三星即將量產290層V-NAND閃存
據韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。這是繼236層第八代V-NAND之后的又一重大進步，是當前業(yè)界可量產的最高堆疊層數。此外，三星計劃在2025年推出430層V-NAND產品。
290層V-NAND閃存芯片更高的密度將帶來更低成本、更大單體容量，以及更好的性能表現。具體來說，三星將發(fā)布1Tb（128GB）QLC 3D NAND閃存芯片，存儲密度達到28.5Gb平方毫米。性能上，其I/O速率達到了3.2 Gbps，相比現有第八代的2.4 Gbps有了顯著提升。
在技術上，三星即將推出的第九代V-NAND采用雙層鍵合技術提高生產效率，打破了業(yè)內專家的預測。此前曾認為要達到300層，需要三層鍵合技術。此次的突破展現了三星在半導體制造領域的領先技術實力。
隨著人工智能領域從“訓練”轉向“推理”，需要處理大量數據，如圖像和視頻，因此需要大容量存儲設備。三星此舉旨在滿足人工智能（AI）熱潮下對于NAND閃存的需求。此外，三星對于其NAND業(yè)務在第一季度的盈利比較樂觀，這也為即將開始的量產提供了有力的市場支撐。
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