GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應(yīng)用于5G通信基站、氣象雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。
據(jù)悉，金剛石具備極強(qiáng)的導(dǎo)熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導(dǎo)電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。
在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成功地用金剛石作為襯底制造了GaN高電子遷移率晶體管。為了進(jìn)一步提高金剛石的導(dǎo)熱性，研究人員在GaN和金剛石之間加入了一層3C-SiC（立方碳化硅）層。這一技術(shù)顯著降低了界面的熱阻，從而提高了散熱效率。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9723瀏覽量
138602 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
59文章
1643瀏覽量
116481 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
1952瀏覽量
73806 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2790瀏覽量
49149
原文標(biāo)題：GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
文章出處：【微信號：芯長征科技，微信公眾號：芯長征科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
解析GaN器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長、鈍化生長
，金剛石近結(jié)散熱技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為提升 GaN 器件散熱能力的有效解決方案。以下將詳細(xì)介紹該技術(shù)的三種主要途徑及其優(yōu)勢與挑戰(zhàn)。 ? 金剛石襯
二極管的熱管理與散熱技術(shù)
二極管的熱管理與散熱技術(shù)是確保其穩(wěn)定工作和延長使用壽命的關(guān)鍵。以下是對二極管熱管理與散熱技術(shù)的分析： 一、二極管熱管理的重要性 二極管在工作過程中，會吸收大量的電能并將其轉(zhuǎn)化為
使用TPA6111A2提高放大倍數(shù)為2倍時發(fā)熱嚴(yán)重，為什么？
問題:使用TPA6111A2,當(dāng)放大倍數(shù)為1倍時,R1=20K,其反饋電阻RF=22K,空載時候電壓不升高,不發(fā)熱.而當(dāng)我要提高放大倍數(shù)為2倍
發(fā)表于 11-07 07:25
TPA3110D2的散熱盤是否一定要接地通過大電流？
我使用TPA3110D2。因為芯片中間的大散熱盤需要及時散熱，我涂了層導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂是不導(dǎo)電的。那么，問題來了：這樣做，芯片的最大導(dǎo)電和散熱腳，就是底盤沒有辦法和pcb有效連接了
發(fā)表于 11-04 07:31
利用LMG1210實現(xiàn)GaN半橋設(shè)計的散熱和功耗降低
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用LMG1210實現(xiàn)GaN半橋設(shè)計的散熱和功耗降低.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 10-14 10:13
?0次下載
手機(jī)散熱器拆解
，散熱效果可能會有所下降。此時有什么好辦法可以提高散熱效果呢，讓我們一起拆解一個散熱器看看。 此散熱器是大概一年前在某寶購買的，采用風(fēng)扇+半
發(fā)表于 09-25 15:46
TAS5630 SE模式時，IC如何提高擾干擾能力？
，C23至0.1uF,問題同樣存在。
C與D之間互相干擾。
當(dāng)A+B輸入100HZ ，隨著輸出幅度增大，C，D會有干擾輸出，輸出頻率隨A+B幅度增大而增大。
當(dāng)將PCB改成2*BTL模式時 ，CMRR提高，性能良好
請問SE模式時，IC如何
發(fā)表于 09-25 08:28
散熱技術(shù)的演進(jìn) | 熱管、VC(Vapor chamber)
摘要：由于利用介質(zhì)潛熱，以熱管、VC（VaporChamber）為代表的相變傳熱技術(shù)具有顯著高于導(dǎo)熱、對流的換熱系數(shù)和散熱能力，是解決日益增長的產(chǎn)品散熱需求的關(guān)鍵技術(shù)。在芯片功耗與熱流
如何提高LoRa抗干擾能力來提升通信質(zhì)量的幾種技術(shù)分享
LoRa（Long?Range）技術(shù)憑借其遠(yuǎn)距離傳輸、低功耗和高抗干擾能力，在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。 LoRa技術(shù) 強(qiáng)大的抗干擾能力不僅
氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展
本文要點氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
5G芯片超薄絕緣導(dǎo)熱透波氮化硼散熱片
芯片的小型化和高度集成化，會導(dǎo)致局部熱流密度大幅上升。算力的提升、速度的提高帶來巨大的功耗和發(fā)熱量。制約高算力芯片發(fā)展的主要因素之一就是散熱能力。未來，人工智能行業(yè)會因為算力散熱問題被“卡脖子
谷歌推出Trillium AI芯片，性能提高近5倍
谷歌推出了其最新的人工智能數(shù)據(jù)中心芯片——Trillium。這款芯片是谷歌的第六代產(chǎn)品，與上一代TPU v5e相比，Trillium在每個芯片上的峰值計算性能提高了4.7倍，節(jié)能67%以上。
聚燦光電使用T3Ster大大提升LED芯片散熱能力
原理和工作方式，芯片會受到較高的溫度影響，如果芯片的散熱性能不足，則會導(dǎo)致芯片過熱和壽命縮短，甚至引發(fā)燈具故障。因此，在LED燈具設(shè)計和制造過程中，必須考慮芯片的散熱問題，并采取有效的散熱措施。 聚燦光電依托自身的
索尼開發(fā)出可使HDD容量翻番的技術(shù)
索尼集團(tuán)近日宣布，他們已成功開發(fā)出一種新技術(shù)，可使機(jī)械硬盤（HDD）的存儲容量翻倍。這項技術(shù)預(yù)計將從5月起正式投入量產(chǎn)，并有望為解決當(dāng)前數(shù)據(jù)中心存儲短缺的問題提供重要支持。
三星Exynos 2400芯片采用FOWLP技術(shù)，提高性能與散熱能力
據(jù)最新消息，三星的Exynos 2400芯片將采用扇出式晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)。這種封裝技術(shù)使得Exynos 2400在性能和散熱能力方面有了顯著提升。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論