三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片，位密度提升50%

4月28日，全球半導(dǎo)體巨頭三星宣布了一個(gè)令人振奮的消息：其最新一代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。相較于前代產(chǎn)品，這款新品在位密度上實(shí)現(xiàn)了顯著的飛躍，提升幅度高達(dá)約50%。這一重大突破，得益于三星創(chuàng)新技術(shù)的引入——通道孔蝕刻技術(shù)，該技術(shù)極大地提升了生產(chǎn)效率，為三星在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)增添了新的動(dòng)力。

在技術(shù)層面，第九代V-NAND無(wú)疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)使得該產(chǎn)品在大型企業(yè)服務(wù)器、人工智能以及云設(shè)備等高端市場(chǎng)領(lǐng)域，成為了備受歡迎的存儲(chǔ)解決方案。

然而，三星并未滿(mǎn)足于現(xiàn)有的成績(jī)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，三星正計(jì)劃在未來(lái)不久推出第10代NAND芯片。這款芯片將采用更為先進(jìn)的三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)有望突破至430層，再次刷新NAND芯片密度的記錄。這一系列的創(chuàng)新舉措，無(wú)疑將進(jìn)一步鞏固三星在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，并為其未來(lái)的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

市場(chǎng)研究公司Omdia的預(yù)測(cè)報(bào)告也為三星的未來(lái)發(fā)展注入了信心。盡管NAND閃存市場(chǎng)在2023年經(jīng)歷了下滑，但預(yù)計(jì)今年將迎來(lái)強(qiáng)勁的反彈，增長(zhǎng)率將達(dá)到38.1%。面對(duì)這一充滿(mǎn)機(jī)遇的市場(chǎng)環(huán)境，三星誓言將加大對(duì)NAND業(yè)務(wù)的投資力度，以搶占更多的市場(chǎng)份額。

三星的高管們信心滿(mǎn)滿(mǎn)。他們表示，公司的長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)是到2030年開(kāi)發(fā)出超過(guò)1000層的NAND芯片。

審核編輯：黃飛