廣州萬智光學(xué)技術(shù)有限公司

動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-10 15:12

  測量探頭的 “溫漂” 問題，對(duì)于晶圓厚度測量的實(shí)際影響

  

  一、“溫漂” 現(xiàn)象的本質(zhì)剖析 測量探頭的 “溫漂”，指的是由于環(huán)境溫度變化或探頭自身在工作過程中的發(fā)熱，導(dǎo)致探頭的物理特性發(fā)生改變，進(jìn)而使其測量精度出現(xiàn)偏差的現(xiàn)象。從原理上看，多數(shù)測量探頭基于電學(xué)或光學(xué)原理工作，例如電學(xué)探頭利用電信號(hào)的變化反映測量目標(biāo)的參數(shù)，而溫度的波動(dòng)會(huì)影響電子元件的導(dǎo)電性、電容值等關(guān)鍵性能指標(biāo)；光學(xué)探頭的光路系統(tǒng)受溫度影響，玻璃鏡片的折

  半導(dǎo)體 晶圓 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 10:30

  不同的真空吸附方式，對(duì)測量晶圓 BOW 的影響

  

  在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，晶圓作為芯片制造的基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量把控貫穿整個(gè)生產(chǎn)流程。其中，晶圓的 BOW（彎曲度）測量精度對(duì)于確保后續(xù)工藝的順利進(jìn)行以及芯片性能的穩(wěn)定性起著舉足輕重的作用。而不同的真空吸附方式，作為晶圓測量環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵支撐技術(shù)，對(duì) BOW 測量結(jié)果有著千差萬別的影響。 一、全表面真空吸附方式 全表面真空吸附是最為傳統(tǒng)且應(yīng)用廣泛的一種方式。其原

  晶圓 測量 真空

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• 發(fā)布了文章 2025-01-09 17:00

  晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對(duì)于測量晶圓 BOW/WARP 的影響

  

  在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對(duì)晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)或其他吸附方案相比，對(duì) BOW/WARP 測量有著顯著且復(fù)雜的影響。 一、常見吸附方案概述 傳統(tǒng)的吸附方案包括全表面吸附、邊緣點(diǎn)吸附等。全表面吸附利用真空將晶圓

  Warp 半導(dǎo)體制造 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-01-09 10:42

  反射鏡的移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)白光干涉中的機(jī)械相移原理

  

  在白光干涉測量中，通過反射鏡的移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)機(jī)械相移原理是一種常見且有效的方法。以下是對(duì)這一原理的詳細(xì)解釋： 一、基本原理 白光干涉測量技術(shù)基于光的波動(dòng)性和相干性原理。當(dāng)兩束相干光波在空間某點(diǎn)相遇時(shí)，它們會(huì)產(chǎn)生干涉現(xiàn)象，形成明暗相間的干涉條紋。這些干涉條紋的形成取決于兩束光的相位差，而相位差則與它們經(jīng)過的光程差緊密相關(guān)。 在白光干涉儀中，光源發(fā)出的光經(jīng)過擴(kuò)束準(zhǔn)直

  機(jī)械 測量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 15:49

  用于半導(dǎo)體外延片生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)

  

  一、引言 在半導(dǎo)體制造業(yè)中，外延生長技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長方法，被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長過程中，石墨托盤作為承載和支撐半導(dǎo)體襯底的關(guān)鍵組件，其結(jié)構(gòu)和性能對(duì)外延片的質(zhì)量具有決定性影響。本文將詳細(xì)介紹一種用于半導(dǎo)體外延片生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)，探討其設(shè)計(jì)特點(diǎn)、工作原理及在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)

  CVD 半導(dǎo)體 外延片

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 10:37

  通過樣品臺(tái)的移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)白光干涉中的機(jī)械相移原理

  

  在白光干涉測量技術(shù)中，通過樣品臺(tái)的移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)機(jī)械相移原理是一種常用的且高精度的方法。這種方法基于光的波動(dòng)性和相干性，通過改變樣品臺(tái)的位置，即改變待測光線與參考光線之間的光程差，來實(shí)現(xiàn)相位調(diào)制，從而獲取待測物體的精確信息。 一、基本原理 在白光干涉儀中，光源發(fā)出的光經(jīng)過擴(kuò)束準(zhǔn)直后，通過分光棱鏡被分成兩束相干光：一束作為參考光，經(jīng)過固定的光路到達(dá)干涉儀的接收屏；

  3D 測量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 15:19

  鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置

  

  一、引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延片是實(shí)現(xiàn)高性能SiC器件制造的關(guān)鍵。鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置作為一種先進(jìn)的生長設(shè)備，以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和高效的生長性能，成為制備高質(zhì)量SiC外延片的重要工具。本文將詳細(xì)介紹鐘罩式

  SiC 硅外延片 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 10:48

  光學(xué)元件的插入與移除，實(shí)現(xiàn)白光干涉中的機(jī)械相移原理

  

  在白光干涉測量中，通過光學(xué)元件的插入與移除來實(shí)現(xiàn)機(jī)械相移原理是一種獨(dú)特而有效的方法。這種方法的核心在于利用光學(xué)元件（如透鏡、反射鏡、棱鏡等）對(duì)光路的改變，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)相位差的調(diào)制。以下是對(duì)這一原理的詳細(xì)解釋： 一、基本原理 白光干涉測量基于光的干涉原理，即當(dāng)兩束相干光波在空間某點(diǎn)相遇時(shí)，它們會(huì)產(chǎn)生干涉現(xiàn)象，形成明暗相間的干涉條紋。干涉條紋的形成取決于兩束光的

  3D 測量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 14:51

  減少減薄碳化硅紋路的方法

  

  碳化硅（SiC）作為一種高性能半導(dǎo)體材料，因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率，在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過程中，碳化硅片的減薄是一個(gè)重要環(huán)節(jié)，它可以提高器件的散熱性能，并有助于降低制造成本。然而，在減薄過程中，碳化硅表面往往會(huì)出現(xiàn)紋路，這些紋路不僅影響器件的外觀質(zhì)量，還可能對(duì)器件的電學(xué)性能和可靠性產(chǎn)生不利影響。因

  SiC 半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 10:38

  白光干涉中，通過樣品臺(tái)的移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)機(jī)械相移技術(shù)

  

  一、基本原理 在白光干涉儀中，光源發(fā)出的光經(jīng)過擴(kuò)束準(zhǔn)直后，通過分光棱鏡被分成兩束相干光：一束作為參考光，經(jīng)過固定的光路到達(dá)干涉儀的接收屏；另一束作為待測光，經(jīng)過樣品臺(tái)后被反射或透射，再與參考光相遇產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。干涉條紋的形成取決于兩束光的相位差，而相位差則與它們經(jīng)過的光程差有關(guān)。 通過移動(dòng)樣品臺(tái)，可以改變待測光線經(jīng)過的路徑長度，從而改變光程差和相位差。這種

  3D 機(jī)械 白光 白光干涉儀

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