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動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-17 14:45

  通過聲光介質(zhì)的聲光效應，實現(xiàn)白光干涉中的聲光調(diào)制相移原理

  

  通過聲光介質(zhì)的聲光效應，實現(xiàn)白光干涉中的聲光調(diào)制相移原理，是一個涉及光學和聲學交叉領域的技術。以下是對這一原理的詳細解釋： 一、聲光效應與聲光調(diào)制 聲光效應是指超聲波在介質(zhì)中傳播時，會引起介質(zhì)折射率的周期性變化，這種變化可以看作是一個動態(tài)的光柵。當光波通過這個動態(tài)光柵時，會發(fā)生衍射現(xiàn)象，衍射光的強度、頻率和方向都會隨著超聲波場的變化而變化。聲光調(diào)制則是利用

  3D 測量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-01-17 09:27

  不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

  

  在當今高速發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發(fā)揮氮化鎵襯底的優(yōu)勢，確保其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精準測量至關重要，因為這直接關聯(lián)到后續(xù)芯片制造工藝的良率與性能表現(xiàn)。不同的吸附方案恰似一雙雙各異

  晶圓 氮化鎵 測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-01-16 14:33

  氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

  

  在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量是保障后續(xù)芯片制造工藝精準實施的重要前提，不同的吸附方案在這一測量環(huán)節(jié)中扮演著截然不同的角色，其中環(huán)吸方案更是以獨特

  半導體 晶圓 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-01-16 09:25

  通過改變光的偏振態(tài)，從而實現(xiàn)白光干涉中的光學相移原理

  

  通過改變光的偏振態(tài)，從而實現(xiàn)白光干涉中的光學相移原理，是一個涉及光學原理和技術的復雜過程。以下是對這一過程的詳細解釋： 一、光的偏振態(tài)與白光干涉 光的偏振是指光波在傳播過程中，光矢量的方向和大小有規(guī)則變化的現(xiàn)象。白光干涉則是利用光的波動性，使兩束或多束相干光波在空間某點相遇并產(chǎn)生明暗相間的干涉條紋。這些干涉條紋的形成取決于光波的相位差，而相位差則與光波經(jīng)過

  光學 白光干涉儀 表面輪廓儀

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• 發(fā)布了文章 2025-01-15 15:07

  基于光偏振與光學調(diào)制實現(xiàn)白光干涉相移

  

  基于光的偏振特性和一些光學元件對光的調(diào)制作用，實現(xiàn)白光干涉中的光學相移原理是一個復雜而精細的過程。以下是對這一原理的詳細解釋： 一、光的偏振特性 光的偏振是指光波在傳播過程中，光矢量的方向和大小有規(guī)則變化的現(xiàn)象。圓偏振光的電場矢量在平面內(nèi)沿著一個圓形軌跡振動，可以分為左旋圓偏振光和右旋圓偏振光。而線偏振光則是光波在某一固定方向上的振動占優(yōu)勢的光。光的偏振狀態(tài)

  測量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-01-15 09:36

  測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于碳化硅襯底厚度測量的影響

  

  在半導體制造這一高精尖領域，碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關鍵基礎材料，其厚度測量的準確性如同精密機械運轉(zhuǎn)的核心齒輪，容不得絲毫差錯。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如隱匿在暗處的 “幽靈”，悄然干擾著測量進程，深刻影響著碳化硅襯底厚度測量的精度與可靠性。探究 “溫漂” 的產(chǎn)生根源以及剖析其帶來的全方位影響，對于半導體產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)健發(fā)展至關重要。 一、

  晶圓 測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 14:40

  測量探頭的 “溫漂” 問題，對于碳化硅襯底厚度測量的實際影響

  

  在半導體制造的微觀世界里，碳化硅襯底作為新一代芯片的關鍵基石，其厚度測量的精準性如同精密建筑的根基，不容有絲毫偏差。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如同一股暗流，悄然沖擊著這一精準測量的防線，給碳化硅襯底厚度測量帶來諸多實際且棘手的影響。 一、“溫漂” 現(xiàn)象的內(nèi)在根源 測量探頭的 “溫漂”，本質(zhì)上是由于溫度因素致使探頭自身物理特性發(fā)生改變，進而引發(fā)測量誤差

  晶圓 測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 10:23

  不同的碳化硅襯底的吸附方案，對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

  

  在當今蓬勃發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關鍵基礎材料，正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細微的偏差都可能讓后續(xù)芯片制造工藝失衡，而不同的吸附方案則像是操控這一精密測量天平的無形之手，深刻影響著測量結果的精準度。 一、傳統(tǒng)大面積真空吸附方案 大面積真空吸附長

  晶圓 測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 14:36

  碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

  

  在半導體領域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質(zhì)量的精準把控愈發(fā)關鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）測量精度直接影響后續(xù)芯片加工工藝的良率與性能，而不同的吸附方案在這一測量過程中扮演著舉足輕重的角色，環(huán)吸方案更是以其獨特性與其他吸

  晶圓 硅襯底

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 09:56

  測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于晶圓厚度測量的影響

  

  在半導體芯片制造的微觀世界里，精度就是生命線，晶圓厚度測量的精準程度直接關聯(lián)著最終產(chǎn)品的性能優(yōu)劣。而測量探頭的 “溫漂” 問題，宛如精密時鐘里的一粒微塵，雖小卻能攪亂整個測量體系的精準節(jié)奏。深入探究其產(chǎn)生根源以及帶來的連鎖影響，對于半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展至關重要。 一、“溫漂” 問題的產(chǎn)生緣由 1.環(huán)境溫度波動 半導體制造車間是一個復雜的熱環(huán)境生態(tài)。一方面，

  厚度測量 晶圓 測量探頭

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