這兩年,DRAM芯片和內(nèi)存條價(jià)格經(jīng)歷了一波瘋漲,如今已經(jīng)慢慢回歸理智,而在另一方面,NAND閃存產(chǎn)能一直很充裕,SSD固態(tài)硬盤的價(jià)格也是持續(xù)走低,性價(jià)比越來越高。
但是這對(duì)于內(nèi)存、閃存芯片廠商來說,并不是好消息,三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產(chǎn)能了。
美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財(cái)務(wù)電話會(huì)議上表示,當(dāng)前DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)查能過剩、庫存持續(xù)增加,導(dǎo)致價(jià)格下跌、拖累產(chǎn)業(yè)。
美光預(yù)計(jì)明年內(nèi)存芯片產(chǎn)能增幅為15%,低于此前預(yù)期的20%,NAND閃存芯片也只會(huì)增長(zhǎng)35%,低于此前預(yù)計(jì)的35-40%。
為了解決供過于求的問題,美光計(jì)劃將明年全年的資本支出下調(diào)12.5億美元降至95億美元,以減少DRAM內(nèi)存、NAND閃存芯片產(chǎn)能。
不過產(chǎn)能調(diào)整需要時(shí)間,美光預(yù)計(jì)可能要明年下半年才會(huì)恢復(fù)供需平衡。
同時(shí),三星、SK海力士也有類似的減產(chǎn)計(jì)劃,三星更是會(huì)增加晶圓代工市場(chǎng)份額,以彌補(bǔ)芯片降價(jià)帶來的損失。
市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)計(jì),明年半導(dǎo)體行業(yè)的整體資本支出可能會(huì)比今年減少12%,其中三星、Intel、SK海力士、臺(tái)積電、美光三巨頭合計(jì)減少14%,其他減少約7%。
看這意思,內(nèi)存、固態(tài)硬盤的價(jià)格很可能會(huì)在明年年中前后出現(xiàn)反彈。
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