動態(tài)
-
發(fā)布了文章 2025-01-03 15:11
高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法
碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長是實現(xiàn)高性能SiC器件制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。然而,SiC外延生長過程對溫度、氣氛、襯底質(zhì)量等因素極為敏感,因此需要設(shè)計一種高效、穩(wěn)定的高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法,以滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求。 裝置結(jié)構(gòu) 高溫大面 -
發(fā)布了文章 2025-01-03 09:28
-
發(fā)布了文章 2025-01-02 16:53
檢測碳化硅外延晶片表面痕量金屬的方法
碳化硅(SiC)作為新一代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,SiC外延晶片在生產(chǎn)過程中可能會引入微量的金屬雜質(zhì),這些雜質(zhì)對器件的性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。因此,開發(fā)高效、準(zhǔn)確的檢測方法以監(jiān)控SiC外延晶片表面的痕量金屬含量,對于保證產(chǎn)品質(zhì)量和推進SiC技術(shù)的進一步發(fā)展具有重要意義。339瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-02 10:01
-
發(fā)布了文章 2024-12-31 15:04
-
發(fā)布了文章 2024-12-31 10:38
-
發(fā)布了文章 2024-12-30 15:11
-
發(fā)布了文章 2024-12-30 09:35
-
發(fā)布了文章 2024-12-27 14:16
-
發(fā)布了文章 2024-12-27 09:54