0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設備

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-03 11:48 ? 次閱讀

據(jù)業(yè)界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產(chǎn)的128段(v6) nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段(v8)。三星決定從明年初開始更換設備,并向業(yè)界通報了到2025年分階段完成的目標。

三星決定在因經(jīng)濟不景氣而堆積庫存的128段nand中減少舊型產(chǎn)品,供應未來需求較多的236段nand等,正在加快向先進工程的轉(zhuǎn)型。

隨著西安工廠的升級,平澤第1工廠(p1)的nand工藝也將從128段轉(zhuǎn)換為236段,已經(jīng)開始轉(zhuǎn)換。

西安工程升級備受關注的原因是此前禁止向中國出口可以生產(chǎn)200段以上nand的設備的《美國半導體設備法》。

西安工廠是占三星nand生產(chǎn)量約40%的核心工廠。128 nand由于市場狀況的惡化,生產(chǎn)越多,庫存就越堆積。三星急需改進工程。

今年10月,美國將三星和sk海力士指定為“經(jīng)過驗證的最終用戶(veu)”,三星無需另外申請也可以進口設備。之后,三星決定改編工廠的前臺生產(chǎn)線。

nand閃存端口的數(shù)量是指堆疊的內(nèi)存單元的數(shù)量,這個數(shù)量越多,容量就越大。三星電子目前擁有的236段nand閃存計劃明年初批量生產(chǎn)約300段的新一代nand閃存(v9)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 閃存
    +關注

    關注

    16

    文章

    1789

    瀏覽量

    114949
  • NAND
    +關注

    關注

    16

    文章

    1682

    瀏覽量

    136182
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15863

    瀏覽量

    181028
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    三星半導體將出售生產(chǎn)線的舊設備

    三星電子很快就會開始銷售各條前端和后端生產(chǎn)線的舊設備,其中包括位于中國西安NAND快閃,預計因美國政府壓力而堆積導致無法及時出售的
    的頭像 發(fā)表于 11-17 14:40 ?264次閱讀

    三星將出售西安芯片設備及產(chǎn)線

    三星電子即將啟動一項重大舉措,計劃出售位于中國西安NAND閃存工廠的舊設備及產(chǎn)線。這一決定標志著三星
    的頭像 發(fā)表于 11-12 14:36 ?595次閱讀

    今日看點丨三星將出售西安芯片設備及產(chǎn)線;理想汽車聲明!未設立任何銷售代理或授權經(jīng)銷商

    1. 三星將出售西安芯片設備及產(chǎn)線 ? 三星電子很快將開始銷售各條前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊
    發(fā)表于 11-07 11:11 ?604次閱讀
    今日看點丨<b class='flag-5'>三星</b>將出售<b class='flag-5'>西安</b>芯片<b class='flag-5'>廠</b>舊<b class='flag-5'>設備</b>及產(chǎn)線;理想汽車聲明!未設立任何銷售代理或授權經(jīng)銷商

    三星電子將出售中國工廠舊設備,含西安NAND閃存生產(chǎn)線

    三星電子即將啟動一項計劃,將其位于中國西安NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設備
    的頭像 發(fā)表于 11-06 14:00 ?522次閱讀

    任天堂Switch 2大幅依靠三星供應鏈

    據(jù)悉,Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC(英偉達Tegra T239芯片,采用三星7LPH工藝節(jié)點)。此外,任天堂還計劃采用三星
    的頭像 發(fā)表于 04-29 10:23 ?912次閱讀

    三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片,位密度提升50%

    在技術層面,第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術實力。它采用了雙重堆疊技術,在原有的旗艦V8閃存236的基礎上,再次實現(xiàn)了技術上的重大突破,堆疊層數(shù)飆升至驚人的290
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:02 ?1150次閱讀

    三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品,采用290雙重堆疊技術

    作為九代V-NAND的核心技術,雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數(shù)從236增至290,主要應用于大型企業(yè)服務器及人工智能與云計算領域。據(jù)了解,三星
    的頭像 發(fā)表于 04-28 10:08 ?773次閱讀

    三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數(shù)紀錄

    三星公司預計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290第九代V-NAND (3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236
    的頭像 發(fā)表于 04-18 09:49 ?679次閱讀

    三星即將量產(chǎn)290V-NAND閃存

    據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:06 ?616次閱讀

    三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn),堆疊層數(shù)達290

    據(jù)韓媒Hankyung透露,第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)高達290,但IT之家此前曾報道過,三星在學術會議上展示了280堆疊的QL
    的頭像 發(fā)表于 04-12 16:05 ?850次閱讀

    三星計劃推出AI芯片Mach-1,采用LPDDR內(nèi)存技術

    三星電子DS部門傳來重磅消息,負責人慶桂顯宣布,公司計劃于今年底至明年初推出全新AI芯片Mach-1。這款備受矚目的芯片已完成基于FPGA的技術驗證,正邁向SoC設計的關鍵階段。預計Mach-1芯片將于今年底完成制造,并于
    的頭像 發(fā)表于 03-25 10:33 ?541次閱讀

    三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

    三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下
    的頭像 發(fā)表于 03-14 15:35 ?565次閱讀

    三星西安NAND開工率回升至70%

    三星電子,全球半導體產(chǎn)業(yè)的領軍企業(yè),近期在其位于中國西安NAND閃存工廠實現(xiàn)了開工率的顯著回升,從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對市場趨勢的敏銳
    的頭像 發(fā)表于 03-14 12:32 ?814次閱讀

    三星推出GDDR7產(chǎn)品及280堆疊的3D QLC NAND技術

    三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280堆疊的3D QLC NAND技術。
    的頭像 發(fā)表于 02-01 10:35 ?796次閱讀

    三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

    部分存儲模組已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D T
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:46 ?1034次閱讀