廣州萬智光學(xué)技術(shù)有限公司

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• 發(fā)布了文章 2024-12-12 10:06

  晶圓單面拋光的裝置及方法

  

  晶圓單面拋光的裝置及方法主要涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，以下是對其詳細(xì)的介紹： 一、晶圓單面拋光裝置 晶圓單面拋光裝置通常包含以下關(guān)鍵組件： 工作臺：作為整個拋光裝置的基礎(chǔ)，用于支撐和固定其他組件。工作臺下方通常設(shè)置有伺服電機(jī)，用于提供拋光過程中的動力。 控制電箱：用于控制拋光裝置的各項參數(shù)和功能，確保拋光過程的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。 轉(zhuǎn)盤：放置在工作臺的開槽上，

  半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-11 09:50

  單面磷化銦晶片的制備方法有哪些？

  

  單面磷化銦晶片的制備方法主要包括以下步驟： 一、基本制備流程 研磨：采用研磨液對InP（磷化銦）晶片進(jìn)行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化鋁）和懸浮劑，其中Al2O3的粒徑通常在400~600目范圍內(nèi)，研磨液的流量控制在500~800mL/min，研磨壓力為3~5psi。 一次腐蝕：對InP晶片進(jìn)行濕法化學(xué)腐蝕，以去除黏附在晶片表面的研磨磨料，并釋放

  晶片 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-10 09:55

  控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法有哪些？

  

  控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法主要包括以下幾種： 一、采用先進(jìn)的拋光設(shè)備和技術(shù) 雙面拋光設(shè)備： 使用雙面拋光設(shè)備對晶圓進(jìn)行加工，這種設(shè)備能同時控制工件的兩面，有效地避免應(yīng)力差與粘結(jié)誤差引起的變形問題。 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)： CMP技術(shù)結(jié)合了化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的雙重作用，可以在晶圓表面形成一層化學(xué)反應(yīng)層，并通過機(jī)械研磨去除這層反應(yīng)層，從而實(shí)現(xiàn)

  半導(dǎo)體 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 14:11

  基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法有哪些？

  

  基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法主要包括以下幾個方面： 一、晶圓片制備優(yōu)化 多次減薄處理： 采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進(jìn)行多次減薄處理，可以制備出預(yù)設(shè)厚度小于70μm且厚度均勻性TTV為±0.5μm的晶圓片結(jié)構(gòu)。 這種方法避免了石英玻璃本身機(jī)械性能脆弱易導(dǎo)致晶圓片結(jié)構(gòu)碎裂的風(fēng)險，同時保證了晶圓片結(jié)構(gòu)正面電路的完整性。 拋光處理： 對多次減薄處理

  GaN 石英玻璃 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-06 10:36

  大尺寸藍(lán)寶石晶圓平坦化的方法有哪些

  

  大尺寸藍(lán)寶石晶圓平坦化的方法主要包括以下幾種： 一、傳統(tǒng)研磨與拋光方法 粗研磨 使用研磨墊配合綠碳化硅溶液對藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行雙面粗研磨，以去除晶圓表面的大部分不平整。通過控制研磨參數(shù)，如研磨壓力、轉(zhuǎn)速和研磨時間，可以將TTV（總厚度偏差）控制在一定范圍內(nèi)。 精研磨 在粗研磨的基礎(chǔ)上，使用更細(xì)的研磨材料（如鉆石拋光液）和更精細(xì)的研磨墊進(jìn)行雙面精研磨。這一步旨在

  測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-05 16:51

  改善晶圓出刀TTV異常的加工方法有哪些？

  

  改善晶圓出刀TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化量）異常的加工方法主要包括以下幾種： 一、設(shè)備調(diào)整與優(yōu)化 主軸與承片臺角度調(diào)整 通過設(shè)備自動控制，進(jìn)行工藝角度調(diào)整，減小晶圓TTV值。這通常涉及調(diào)整主軸或承片臺的角度，使磨輪與承片臺之間呈一定的夾角，以獲得較好的晶圓減薄表面質(zhì)量并控制TTV。 設(shè)備精度校準(zhǔn) 確保設(shè)備的精度，包

  半導(dǎo)體晶圓 測厚 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-05 14:14

  磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅晶片研磨質(zhì)量有哪些影響

  

  磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對這一影響的詳細(xì)分析： 一、磨料形貌的影響 磨料形貌是研磨過程中影響4H-SiC晶片質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。金剛石磨料因其高硬度和耐磨性，是研磨4H-SiC晶片的常用材料。磨料的形狀、大小和分布都會影響研磨過程中的材料去除速率和晶片的表面質(zhì)量。 材料去除速率：磨料的形狀和大小直接影

  半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-05 10:15

  怎么制備半導(dǎo)體晶圓片切割刃料？

  

  半導(dǎo)體晶圓片切割刃料的制備是一個復(fù)雜而精細(xì)的過程，以下是一種典型的制備方法： 一、原料準(zhǔn)備 首先，需要準(zhǔn)備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具有高硬度、高耐磨性和高化學(xué)穩(wěn)定性，是制備切割刃料的理想選擇。 二、破碎與篩分 顎式破碎：將原料放入顎式破碎機(jī)中進(jìn)行初步破碎，得到一定粒度的顆粒。 篩分：通過篩分設(shè)備將破碎后的顆粒進(jìn)行分級，篩選出符合要求的

  半導(dǎo)體 晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-04 11:30

  有什么方法可以去除晶圓鍵合邊緣缺陷?

  

  去除晶圓鍵合邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種： 一、化學(xué)氣相淀積與平坦化工藝 方法概述： 提供待鍵合的晶圓。 利用化學(xué)氣相淀積的方法，在晶圓的鍵合面淀積一層沉積量大于一定閾值（如1.6TTV）的氧化物薄膜。 對氧化物薄膜進(jìn)行致密化工藝。 對經(jīng)致密化工藝后的氧化物薄膜進(jìn)行平坦化工藝，確保平坦化的研磨量和氧化物薄膜的剩余量滿足一定條件（如平坦化的研磨量大于0.9

  半導(dǎo)體晶圓 晶圓 碳化硅 鍵合

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• 發(fā)布了文章 2024-10-31 17:38

  降低晶圓TTV的磨片加工有哪些方法?

  

  高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickn

  Warp

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