審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7164瀏覽量
213287 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27362瀏覽量
218696 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1267文章
3793瀏覽量
249018 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9693瀏覽量
138189
原文標(biāo)題:IGBT原理及應(yīng)用技術(shù)
文章出處:【微信號:芯長征科技,微信公眾號:芯長征科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件,是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心
發(fā)表于 09-22 16:54
?1.2w次閱讀
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理
體,IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。 與BJT或MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管IGBT優(yōu)勢在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益,以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。 0****1 **什么是
IGBT 工作原理及應(yīng)用
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應(yīng)用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護(hù)引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
發(fā)表于 03-17 11:59
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的
IGBT的工作原理和作用是什么?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的?IGBT的特點(diǎn)有哪些?
發(fā)表于 10-15 06:01
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn):本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。
發(fā)表于 11-16 07:16
IGBT作為核心部件的工作原理
調(diào)節(jié)輸出電能的形式,從而驅(qū)動電機(jī),進(jìn)而驅(qū)動車輛。這就是IGBT作為核心部件的工作原理。IGBT 功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動電機(jī),為汽車運(yùn)行提供動力。當(dāng)電驅(qū)動系統(tǒng)
發(fā)表于 05-10 09:54
igbt工作原理
igbt工作原理
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給 PNP 晶體管提供基極電流,使 IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使
發(fā)表于 12-22 10:36
?118次下載
igbt工作原理及應(yīng)用
igbt工作原理及應(yīng)用
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件
發(fā)表于 06-19 09:45
?1.1w次閱讀
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理
圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件
發(fā)表于 03-04 15:55
?5307次閱讀
igbt工作原理視頻
本文首先介紹了IGBT概念及結(jié)構(gòu),其次介紹了IGBT工作原理及代換,最后介紹了它的應(yīng)用領(lǐng)域。
IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明包括了:IGBT 的基本結(jié)構(gòu),IG
發(fā)表于 09-10 08:00
?19次下載
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
領(lǐng)域。本文將對IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理進(jìn)行詳細(xì)介紹。 一、IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) IGBT主要由
IGBT的工作原理 IGBT的驅(qū)動電路
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,常用于驅(qū)動大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)
igbt工作原理和結(jié)構(gòu)是什么
領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 一、IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理 IGBT是三端器件,三個極為漏極(D)、柵極(G)和源極(S)。 當(dāng)柵極電壓為正時,柵
評論