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廣州萬智光學(xué)技術(shù)有限公司

專業(yè)提供微納級3D測量解決方案

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-01-03 15:11

    高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法

    碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長是實現(xiàn)高性能SiC器件制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。然而,SiC外延生長過程對溫度、氣氛、襯底質(zhì)量等因素極為敏感,因此需要設(shè)計一種高效、穩(wěn)定的高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法,以滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求。 裝置結(jié)構(gòu) 高溫大面
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  • 發(fā)布了文章 2025-01-03 09:28

    白光干涉的技術(shù)演變過程

    一、初步應(yīng)用階段 在20世紀(jì)五六十年代,國內(nèi)外相繼出現(xiàn)了一些應(yīng)用型白光干涉儀。這些干涉儀主要采用人工操作、讀數(shù)、計算和測量評定某個參數(shù),效率相對較低。這一時期的白光干涉技術(shù)主要應(yīng)用于簡單的表面形貌測量和厚度測量等領(lǐng)域。 二、智能化與自動化發(fā)展階段 隨著電子及計算機技術(shù)的飛速發(fā)展,白光干涉儀開始朝智能化與自動化方向發(fā)展。 1980年:基于相移技術(shù)測量原理的
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  • 發(fā)布了文章 2025-01-02 16:53

    檢測碳化硅外延晶片表面痕量金屬的方法

    碳化硅(SiC)作為新一代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,SiC外延晶片在生產(chǎn)過程中可能會引入微量的金屬雜質(zhì),這些雜質(zhì)對器件的性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。因此,開發(fā)高效、準(zhǔn)確的檢測方法以監(jiān)控SiC外延晶片表面的痕量金屬含量,對于保證產(chǎn)品質(zhì)量和推進SiC技術(shù)的進一步發(fā)展具有重要意義。
  • 發(fā)布了文章 2025-01-02 10:01

    白光干涉中的機械相移,對于反射鏡移動的技術(shù)難點

    一、反射鏡移動精度要求高 白光干涉測量對光程差的改變非常敏感,即使是微小的移動也會導(dǎo)致顯著的相位變化。因此,反射鏡的移動必須非常精確,通常要達到納米級別。這種高精度的移動要求機械系統(tǒng)具有極高的穩(wěn)定性和分辨率。 二、機械系統(tǒng)穩(wěn)定性挑戰(zhàn) 反射鏡的移動通常依賴于機械系統(tǒng),如壓電陶瓷、精密絲杠等。然而,這些機械系統(tǒng)容易受到溫度、振動等外部因素的影響,導(dǎo)致移動不穩(wěn)定
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-31 15:04

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長室的結(jié)構(gòu)設(shè)計直接關(guān)系到外延層的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。本文將詳細介紹一種8英寸單片高溫碳化硅外延生長室的結(jié)構(gòu)及其特點。 結(jié)構(gòu)概述 8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)主要由以下幾個部分組
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-31 10:38

    白光干涉中的光學(xué)相移原理

    一、基本原理 在白光干涉儀中,光源發(fā)出的光經(jīng)過擴束準(zhǔn)直后,通過分光棱鏡被分成兩束相干光:一束作為參考光,另一束作為待測光。這兩束光在空間某點相遇時,會產(chǎn)生干涉現(xiàn)象,形成明暗相間的干涉條紋。干涉條紋的形態(tài)和位置取決于兩束光的相位差,而相位差則與它們經(jīng)過的光程差有關(guān)。 光學(xué)相移原理是通過多次等距改變參考光和待測光之間的光程差,實現(xiàn)干涉信號的相位調(diào)制。這種相位調(diào)
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-30 15:11

    溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法

    一、引言 溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內(nèi)填充高質(zhì)量的外延層,以實現(xiàn)器件的電學(xué)和熱學(xué)性能要求。這一過程中,不僅要保證外延層的填充率,還要避免空洞和缺陷的產(chǎn)生,從而確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 實驗準(zhǔn)備 在進行外延填充之前,首先需要通過實驗確定外延生長和刻蝕的工藝參數(shù)。這通常包括使用與待填充的碳化硅正式片具有
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-30 09:35

    白光干涉儀中的相位產(chǎn)生機制

    一、基于光程差的相位產(chǎn)生 基本原理: 當(dāng)兩束相干光波(如從同一光源發(fā)出的光波,經(jīng)過不同路徑后相遇)在空間某點相遇時,它們會產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。 干涉條紋的形成是由于兩束光波的相位差引起的,而相位差則取決于兩束光波經(jīng)過的光程差。 光程差的計算: 光程是指光在介質(zhì)中傳播的距離與介質(zhì)折射率的乘積。 在白光干涉儀中,一束白光經(jīng)過分束器被分成兩束光線(參考光線和待測光線),
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-27 14:16

    1um以下的光刻深度,凹槽深度和寬度測量

    一、白光干涉儀測量原理 白光干涉儀利用白光干涉原理,通過測量反射光與參考光之間的光程差來精確獲取待測表面的高度信息。其測量精度可達到納米級別,非常適合用于測量1um以下的光刻深度、凹槽深度和寬度。 二、測量步驟與注意事項 樣品準(zhǔn)備: 確保待測樣品表面干凈無塵,無油污或其他污染物,因為這些會影響干涉圖樣的清晰度和測量精度。 對于光刻和凹槽結(jié)構(gòu),需要特別注意保
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-27 09:54

    優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

    一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而,濕法腐蝕過程中,由于腐蝕液的選擇、腐蝕時間的控制、腐蝕均勻性等因素,往往會導(dǎo)致襯底表面TTV的增加,進而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響濕法腐蝕后TTV的關(guān)鍵因素 腐蝕液成分:腐蝕液的選擇直接影響腐

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公司介紹:廣州萬智光學(xué)技術(shù)有限公司專注于“微納級光學(xué) 3D 測量解決方案”,其主營業(yè)務(wù)涵蓋四大板塊:一是光學(xué)3D 輪廓測量,能夠精準(zhǔn)捕捉物體的輪廓特征;二是非標(biāo)定制深度開發(fā),滿足客戶的個性化需求;三是顯微動態(tài) 3D 振動測試,深入微觀世界,對微小物體的振動進行精確檢測;四是宏觀動態(tài) 3D 振動測試,為大型物體的振動分析提供有力支持。

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