0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

NVIDIA預(yù)購大量HBM3E內(nèi)存

中國半導(dǎo)體論壇 ? 來源:中國半導(dǎo)體論壇 ? 2024-01-02 16:31 ? 次閱讀

1月2日消息,韓媒報道,NVIDIA已經(jīng)向SK海力士、鎂光,交付了700億至1萬億韓元(約合5.4億至7.7億美元)的預(yù)付款,業(yè)內(nèi)預(yù)計了這筆款項在10.8億美元到15.4億美元之間。

雖然沒有說明具體用途,但業(yè)界普遍認(rèn)為,NVIDIA是為了確保2024年HBM供應(yīng)穩(wěn)定,避免新一代AI、HPC GPU因為發(fā)布后庫存不足而掉鏈子。

業(yè)內(nèi)人士還透露,三星電子、SK 海力士、美光三大存儲公司明年的HBM產(chǎn)能已完全售罄。

根據(jù)現(xiàn)有爆料信息英偉達(dá)正準(zhǔn)備推出兩款配備HBM3E內(nèi)存的產(chǎn)品:配備141GB HBM3E的H200 GPU、以及GH200超級芯片,這倆產(chǎn)品相當(dāng)時受歡迎。

畢竟在NVIDIA在AI、HPC領(lǐng)域遙遙領(lǐng)先,這也是為什么需要大量HBM內(nèi)存,來確保H200 GPU、以及GH200超級芯片的產(chǎn)品供應(yīng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • NVIDIA
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    4986

    瀏覽量

    103042
  • SK海力士
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    962

    瀏覽量

    38495
  • HBM
    HBM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    380

    瀏覽量

    14755
  • HBM3E
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    78

    瀏覽量

    259

原文標(biāo)題:NVIDIA預(yù)購大量HBM3E內(nèi)存

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付

    美光科技近期宣布,其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付,標(biāo)志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
    的頭像 發(fā)表于 09-09 17:42 ?789次閱讀

    SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

    HBM市場全球最高市占率的地位,也標(biāo)志著HBM3E技術(shù)再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,特別是在滿足日益增長的人工智能服務(wù)器對高性能內(nèi)存需求的背景下。
    的頭像 發(fā)表于 09-05 16:31 ?733次閱讀

    TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達(dá)驗證,8Hi版本正式出貨

    9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程,并正式啟動了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時,三星電子還
    的頭像 發(fā)表于 09-04 15:57 ?596次閱讀

    三星否認(rèn)HBM3E通過英偉達(dá)測試傳聞

    近期,有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試,并預(yù)計很快將啟動量產(chǎn)流程,以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而,這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-05 15:08 ?731次閱讀

    NVIDIA預(yù)定購三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

    據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
    的頭像 發(fā)表于 03-25 15:36 ?423次閱讀

    什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

    Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
    發(fā)表于 03-20 14:12 ?2540次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>HBM3E</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>?Rambus <b class='flag-5'>HBM3E</b>/<b class='flag-5'>3</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>控制器內(nèi)核

    SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

    同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時
    的頭像 發(fā)表于 03-19 09:57 ?1108次閱讀

    美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展

    2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
    的頭像 發(fā)表于 03-04 18:51 ?1211次閱讀
    美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的<b class='flag-5'>HBM3E</b>解決方案,加速人工智能發(fā)展

    美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展

    HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開始出貨。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:51 ?875次閱讀
    美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 <b class='flag-5'>HBM3E</b> 解決方案,加速人工智能發(fā)展

    AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

    據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSA
    的頭像 發(fā)表于 02-27 15:45 ?664次閱讀

    三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

    近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:28 ?1071次閱讀

    三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

    2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 11:07 ?780次閱讀

    AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

    目前,只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達(dá)到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:22 ?631次閱讀

    英偉達(dá)斥資預(yù)購HBM3內(nèi)存,為H200及超級芯片儲備產(chǎn)能

    據(jù)最新傳聞,英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進(jìn)一步說明了對于HBM
    的頭像 發(fā)表于 01-02 09:27 ?779次閱讀

    英偉達(dá)大量訂購HBM3E內(nèi)存,搶占市場先機(jī)

    英偉達(dá)(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競
    的頭像 發(fā)表于 12-29 16:32 ?1053次閱讀