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除了邁克爾遜干涉和Linnik型干涉外,常見的干涉設(shè)計(jì)還有哪些?2025-03-03 13:29
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去除碳化硅外延片揭膜后臟污的清洗方法2025-02-24 14:23
引言 碳化硅(SiC)作為新一代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延片的制備過程中,揭膜后的臟污問題一直是影響外延片質(zhì)量和后續(xù)器件性能的關(guān)鍵因素。臟污主要包括顆粒物、有機(jī)物、無機(jī)化合物以及重金屬離子等,它們可能來源于外延生長(zhǎng)過程中的反應(yīng)副產(chǎn)物、空氣中的污染物或處理過程中的殘留 -
SiC外延片的化學(xué)機(jī)械清洗方法2025-02-11 14:39
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繼經(jīng)典邁克爾遜干涉后的零差式激光干涉技術(shù)的出現(xiàn)2025-02-11 09:43
零差式激光干涉技術(shù)是在經(jīng)典邁克爾遜干涉原理的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種高精度測(cè)量技術(shù)。以下是對(duì)這一技術(shù)的詳細(xì)介紹: 一、經(jīng)典邁克爾遜干涉原理 邁克爾遜干涉儀是一種利用分振幅法產(chǎn)生雙光束以實(shí)現(xiàn)干涉的光學(xué)儀器,它是最著名的干涉儀之一,為光學(xué)干涉測(cè)量中各類干涉儀的原型。其原理主要是利用兩束相干光波在空間某點(diǎn)相遇時(shí)相互疊加,形成穩(wěn)定的明暗相間的干涉條紋,當(dāng)被測(cè)物體發(fā)生移動(dòng) -
外差式激光干涉和零差式激光干涉的區(qū)別2025-02-10 11:28
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有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法2025-02-10 09:35
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白光干涉儀的膜厚測(cè)量模式原理2025-02-08 14:24
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應(yīng)力消除外延生長(zhǎng)裝置及外延生長(zhǎng)方法2025-02-08 09:45
引言 在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等,成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而,在大尺寸SiC外延生長(zhǎng)過程中,襯底應(yīng)力問題一直是影響外延片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素。為了克服這一問題,應(yīng)力消除外延生長(zhǎng)裝置及外延生長(zhǎng)方法應(yīng)運(yùn)而生。本文將詳細(xì)介紹這種裝置和方法的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)以及應(yīng)用前景。 應(yīng)力 -
白光干涉儀的光譜干涉模式原理2025-02-07 15:11
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碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法2025-02-07 09:55