據(jù)悉，三星有望在本月晚些時(shí)候?qū)崿F(xiàn)第九代V-NAND閃存在業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位，生產(chǎn)出具有更高堆疊層次的產(chǎn)品。據(jù)三星高層Jung-Bae Lee介紹，他們計(jì)劃于今年年初開始下一代NAND閃存的量產(chǎn)工作。
值得注意的是，2022年11月，三星成功量產(chǎn)出236層第八代V-NAND，這意味著每隔約一年半時(shí)間，三星便能推出新一代V-NAND閃存。
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
此外，三星將繼續(xù)采用雙閃存堆棧設(shè)計(jì)，以簡(jiǎn)化工藝流程并降低制造成本。然而，預(yù)計(jì)明年推出的第十代V-NAND閃存將采用三堆棧設(shè)計(jì)，這將進(jìn)一步提高3D閃存的堆疊層數(shù)，同時(shí)也會(huì)增加堆棧對(duì)齊的復(fù)雜度。
半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu)TechInsights預(yù)測(cè)，三星的第十代V-NAND閃存有望達(dá)到430層，從而鞏固其在堆疊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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