǎn)品的計(jì)算性能或存儲(chǔ)性能。

5.DRAM的規(guī)?；譃閍lpha、beta、gamma和X、Y、Z，而閃存存儲(chǔ)則是以3D方向的層數(shù)計(jì)算規(guī)模。無(wú)論是哪種存儲(chǔ)方式，規(guī)?；际且粋€(gè)通用的特性。

6.規(guī)?；浅：馁Y，但它是最有價(jià)值的增值活動(dòng)。如果想要從成本和時(shí)間的角度來(lái)看待它，我們也可以這樣做。

7.能效是半導(dǎo)體行業(yè)的第二個(gè)最重要的標(biāo)準(zhǔn)或增值活動(dòng)。例如，最新的iPhone模型中，生態(tài)足跡的2/3來(lái)自于其中包含的各種硅片的半導(dǎo)體制造。

8.半導(dǎo)體制造的價(jià)值鏈，其主要價(jià)值活動(dòng)是技術(shù)的規(guī)?；湍苄У奶岣?，這決定了產(chǎn)品的性能。其他方面則是附加值。在iPhone等設(shè)備中，約2/3的生命周期生態(tài)足跡來(lái)自于其中的半導(dǎo)體制造。

iPhone包含多個(gè)不同的芯片組，僅在制造過(guò)程中就產(chǎn)生了大部分的碳足跡，這已經(jīng)占據(jù)了整個(gè)使用壽命中的碳足跡的三分之二。因此，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著巨大的壓力，要減少生態(tài)足跡?，F(xiàn)在半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的所有方面都將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向綠色制造。這可以通過(guò)使用更綠色的材料、回收和重復(fù)利用、使用替代化學(xué)品等方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。產(chǎn)品公司、買(mǎi)家和汽車(chē)制造商都在尋求更環(huán)保的半導(dǎo)體產(chǎn)品和供應(yīng)鏈。這些只是綠色制造的一些策略。此外，半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展也將推動(dòng)規(guī)模化生產(chǎn)。目前，極紫外激光是制造最先進(jìn)的邏輯、計(jì)算或存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)先技術(shù)。這種設(shè)備非常昂貴且復(fù)雜。每個(gè)設(shè)備可能有10萬(wàn)個(gè)部件。

1.iPhone包含多個(gè)不同的芯片組，如果僅從制造過(guò)程中產(chǎn)生的碳足跡來(lái)看，這已經(jīng)占據(jù)了整個(gè)使用壽命中的碳足跡的三分之二。

2.半導(dǎo)體行業(yè)面臨著巨大的壓力，要減少生態(tài)足跡?，F(xiàn)在半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的所有方面都將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向綠色制造。

3.綠色制造可以通過(guò)使用更綠色的材料、回收和重復(fù)利用、使用替代化學(xué)品等方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。

4.綠色制造是一種增值的活動(dòng)，因?yàn)樗梢越档蜕芷诘奶甲阚E，對(duì)產(chǎn)品公司、買(mǎi)家和汽車(chē)制造商都有吸引力。

5.半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展將推動(dòng)規(guī)?；a(chǎn)。目前，極紫外激光是制造最先進(jìn)的邏輯、計(jì)算或存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)先技術(shù)。

6.極紫外激光可以通過(guò)使用不同類(lèi)型的材料來(lái)創(chuàng)建光的偏差，從而在硅表面上形成非常細(xì)小的線條或特征。目前使用的極紫外激光的波長(zhǎng)大約為13.5納米。

7.制造極紫外激光設(shè)備的成本非常昂貴，每個(gè)設(shè)備可能有10萬(wàn)個(gè)部件，價(jià)格在250萬(wàn)至300萬(wàn)美元之間。

8.半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的材料通常是腐蝕性、致癌性的化學(xué)品，不同地區(qū)有不同的環(huán)境健康安全要求。目前的解決方案是通過(guò)提高過(guò)程效率、回收和重復(fù)利用和使用替代化學(xué)品來(lái)減少排放。

在討論半導(dǎo)體制造過(guò)程中，除了光刻之外，還有哪些競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)和價(jià)值鏈中的其他技術(shù)。光刻中使用的光刻膠不是由SML制造的，而是從亞洲其他公司采購(gòu)的。而且，這種材料的供應(yīng)非常受限。除了光刻膠，還有其他輔助光刻材料，可以促進(jìn)7納米技術(shù)以下的極端縮放。此外，化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)也是半導(dǎo)體制造過(guò)程中非常重要的過(guò)程，它們確保了光刻膠的成功。CMP工具是從各種設(shè)備供應(yīng)商那里獲得的。多種CMP工藝和CMP漿料也與技術(shù)代數(shù)相關(guān)。由于引入了新材料，也引入了新的CMP漿料材料。在半導(dǎo)體和晶片的制造中，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價(jià)權(quán)。

1.光刻中使用的光刻膠是光刻工具中使用的材料。這種材料不是由SML制造的，而是從亞洲其他公司采購(gòu)的。此外，除了光刻膠之外，還有其他輔助光刻材料，可以促進(jìn)7納米技術(shù)以下的極端縮放。總的來(lái)說(shuō)，光刻膠是一個(gè)非常關(guān)鍵的高附加值領(lǐng)域。此外，EUV光刻膠的價(jià)格飛漲，價(jià)格權(quán)力也在那里。

2.化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)也是半導(dǎo)體制造過(guò)程中非常重要的過(guò)程，它們確保了光刻膠的成功。這些CMP工具來(lái)自各種設(shè)備供應(yīng)商，并且也有多個(gè)技術(shù)代數(shù)。CMP工具的成功在于旋轉(zhuǎn)器、墊子和CMP漿料。因此，有特定的旋轉(zhuǎn)器和墊子，這與在汽車(chē)車(chē)輛上進(jìn)行緩沖（例如使用一些聚合物等）非常相似。因此，您可以用旋轉(zhuǎn)器和墊子以非常高的速度與晶片接觸，并試圖使整個(gè)晶片在納米級(jí)和強(qiáng)度級(jí)上保持一致性，從而使視場(chǎng)在整個(gè)晶片上是均勻的。

3.每個(gè)技術(shù)代數(shù)都有多個(gè)涂覆工藝，每個(gè)涂覆工藝都有不同的涂覆漿料。因此，CMP漿料與輔助光刻材料一樣重要。有一些特定的公司可以生產(chǎn)這些CMP漿料。在半導(dǎo)體技術(shù)制造的縮放過(guò)程中，引入了新的材料和新的CMP漿料材料。因此，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價(jià)權(quán)。

4.CMP漿料和光刻膠都受到供應(yīng)限制。目前，有很少的公司可以生產(chǎn)這些材料，因此這些材料的供應(yīng)非常脆弱。此外，由于引入了新材料，也引入了新的CMP漿料材料。因此，在半導(dǎo)體和晶片的制造中，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價(jià)權(quán)。

5.EUV光刻膠的價(jià)格飛漲，價(jià)格權(quán)力也在那里。在半導(dǎo)體和晶片的制造中，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價(jià)權(quán)。

6.CMP漿料和光刻膠在半導(dǎo)體技術(shù)制造的縮放過(guò)程中非常重要。CMP漿料和光刻膠都受到供應(yīng)限制。目前，有很少的公司可以生產(chǎn)這些材料，因此這些材料的供應(yīng)非常脆弱。在半導(dǎo)體和晶片的制造中，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價(jià)權(quán)。

7.在制造半導(dǎo)體的過(guò)程中，除了光刻之外，還有其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)。這些技術(shù)包括化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)等。

8.制造半導(dǎo)體的過(guò)程包括1,200個(gè)過(guò)程步驟。在從10納米到7納米、5納米到4納米的過(guò)渡中，必須進(jìn)行多個(gè)獨(dú)特的創(chuàng)新。新材料和新金屬的引入可以獲得更強(qiáng)的容量和IMC抵抗力。在半導(dǎo)體技術(shù)制造的縮放過(guò)程中，引入了新的材料和新的CMP漿料材料。因此，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，有許多競(jìng)爭(zhēng)的創(chuàng)新領(lǐng)域。

半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中邏輯、存儲(chǔ)、模擬和計(jì)算等不同芯片類(lèi)型的創(chuàng)新方向和復(fù)雜性不同。雖然有共性，例如光刻在邏輯和存儲(chǔ)中都是重要的價(jià)值增值環(huán)節(jié)，但它們也有各自獨(dú)特的創(chuàng)新方向。以DRAM和NAND閃存為例，DRAM的創(chuàng)新方向是在同一硅表面積上提高密度，以減少刷新次數(shù)，需要新材料、新制造工藝和先進(jìn)設(shè)備的結(jié)合。而NAND閃存的增長(zhǎng)潛力更大，特別是在3D NAND的情況下。同時(shí)，真空環(huán)境和流體壓力管理系統(tǒng)在邏輯、計(jì)算和存儲(chǔ)領(lǐng)域中都非常重要，但這一領(lǐng)域非常分散。

1.半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的邏輯、存儲(chǔ)、模擬和計(jì)算等不同芯片類(lèi)型的創(chuàng)新方向和復(fù)雜性不同。它們各自有不同的創(chuàng)新方向和復(fù)雜性障礙，例如光刻是邏輯和存儲(chǔ)中的共同價(jià)值增值環(huán)節(jié)，但它們也有各自獨(dú)特的創(chuàng)新方向。

2.盡管有共性，例如光刻在邏輯和存儲(chǔ)中都是重要的價(jià)值增值環(huán)節(jié)，但它們也有各自獨(dú)特的創(chuàng)新方向。

3.DRAM的創(chuàng)新方向是在同一硅表面積上提高密度，以減少刷新次數(shù)，需要新材料、新制造工藝和先進(jìn)設(shè)備的結(jié)合。

4.DRAM存儲(chǔ)的工作原理是基于每個(gè)單元電容器上的電荷，電荷會(huì)有不可避免的泄漏。因此，需要更多的電荷來(lái)延長(zhǎng)數(shù)據(jù)在DRAM存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)時(shí)間，從而需要更少的刷新次數(shù)。

5.DRAM制造需要改進(jìn)的方面包括新材料和金屬、新制造工藝以及來(lái)自設(shè)備供應(yīng)商的先進(jìn)設(shè)備。

6.在目前情況下，NAND閃存的增長(zhǎng)潛力更大，特別是在3D NAND的情況下，但這也存在一些問(wèn)題。

7.真空環(huán)境和流體壓力管理系統(tǒng)在邏輯、計(jì)算和存儲(chǔ)領(lǐng)域中都非常重要，但這一領(lǐng)域非常分散。

8.隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，真空環(huán)境和流體壓力管理系統(tǒng)需要滿足更嚴(yán)格的要求，因?yàn)榫w管變得越來(lái)越小，它們之間的距離也越來(lái)越近，因此需要更高的精度。

半導(dǎo)體技術(shù)的擴(kuò)展需要更好的真空條件和清潔設(shè)備。在工藝芯片或半工藝芯片表面可能會(huì)有外來(lái)材料，它們可能會(huì)在相鄰的門(mén)、電容器或晶體管之間造成電短路，從而破壞整個(gè)芯片。隨著間距的縮小和殺傷力較小的外來(lái)材料粒度的縮小，需要更好的真空可靠性設(shè)備和材料。供應(yīng)商開(kāi)發(fā)計(jì)劃可以使制造商與硬件供應(yīng)商合作，共享路線圖和需求，以便將要求提前到達(dá)。從硅片清洗設(shè)備到通信芯片的集成，半導(dǎo)體通信領(lǐng)域有很大的創(chuàng)新空間。

1.如果有任何可能附著在工藝芯片或半工藝芯片表面的外來(lái)材料，它們可能會(huì)在相鄰的門(mén)、電容器或晶體管之間造成電短路，從而破壞整個(gè)芯片。

2.隨著間距的縮小和殺傷力較小的外來(lái)材料粒度的縮小，需要更好的真空可靠性設(shè)備和材料。

3.供應(yīng)商開(kāi)發(fā)計(jì)劃可以使制造商與硬件供應(yīng)商合作，共享路線圖和需求，以便將要求提前到達(dá)。

4.硅片清洗設(shè)備是半導(dǎo)體技術(shù)的擴(kuò)展中的重要組成部分。SCREEN、Lam Research和KLA是該領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商之一。

5.在清洗步驟中使用特定的化學(xué)物質(zhì)，稱為濕化學(xué)。Entegris、Onto Innovation和Brewer Science等廠商提供這些材料。

6.通信芯片是半導(dǎo)體技術(shù)中的創(chuàng)新領(lǐng)域。由于CPU或SoC的驅(qū)動(dòng)，這些通信設(shè)備采用最新的技術(shù)代數(shù)。集成多個(gè)芯片的封裝技術(shù)是當(dāng)前集成創(chuàng)新的重點(diǎn)。

7.當(dāng)前集成戰(zhàn)爭(zhēng)在所有維度和基板上進(jìn)行。3.5D和2.5D架構(gòu)允許集成多個(gè)芯片，例如計(jì)算芯片與多個(gè)塊的內(nèi)存芯片組合，或多個(gè)邏輯芯片沿各種不同的方向連接。英特爾擁有ODI平臺(tái)，該平臺(tái)具有全向互連，不僅在垂直方向上，而且在所有維度上連接多個(gè)芯片。

8.從硅片清洗設(shè)備到通信芯片的集成，半導(dǎo)體通信領(lǐng)域有很大的創(chuàng)新空間。在CPU和SoC的驅(qū)動(dòng)下，這些通信設(shè)備采用最新的技術(shù)代數(shù)。集成多個(gè)芯片的封裝技術(shù)是當(dāng)前集成創(chuàng)新的重點(diǎn)。

先進(jìn)封裝創(chuàng)新正在推動(dòng)通信領(lǐng)域創(chuàng)新并提供領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)品。各種要求涉及材料、設(shè)備和工藝要求，例如異構(gòu)集成需要來(lái)自Nan Ya、各種PCB和ABF供應(yīng)商的特定襯底材料，以及各種局部硅互連和分散制造站點(diǎn)。多個(gè)不同的芯片在不同的技術(shù)世代的不同站點(diǎn)生產(chǎn)，然后組合在一起形成一個(gè)封裝。具體技術(shù)推動(dòng)著這種創(chuàng)新，例如混合鍵合技術(shù)。各種芯片制造商、設(shè)備供應(yīng)商、組裝、測(cè)試和封裝材料供應(yīng)商都在共同努力，以啟用混合鍵合，以便提供領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)品。

1.先進(jìn)封裝創(chuàng)新正在推動(dòng)通信領(lǐng)域創(chuàng)新并提供領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)品。它提高了清潔、檢查和所有段的價(jià)值，例如更高真空要求的縮放。

2.異構(gòu)集成需要多種材料、設(shè)備和工藝要求。例如，需要來(lái)自Nan Ya、各種PCB和ABF供應(yīng)商的特定襯底材料，以及各種局部硅互連和分散制造站點(diǎn)。

3.多個(gè)不同的芯片在不同的技術(shù)世代的不同站點(diǎn)生產(chǎn)，然后組合在一起形成一個(gè)封裝。

4.先進(jìn)封裝創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)技術(shù)之一是混合鍵合技術(shù)。

5.混合鍵合技術(shù)是需要晶圓制造的領(lǐng)域之一。因此，晶圓制造商、晶圓設(shè)備供應(yīng)商、組裝、測(cè)試和封裝設(shè)備供應(yīng)商以及組裝、測(cè)試和封裝材料供應(yīng)商都在共同努力，以啟用混合鍵合。

6.多家公司在異構(gòu)集成中押注混合鍵合技術(shù)，其中包括Intel、TSMC、三星等。

7.從應(yīng)用的角度來(lái)看，混合鍵合技術(shù)在汽車(chē)、客戶端和服務(wù)器等領(lǐng)域有最大影響。

8.例如，對(duì)于混合鍵合技術(shù)，需要進(jìn)行盡職調(diào)查。其中一家領(lǐng)先公司是Besi，另一家是Applied Materials。從供應(yīng)鏈角度來(lái)看，涉及的公司有Intel、TSMC、三星等。

汽車(chē)行業(yè)的自動(dòng)化和電氣化路線圖是由半導(dǎo)體產(chǎn)品的能效、面積、成本和交貨時(shí)間驅(qū)動(dòng)的。從級(jí)別一到級(jí)別二或從級(jí)別二到級(jí)別三的自動(dòng)駕駛跳躍取決于ADAS、信息娛樂(lè)、連通性和激光雷達(dá)等系統(tǒng)級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展。從硅到各種化合物半導(dǎo)體的電氣化方向，如碳化硅和氮化鎵，可以提高車(chē)載和離線充電的效率和速度。在半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化，從而提高能源效率。邏輯、存儲(chǔ)器和模擬器件是三種主要的芯片類(lèi)型，需要在這三種類(lèi)型上進(jìn)行創(chuàng)新，才能生產(chǎn)出領(lǐng)先的、領(lǐng)導(dǎo)型的產(chǎn)品。

1.汽車(chē)行業(yè)的自動(dòng)化和電氣化路線圖是由半導(dǎo)體產(chǎn)品的能效、面積、成本和交貨時(shí)間驅(qū)動(dòng)的。這些路線圖包括不同級(jí)別的自動(dòng)駕駛和電氣化，如級(jí)別一、二、三和四自動(dòng)駕駛，以及不同電氣化級(jí)別的產(chǎn)品。

2.半導(dǎo)體產(chǎn)品對(duì)汽車(chē)行業(yè)發(fā)展有很大的影響。汽車(chē)行業(yè)的自動(dòng)化和電氣化路線圖是由半導(dǎo)體產(chǎn)品的能效、面積、成本和交貨時(shí)間驅(qū)動(dòng)的。從級(jí)別一到級(jí)別二或從級(jí)別二到級(jí)別三的自動(dòng)駕駛跳躍取決于ADAS、信息娛樂(lè)、連通性和激光雷達(dá)等系統(tǒng)級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展。

3.從硅到各種化合物半導(dǎo)體的電氣化方向，如碳化硅和氮化鎵，可以提高車(chē)載和離線充電的效率和速度。這些化合物半導(dǎo)體可以增加功率電子、PIC和更快的充電效率，從而提高給定電池的效率。半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化，從而提高能源效率。

4.邏輯、存儲(chǔ)器和模擬器件是三種主要的芯片類(lèi)型。需要在這三種類(lèi)型上進(jìn)行創(chuàng)新，才能生產(chǎn)出領(lǐng)先的、領(lǐng)導(dǎo)型的產(chǎn)品。除此之外，還有離散型和光電子器件、傳感器融合等其他類(lèi)型的芯片。

5.半導(dǎo)體產(chǎn)品在汽車(chē)行業(yè)的自動(dòng)化和電氣化方向的發(fā)展中發(fā)揮著重要的作用。例如，從級(jí)別一到級(jí)別二或從級(jí)別二到級(jí)別三的自動(dòng)駕駛跳躍取決于ADAS、信息娛樂(lè)、連通性和激光雷達(dá)等系統(tǒng)級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展。

6.從硅到各種化合物半導(dǎo)體的電氣化方向，如碳化硅和氮化鎵，可以提高車(chē)載和離線充電的效率和速度。這些化合物半導(dǎo)體可以增加功率電子、PIC和更快的充電效率，從而提高給定電池的效率。半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化，從而提高能源效率。

7.邏輯、存儲(chǔ)器和模擬器件是三種主要的芯片類(lèi)型。需要在這三種類(lèi)型上進(jìn)行創(chuàng)新，才能生產(chǎn)出領(lǐng)先的、領(lǐng)導(dǎo)型的產(chǎn)品。并且，這些芯片類(lèi)型可以分別使用，也可以組合使用，以產(chǎn)生更高級(jí)別的產(chǎn)品。

8.半導(dǎo)體產(chǎn)品的創(chuàng)新對(duì)汽車(chē)行業(yè)的自動(dòng)化和電氣化方向的發(fā)展有很大的影響。邏輯、存儲(chǔ)器和模擬器件是三種主要的芯片類(lèi)型，需要在這三種類(lèi)型上進(jìn)行創(chuàng)新，才能生產(chǎn)出領(lǐng)先的、領(lǐng)導(dǎo)型的產(chǎn)品。此外，還有離散型和光電子器件、傳感器融合等其他類(lèi)型的芯片。整個(gè)汽車(chē)行業(yè)的自動(dòng)化和電氣化路線圖是由半導(dǎo)體產(chǎn)品的能效、面積、成本和交貨時(shí)間驅(qū)動(dòng)的。

審核編輯：黃飛