廣州萬(wàn)智光學(xué)技術(shù)有限公司

動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-27 14:16

  1um以下的光刻深度,凹槽深度和寬度測(cè)量

  

  一、白光干涉儀測(cè)量原理 白光干涉儀利用白光干涉原理，通過(guò)測(cè)量反射光與參考光之間的光程差來(lái)精確獲取待測(cè)表面的高度信息。其測(cè)量精度可達(dá)到納米級(jí)別，非常適合用于測(cè)量1um以下的光刻深度、凹槽深度和寬度。 二、測(cè)量步驟與注意事項(xiàng) 樣品準(zhǔn)備： 確保待測(cè)樣品表面干凈無(wú)塵，無(wú)油污或其他污染物，因?yàn)檫@些會(huì)影響干涉圖樣的清晰度和測(cè)量精度。 對(duì)于光刻和凹槽結(jié)構(gòu)，需要特別注意保

  測(cè)量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 09:54

  優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

  

  一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法腐蝕過(guò)程中，由于腐蝕液的選擇、腐蝕時(shí)間的控制、腐蝕均勻性等因素，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的增加，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響濕法腐蝕后TTV的關(guān)鍵因素 腐蝕液成分：腐蝕液的選擇直接影響腐

  半導(dǎo)體 硅襯底 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 09:51

  用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

  

  一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本，以及最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。因此，在碳化硅襯底的加工過(guò)程中，TTV控制是至關(guān)重要的一環(huán)。 二、硅棒安裝機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理 為了有效控制碳化硅襯底的TTV，我們?cè)O(shè)計(jì)了一種新型的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。該機(jī)構(gòu)通過(guò)精確控制硅棒的定

  半導(dǎo)體晶圓 硅襯底 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 10:31

  降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

  

  一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對(duì)最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割：將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線砂漿切割是目前常用的切割方式，關(guān)鍵在于確保切割后的晶片厚度均勻、翹曲度小。 粗磨：去除切割過(guò)程中產(chǎn)生的表面損傷和刀紋，修復(fù)變形。此過(guò)程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金剛石

  半導(dǎo)體 晶圓 硅襯底 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 09:50

  激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控

  

  一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進(jìn)的熱處理技術(shù)，通過(guò)局部高溫作用，能夠修復(fù)碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質(zhì)量，優(yōu)化摻雜元素的分布，從而改善材料的導(dǎo)電性能和表面結(jié)構(gòu)。然而，激光退火過(guò)程中，由于激光能量分布的不均勻性、退火參數(shù)的精確控制難度以及襯底材料的初始狀態(tài)等因素，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的變化，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的

  晶圓 碳化硅 襯底

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 16:56

  碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控

  

  一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)量。然而，修邊過(guò)程中由于機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力以及工藝參數(shù)的精確控制難度，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的變化，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響修邊處理后TTV變化的關(guān)鍵因素 修邊工藝：修邊工藝的選擇直

  SiC 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-20 09:50

  帶冷卻功能的新型晶圓研磨盤(pán)技術(shù)

  

  帶冷卻功能的新型晶圓研磨盤(pán)技術(shù)是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，旨在解決傳統(tǒng)研磨盤(pán)在研磨過(guò)程中溫度變化的問(wèn)題，確保研磨后產(chǎn)品的厚度和平整度達(dá)到極高標(biāo)準(zhǔn)。以下是對(duì)該技術(shù)的詳細(xì)介紹： 一、技術(shù)背景 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓研磨是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。然而，傳統(tǒng)研磨盤(pán)在長(zhǎng)時(shí)間研磨過(guò)程中，由于摩擦產(chǎn)生的熱量無(wú)法及時(shí)散發(fā)，導(dǎo)致研磨盤(pán)溫度升高，進(jìn)而影響研磨效果和產(chǎn)品質(zhì)量

  半導(dǎo)體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2024-12-19 09:54

  晶圓背面涂敷工藝對(duì)晶圓的影響

  

  一、概述 晶圓背面涂敷工藝是在晶圓背面涂覆一層特定的材料，以滿足封裝過(guò)程中的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機(jī)械強(qiáng)度，還可以優(yōu)化散熱性能，確保芯片的穩(wěn)定性和可靠性。 二、材料選擇 晶圓背面涂敷工藝中常用的材料包括： 芯片粘結(jié)劑：作為漿料涂覆到晶圓背面，之后再烘干。采用這種方法，成本較低，同時(shí)可以控制鍵合層厚度并且提高單位時(shí)間產(chǎn)量。 WBC膠水：其成分

  晶圓 測(cè)厚

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• 發(fā)布了文章 2024-12-18 09:47

  高臺(tái)階基底晶圓貼蠟方法

  

  高臺(tái)階基底晶圓貼蠟方法是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，特別是在處理具有高階臺(tái)金屬結(jié)構(gòu)的晶圓時(shí)。以下是一種有效的高臺(tái)階基底晶圓貼蠟方法： 一、方法概述 該方法利用膠厚和蠟厚將高臺(tái)階填平，并使用較輕的物理壓力以及抽真空技術(shù)來(lái)確保晶圓與陶瓷盤(pán)之間的緊密貼合。此方法不僅有效避免高臺(tái)階金屬被壓碎，還能保證晶圓片內(nèi)厚度偏差（TTV）值在可接受范圍內(nèi)。 二、具體步驟 勻

  半導(dǎo)體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2024-12-17 10:01

  晶圓的TTV，BOW，WARP，TIR是什么？

  

  晶圓的TTV、BOW、WARP、TIR是評(píng)估晶圓質(zhì)量和加工精度的重要指標(biāo)，以下是它們的詳細(xì)介紹： TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差） 定義：晶圓的總厚度變化，指晶圓在其直徑范圍內(nèi)的最大和最小厚度之間的差異。 測(cè)量方法：晶圓在未緊貼狀態(tài)下，測(cè)量晶圓中心點(diǎn)表面距離參考平面的最小值和最大值之間的偏差，偏差包括凹形和凸形的情況

  Warp 測(cè)厚

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