廣州萬智光學技術(shù)有限公司

動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-03 13:29

  除了邁克爾遜干涉和Linnik型干涉外，常見的干涉設計還有哪些？

  

  除了邁克爾遜干涉和Linnik型干涉外，常見的干涉設計還有多種，以下是一些主要的類型： 馬赫-增德爾（Mach-Zehnder）干涉： 原理：通過分束器將一束光分成兩束，這兩束光分別在不同的路徑中傳播，然后再通過另一個分束器重新組合。由于兩束光在傳播過程中可能經(jīng)歷不同的光程，因此會產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。 應用：馬赫-增德爾干涉儀常用于透射樣本的測量，如生物樣本、全息

  測量 白光干涉儀

  338瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-24 14:23

  去除碳化硅外延片揭膜后臟污的清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作為新一代半導體材料，因其出色的物理和化學特性，在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而，在SiC外延片的制備過程中，揭膜后的臟污問題一直是影響外延片質(zhì)量和后續(xù)器件性能的關(guān)鍵因素。臟污主要包括顆粒物、有機物、無機化合物以及重金屬離子等，它們可能來源于外延生長過程中的反應副產(chǎn)物、空氣中的污染物或處理過程中的殘留

  半導體材料 外延片 碳化硅

  225瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-11 14:39

  SiC外延片的化學機械清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導體材料，因其卓越的物理和化學性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而，在SiC外延片的制造過程中，表面污染物的存在會嚴重影響外延片的質(zhì)量和性能。因此，采用高效的化學機械清洗方法，以徹底去除SiC外延片表面的污染物，成為保證外延片質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。本文將詳細介紹SiC外延片的化學機械清洗方法

  SiC 半導體 碳化硅

  390瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-11 09:43

  繼經(jīng)典邁克爾遜干涉后的零差式激光干涉技術(shù)的出現(xiàn)

  

  零差式激光干涉技術(shù)是在經(jīng)典邁克爾遜干涉原理的基礎上發(fā)展起來的一種高精度測量技術(shù)。以下是對這一技術(shù)的詳細介紹： 一、經(jīng)典邁克爾遜干涉原理 邁克爾遜干涉儀是一種利用分振幅法產(chǎn)生雙光束以實現(xiàn)干涉的光學儀器，它是最著名的干涉儀之一，為光學干涉測量中各類干涉儀的原型。其原理主要是利用兩束相干光波在空間某點相遇時相互疊加，形成穩(wěn)定的明暗相間的干涉條紋，當被測物體發(fā)生移動

  測量 激光干涉儀 白光干涉儀

  293瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-10 11:28

  外差式激光干涉和零差式激光干涉的區(qū)別

  

  外差式激光干涉和零差式激光干涉是兩種不同的激光干涉測量技術(shù)，它們在工作原理、特點和應用方面存在顯著的差異。以下是對這兩種技術(shù)的詳細比較： 一、工作原理 外差式激光干涉 外差式激光干涉儀又稱雙頻干涉儀或交流干涉儀，其工作原理是利用兩種不同頻率的單色光作為測量光束和參考光束。 通過光電探測器的混頻，輸出差頻信號，從而實現(xiàn)對被測物體的精確測量。 零差式激光干涉 零

  3D 測量 白光干涉儀

  406瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-10 09:35

  有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其出色的物理和化學特性，在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而，在SiC外延生長過程中，掉落物缺陷（如顆粒脫落、乳凸等）一直是影響外延片質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會降低外延片的良品率，還可能對后續(xù)器件的可靠性產(chǎn)生嚴重影響。因此，有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成，對于提升Si

  SiC 半導體 晶圓

  371瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-08 14:24

  白光干涉儀的膜厚測量模式原理

  

  白光干涉儀的膜厚測量模式原理主要基于光的干涉原理，通過測量反射光波的相位差或干涉條紋的變化來精確計算薄膜的厚度。以下是該原理的詳細解釋： 一、基本原理 當光線照射到薄膜表面時，部分光線會在薄膜表面反射，形成表面反射光；另一部分光線會穿透薄膜，在薄膜與基底的界面上反射，然后再次穿過薄膜返回，形成內(nèi)部反射光。這兩束反射光在空間中相遇時，如果它們的相位差是2π的整

  測量 白光干涉儀

  407瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-08 09:45

  應力消除外延生長裝置及外延生長方法

  

  引言 在半導體材料領域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熱導率、高擊穿電場強度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生長過程中，襯底應力問題一直是影響外延片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素。為了克服這一問題，應力消除外延生長裝置及外延生長方法應運而生。本文將詳細介紹這種裝置和方法的工作原理、技術(shù)特點以及應用前景。 應力

  SiC 半導體 碳化硅

  246瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-07 15:11

  白光干涉儀的光譜干涉模式原理

  

  白光干涉儀的光譜干涉模式原理主要基于光的干涉和光譜分析。以下是對該原理的詳細解釋： 一、基本原理 白光干涉儀利用干涉原理測量光程之差，從而測定有關(guān)物理量。在光譜干涉模式中，白光作為光源，其發(fā)出的光經(jīng)過擴束準直后，通過分光棱鏡等光學元件被分成兩束相干光。一束光經(jīng)被測表面反射回來，另一束光經(jīng)參考鏡反射。兩束反射光最終匯聚并發(fā)生干涉，形成干涉條紋。 二、光譜干涉的

  測量 白光干涉儀

  447瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-02-07 09:55

  碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領域具有廣泛應用。在SiC外延晶片的制備過程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護外延層免受機械損傷和污染。然而，貼膜后的清洗過程同樣至關(guān)重要，它直接影響到外延晶片的最終質(zhì)量和性能。本文將詳細介紹碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步驟、所用化學試劑及

  半導體 晶片 碳化硅

  285瀏覽量